[發(fā)明專利]顯示設備在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110062238.7 | 申請日: | 2016-12-19 |
| 公開(公告)號: | CN112909199A | 公開(公告)日: | 2021-06-04 |
| 發(fā)明(設計)人: | 崔允瑄;金武謙;李相祚;崔原碩 | 申請(專利權)人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/52 | 分類號: | H01L51/52;H01L51/50;H01L51/00;H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京德琦知識產權代理有限公司 11018 | 代理人: | 焦立波;王琦 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 設備 | ||
1.一種顯示設備,包括:
基板,包括介于第一區(qū)域與第二區(qū)域之間的彎曲區(qū)域,并且所述基板被配置為在所述彎曲區(qū)域處被彎曲;
顯示部,在所述第一區(qū)域中的所述基板上方;
保護膜,在所述基板下方,并且包括保護膜基底和粘合層,
其中,所述保護膜基底具有與所述彎曲區(qū)域對應的開口或者所述保護膜基底對應于所述第一區(qū)域的至少一部分,并且
其中,所述粘合層介于所述基板與所述保護膜基底之間并且在所述第一區(qū)域、所述彎曲區(qū)域以及所述第二區(qū)域上方形成整體,并且所述粘合層的對應于所述彎曲區(qū)域的至少一部分具有與所述粘合層的對應于所述第一區(qū)域的至少一部分的硬度不同的硬度。
2.根據權利要求1所述的顯示設備,其中,所述粘合層的對應于所述彎曲區(qū)域的至少一部分具有比所述粘合層的對應于所述第一區(qū)域的至少一部分的硬度更大的硬度。
3.根據權利要求2所述的顯示設備,其中,所述粘合層包括:在從所述彎曲區(qū)域的中心到所述第一區(qū)域的中心的方向上沿著所述粘合層具有減小的硬度的部分或者具有增加的粘合力的部分。
4.根據權利要求1所述的顯示設備,其中,所述粘合層的對應于所述第二區(qū)域的部分具有與所述粘合層的對應于所述彎曲區(qū)域的部分的硬度相同的硬度。
5.根據權利要求4所述的顯示設備,其中,所述粘合層的與所述彎曲區(qū)域和所述第二區(qū)域對應的部分具有比所述粘合層的對應于所述第一區(qū)域的至少一部分的硬度更大的硬度。
6.根據權利要求5所述的顯示設備,其中,所述粘合層包括:在從所述彎曲區(qū)域的中心到所述第一區(qū)域的中心的方向上沿著所述粘合層具有減小的硬度的部分或者具有增加的粘合力的部分。
7.根據權利要求1所述的顯示設備,進一步包括在所述保護膜基底的對應于所述顯示部的部分下方的遮光層,所述遮光層對應于所述顯示部的至少一部分。
8.根據權利要求7所述的顯示設備,其中,所述遮光層被配置為屏蔽紫外線。
9.根據權利要求7所述的顯示設備,其中,所述基板被配置為被彎曲使得所述基板在所述第一區(qū)域中的下表面的部分面對所述基板在所述第二區(qū)域中的下表面的至少一部分,
其中,所述保護膜基底與所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域對應并且具有對應于所述彎曲區(qū)域的開口,并且
其中,所述遮光層接觸所述保護膜基底的對應于所述第一區(qū)域的部分和所述保護膜基底的對應于所述第二區(qū)域的部分兩者。
10.根據權利要求7所述的顯示設備,其中,所述基板被配置為被彎曲使得所述基板在所述第一區(qū)域中的下表面的部分面對所述基板在所述第二區(qū)域中的下表面的至少一部分,
其中,所述保護膜基底在對應于所述第一區(qū)域的至少一部分的所述基板下方,并且
其中,所述遮光層接觸所述保護膜基底的對應于所述第一區(qū)域的部分和所述粘合層的對應于所述第二區(qū)域的部分。
11.根據權利要求1所述的顯示設備,進一步包括在所述保護膜基底的對應于所述顯示部的部分下方的絕熱層,所述絕熱層對應于所述顯示部的至少一部分。
12.根據權利要求11所述的顯示設備,其中,所述基板被配置為被彎曲使得所述基板在所述第一區(qū)域中的下表面的部分面對所述基板在所述第二區(qū)域中的下表面的至少一部分,
其中,所述保護膜基底與所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域對應并且具有對應于所述彎曲區(qū)域的開口,并且
其中,所述絕熱層接觸所述保護膜基底的對應于所述第一區(qū)域的部分和所述保護膜基底的對應于所述第二區(qū)域的部分兩者。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的,如有機發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





