[發(fā)明專利]用于集成電路封裝的分層缺陷檢測方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110061443.1 | 申請日： | 2021-01-18 |
| 公開（公告）號： | CN112858887A | 公開（公告）日： | 2021-05-28 |
| 發(fā)明（設計）人： | 張學豪;曾國華;葉明明;李棟杰;趙時峰 | 申請（專利權）人： | 昂寶電子（上海）有限公司 |
| 主分類號： | G01R31/28 | 分類號： | G01R31/28;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京東方億思知識產(chǎn)權代理有限責任公司 11258 | 代理人： | 田琳婧 |
| 地址： | 201203 上海市浦東新區(qū)*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 用于 集成電路 封裝 分層 缺陷 檢測 方法 | ||
1.一種用于集成電路封裝的分層缺陷檢測方法，包括：
在集成電路封裝的內(nèi)置二極體輸入管腳施加能夠使所述集成電路封裝的內(nèi)部芯片發(fā)熱的預定電流；
測量所述集成電路封裝的內(nèi)置二極體輸入管腳處在多個時間的端電壓；以及
根據(jù)所述集成電路封裝的內(nèi)置二極體輸入管腳處在所述多個時間的端電壓，判斷所述集成電路封裝是否存在分層缺陷，其中，所述分層缺陷是指所述集成電路封裝的內(nèi)部芯片和封裝基島之間分層的封裝缺陷。
2.如權利要求1所述的分層缺陷檢測方法，其中，根據(jù)所述集成電路封裝的內(nèi)置二極體輸入管腳處在第一時間的端電壓和在第二時間的端電壓之間的電壓差值，判斷所述集成電路封裝是否存在所述分層缺陷。
3.如權利要求1所述的分層缺陷檢測方法，其中，當所述集成電路封裝的內(nèi)置二極體輸入管腳處在所述第一時間的端電壓和在所述第二時間的端電壓之間的電壓差值大于預定閾值時，判定所述集成電路封裝存在所述分層缺陷。
4.如權利要求1所述的分層缺陷檢測方法，其中，當所述集成電路封裝的內(nèi)置二極體輸入管腳處在所述第一時間的端電壓和在所述第二時間的端電壓之間的電壓差值不大于預定閾值時，判定所述集成電路封裝不存在所述分層缺陷。
5.如權利要求1至4中任一項所述的分層缺陷檢測方法，其中，所述預定電流是在被施加到與所述集成電路封裝同批次生產(chǎn)的、存在所述分層缺陷的集成電路封裝缺陷品的內(nèi)置二極體輸入管腳時，所述集成電路封裝缺陷品的內(nèi)部芯片發(fā)熱，使得所述集成電路封裝缺陷品的內(nèi)部芯片和封裝基島之間由分層恢復為接觸的負向電流。
6.如權利要求5所述的分層缺陷檢測方法，其中，當所述集成電路封裝缺陷品的內(nèi)置二極體輸入管腳被施加以所述預定電流時，所述集成電路封裝缺陷品的內(nèi)置二極體輸入管腳處在所述第一時間的端電壓和在所述第二時間的端電壓之間存在斷崖式下降。
7.如權利要求5所述的分層缺陷檢測方法，還包括：
通過在所述集成電路封裝缺陷品的內(nèi)置二極體輸入管腳施加多個不同電流，并在每次施加不同電流時測量所述集成電路封裝缺陷品的內(nèi)置二極體輸入管腳處在多個不同時間的端電壓，確定所述預定電流、所述第一時間、以及所述第二時間。
8.如權利要求7所述的分層缺陷檢測方法，還包括：
在與所述集成電路封裝同批次生產(chǎn)的、不存在所述分層缺陷的集成電路封裝良品的內(nèi)置二極體輸入管腳施加所述預定電流，并測量所述集成電路封裝良品的內(nèi)置二極體輸入管腳處在所述第一時間的端電壓和在所述第二時間的端電壓之間的電壓差值；
在所述集成電路封裝缺陷品的內(nèi)置二極體輸入管腳施加所述預定電流，并測量所述集成電路封裝缺陷品的內(nèi)置二極體輸入管腳處在所述第一時間的端電壓和在所述第二時間的端電壓之間的電壓差值；以及
通過比較所述集成電路封裝良品的內(nèi)置二極體輸入管腳處在所述第一時間的端電壓和在所述第二時間的端電壓之間的電壓差值和所述集成電路封裝缺陷品的內(nèi)置二極體輸入管腳處在所述第一時間的端電壓和在所述第二時間的端電壓之間的電壓差值，確定所述預定閾值。
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