[發明專利]晶片加工方法和晶片加工裝置

在審

• 申請號: 202110060823.3
• 申請日: 2021-01-18
• 公開（公告）號: CN113178415A
• 公開（公告）日: 2021-07-27
• 發明（設計）人: 能丸圭司
• 申請（專利權）人: 株式會社迪思科
• 主分類號: H01L21/78
• 分類號: H01L21/78;B23K26/53
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 喬婉;于靖帥

本發明提供晶片加工方法和晶片加工裝置，不檢測應分割的區域的上表面高度而高效地將晶片分割成各個芯片。將晶片分割成各個芯片的晶片加工方法包含如下工序：熱應力波生成工序，從卡盤工作臺所保持的晶片的上表面向應分割的區域照射對于晶片具有吸收性的波長的脈沖激光光線而生成熱應力波，使熱應力波在應分割的區域的內部傳播；和破碎層形成工序，按照在熱應力波生成工序中生成的熱應力波以與晶片的材質對應的音速在內部傳播而到達應生成分割起點的深度位置的時間從晶片的上表面照射對于晶片具有透過性的波長的激光光線，在因熱應力波的拉伸應力使帶隙變窄的區域中產生具有透過性的波長的脈沖激光光線的吸收，從而形成作為分割起點的破碎層。

技術領域

本發明涉及將晶片分割成各個芯片的晶片加工方法以及形成將晶片分割成各個芯片的分割起點的晶片加工裝置。

背景技術

由交叉的多條分割預定線劃分而在正面上形成有IC、LSI、LED等多個器件的晶片被激光加工裝置分割成各個器件芯片，分割后的器件芯片用于移動電話、個人計算機等電子設備。

激光加工裝置構成為包含：卡盤工作臺，其對被加工物(晶片)進行保持；激光光線照射單元，其照射對于該卡盤工作臺所保持的被加工物具有吸收性的波長的激光光線；X軸進給機構，其將該卡盤工作臺和該激光光線照射單元沿X軸方向相對地進行加工進給；以及Y軸進給機構，其將該卡盤工作臺和該激光光線照射單元沿與X軸方向垂直的Y軸方向相對地進行加工進給，將聚光點定位于晶片的分割預定線并進行照射來實施燒蝕加工，在分割預定線上形成分割槽而分割成各個器件芯片(例如參照專利文獻1)。

另外，激光加工裝置構成為包含：卡盤工作臺，其對被加工物(晶片)進行保持；激光光線照射單元，其照射對于該卡盤工作臺所保持的被加工物具有透過性的波長的激光光線；X軸進給機構，其將該卡盤工作臺和該激光光線照射單元沿X軸方向相對地進行加工進給；以及Y軸進給機構，其將該卡盤工作臺和該激光光線照射單元沿與X軸方向垂直的Y軸方向相對地進行加工進給，將激光光線的聚光點定位于晶片的分割預定線的內部并進行照射，在分割預定線的內部形成作為分割的起點的改質層，從而分割成各個器件芯片(例如參照專利文獻2)。

專利文獻1：日本特開平10-305420號公報

專利文獻2：日本特開2012-2604號公報

但是，為了將激光光線的聚光點定位于晶片的應分割的區域中的適當的深度，必須預先檢測應分割的區域的上表面高度并進行存儲，存在生產率較差的問題。

發明內容

因此，本發明的目的在于，提供能夠在不檢測應分割的區域的上表面高度的情況下高效地將晶片分割成各個芯片的晶片加工方法和晶片加工裝置。

根據本發明的一個方面，提供一種晶片加工方法，將晶片分割成各個芯片，其中，該晶片加工方法具有如下的工序：保持工序，將晶片保持于卡盤工作臺；熱應力波生成工序，從該卡盤工作臺所保持的該晶片的上表面向應分割的區域照射對于該晶片具有吸收性的波長的脈沖激光光線而生成熱應力波，并使該熱應力波在應分割的區域的內部傳播；破碎層形成工序，按照在該熱應力波生成工序中生成的熱應力波以與該晶片的材質對應的音速在內部傳播而到達應生成分割起點的深度位置的時間，從該晶片的上表面照射對于該晶片具有透過性的波長的脈沖激光光線，在由于該熱應力波的拉伸應力而使帶隙變窄的區域中產生該具有透過性的波長的脈沖激光光線的吸收，從而形成作為分割起點的破碎層；以及分割工序，以該破碎層為分割的起點而將該晶片分割成各個芯片。