[發明專利]晶片加工方法和晶片加工裝置

在審

• 申請號: 202110060823.3
• 申請日: 2021-01-18
• 公開（公告）號: CN113178415A
• 公開（公告）日: 2021-07-27
• 發明（設計）人: 能丸圭司
• 申請（專利權）人: 株式會社迪思科
• 主分類號: H01L21/78
• 分類號: H01L21/78;B23K26/53
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 喬婉;于靖帥

1.一種晶片加工方法，將晶片分割成各個芯片，其中，

該晶片加工方法具有如下的工序：

保持工序，將晶片保持于卡盤工作臺；

熱應力波生成工序，從該卡盤工作臺所保持的該晶片的上表面向應分割的區域照射對于該晶片具有吸收性的波長的脈沖激光光線而生成熱應力波，并使該熱應力波在應分割的區域的內部傳播；

破碎層形成工序，按照在該熱應力波生成工序中生成的熱應力波以與該晶片的材質對應的音速在內部傳播而到達應生成分割起點的深度位置的時間，從該晶片的上表面照射對于該晶片具有透過性的波長的脈沖激光光線，在由于該熱應力波的拉伸應力而使帶隙變窄的區域中產生該具有透過性的波長的脈沖激光光線的吸收，從而形成作為分割起點的破碎層；以及

分割工序，以該破碎層為分割的起點而將該晶片分割成各個芯片。

2.一種晶片加工裝置，其形成將晶片分割成各個芯片的分割起點，其中，

該晶片加工裝置具有：

卡盤工作臺，其對晶片進行保持；

熱應力波生成單元，其從該卡盤工作臺所保持的該晶片的上表面向應分割的區域照射對于該晶片具有吸收性的波長的脈沖激光光線而生成熱應力波，并使該熱應力波在應分割的區域的內部傳播；以及

破碎層形成單元，其按照由該熱應力波生成單元生成的熱應力波以與該晶片的材質對應的音速在應分割的區域的內部傳播而到達應生成分割起點的深度位置的時間，從該晶片的上表面照射對于該晶片具有透過性的波長的脈沖激光光線，在由于該熱應力波的拉伸應力而使帶隙變窄的區域中產生該具有透過性的波長的脈沖激光光線的吸收，從而形成作為分割起點的破碎層。