[發明專利]存儲器件以及形成存儲器件的方法有效
| 申請號： | 202110060602.6 | 申請日： | 2020-03-16 |
| 公開（公告）號： | CN112885838B | 公開（公告）日： | 2023-02-03 |
| 發明（設計）人： | 王啟光;付婕妃 | 申請（專利權）人： | 長江存儲科技有限責任公司 |
| 主分類號： | H10B43/35 | 分類號： | H10B43/35;H10B43/27 |
| 代理公司： | 北京永新同創知識產權代理有限公司 11376 | 代理人： | 張殿慧;劉健 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 存儲 器件 以及 形成 方法 | ||
1.一種存儲器件，包括：
基礎襯底；
在所述基礎襯底之上交替地堆疊以形成堆疊結構的多個層間電介質層和多個柵極結構；
沿所述堆疊結構的側壁形成的隧穿層；
沿所述堆疊結構的所述側壁形成于所述隧穿層上的溝道層；
在垂直于所述隧穿層的方向上形成于所述隧穿層與所述多個柵極結構之間并且形成于鄰近層間電介質層之間的電荷捕獲層；以及
形成于所述隧穿層上、包覆所述電荷捕獲層并且處于鄰近層間電介質層之間的阻擋層，其中：
所述阻擋層將所述電荷捕獲層與所述多個柵極結構隔開，
所述電荷捕獲層的側表面與所述隧穿層接觸，并且
每個柵極結構的一部分與所述隧穿層直接接觸。
2.根據權利要求1所述的器件，其中：
所述多個柵極結構中的每個柵極結構包括順次形成于對應的層間電介質層之間的高k電介質層、功函數層和金屬柵極層。
3.根據權利要求1所述的器件，其中：
所述多個層間電介質層中的鄰近層間電介質層之間的距離處于20nm到40nm的范圍內。
4.根據權利要求1所述的器件，其中：
所述多個層間電介質層由氧化硅組成。
5.根據權利要求1所述的器件，其中：
所述電荷捕獲層由包括氮化硅、氮氧化硅或高k電介質材料中的至少一者的材料組成；以及
所述電荷捕獲層在垂直于所述隧穿層的所述方向上的尺寸處于18nm到40nm的范圍內。
6.根據權利要求1所述的器件，其中：
每個柵極結構的與所述隧穿層直接接觸并且將所述阻擋層與所述鄰近層間電介質層隔開的所述部分的厚度處于3nm到5nm的范圍內。
7.根據權利要求1所述的器件，其中：
所述隧穿層由包括氧化硅、氮氧化硅或高k電介質材料中的至少一者的材料組成；以及
所述隧穿層的厚度處于1nm到10nm的范圍內。
8.根據權利要求1所述的器件，其中：
所述阻擋層的厚度處于2nm到10nm的范圍內。
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