[發(fā)明專利]一種高增益高功耗效率的套筒式OTA在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110060264.6 | 申請日： | 2021-01-18 |
| 公開（公告）號： | CN112865732A | 公開（公告）日： | 2021-05-28 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 白春風;邵子健 | 申請（專利權(quán)）人： | 蘇州大學(xué) |
| 主分類號： | H03F3/45 | 分類號： | H03F3/45;H03F1/30 |
| 代理公司： | 蘇州翔遠專利代理事務(wù)所(普通合伙) 32251 | 代理人： | 陸金星 |
| 地址： | 215000 *** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 增益 功耗 效率 套筒 ota | ||
1.一種高增益高功耗效率的套筒式OTA，其特征在于：包括套筒式OTA電路、以及連接在套筒式OTA電路一側(cè)的第一輔助放大器A1和第二輔助放大器A2；
所述套筒式OTA電路包括第一PMOS管P1、第二PMOS管P2、第一NMOS管N1、第二NMOS管N2、第三NMOS管N3和第四NMOS管N4，所述第一PMOS管P1的源極經(jīng)第二偏置電流源IB2連接到電壓源VDD，所述第一PMOS管P1的柵極經(jīng)第二偏置電壓源VB2連接到第二PMOS管P2的柵極，所述第一PMOS管P1的漏極連接到第三NMOS管N3的漏極并作為套筒式OTA電路的反相輸出端，所述第三NMOS管N3的柵極連接到第一輔助放大器A1的輸出端，所述第三NMOS管N3的源極分別連接到第一輔助放大器A1的輸入端和第一NMOS管N1的漏極，所述第一NMOS管N1的柵極作為套筒式OTA電路的同相輸入端，所述第一NMOS管N1的源極經(jīng)第一偏置電流源IB1接地，所述第二PMOS管P2的源極經(jīng)第三偏置電流源IB3連接到電壓源VDD，所述第二PMOS管P2的漏極連接到第四NMOS管N4的漏極并作為套筒式OTA電路的同相輸出端，所述第四NMOS管N4的柵極連接到第二輔助放大器A2的輸出端，所述第四NMOS管N4的源極分別連接到第二輔助放大器A2的輸入端和第二NMOS管N2的漏極，所述第二NMOS管N2的柵極作為套筒式OTA電路的反相輸入端，所述第二NMOS管N2的源極經(jīng)第一偏置電流源IB1接地。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高增益高功耗效率的套筒式OTA，其特征在于：所述第一輔助放大器A1包括第一輔助PMOS管P1A、第二輔助PMOS管P2A、第一輔助NMOS管N1A和第二輔助NMOS管N2A，所述第一輔助PMOS管P1A的源極連接到電壓源VDD，所述第一輔助PMOS管P1A的柵極連接到第一偏置電壓源VB1，所述第一輔助PMOS管P1A的的漏極連接到第二輔助PMOS管P2A的源極，所述第二輔助PMOS管P2A柵極連接到第二偏置電壓源VB2，所述第二輔助PMOS管P2A的漏極連接到第一輔助NMOS管N1A的漏極并作為第一輔助放大器A1的輸出端，所述第一輔助NMOS管N1A的柵極連接到第三偏置電壓源VB3，所述第一輔助NMOS管N1A的源極連接到第二輔助NMOS管N2A的漏極，所述第二輔助NMOS管N2A的柵極作為第一輔助放大器A1的輸入端，所述第二輔助NMOS管N2A的源極接地。
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