[發(fā)明專利]一種網(wǎng)狀釤鈷納米線的制備方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110059550.0 | 申請日： | 2021-01-18 |
| 公開（公告）號： | CN112663096A | 公開（公告）日： | 2021-04-16 |
| 發(fā)明（設計）人： | 黃霞妮;楊杭福;吳瓊;葛洪良 | 申請（專利權(quán)）人： | 湯春妹 |
| 主分類號： | C25D1/00 | 分類號： | C25D1/00;C25D1/10;C23C14/30;C23C14/20;C22C19/07;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 317208 浙江省*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 網(wǎng)狀 納米 制備 方法 | ||
1.一種網(wǎng)狀釤鈷納米線的制備方法，其特征在于包括如下步驟：
1）網(wǎng)狀PC通道模板制作：利用高能重離子束輻照在聚碳酸酯薄膜（PC）表面，輻照過程中，以重離子束為法線，先調(diào)節(jié)聚碳酸酯薄膜的角度，使聚碳酸酯薄膜與重離子束的輻射角度為α，再旋轉(zhuǎn)聚碳酸酯薄膜，使碳酸酯薄膜與重離子束的輻射角度為-α，聚碳酸酯膜經(jīng)過兩次重離子束輻照后，在內(nèi)部形成網(wǎng)狀的納米通道網(wǎng)絡，將聚碳酸酯薄膜放入Na(OH)溶液中，通過化學刻蝕法，將納米通道網(wǎng)絡的孔擴大，形成具有3D網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的PC通道模板，最后使用電子蒸鍍法，在聚碳酸酯薄膜表面鍍一層Au/Pt薄膜；
2）化學電沉積：配制一定濃度的Sm2(SO4)3和CoSO4混合溶液作為化學電沉積溶液，以硼酸、檸檬酸和檸檬酸鈉的一種或多種，作為絡合劑，其中化學電沉積溶液中含一定的摻雜離子溶液，將步驟1得到的網(wǎng)狀PC通道模板放入電沉積液中，利用電化學工作站，以模板上的Au/Pt薄膜作為陰極，Ag/AgCl作為參比電極以及Pt作為對電極，沉積電位為-2V~-2.5V，在聚碳酸酯薄膜中沉積得到網(wǎng)狀SmCo納米線；
3）模板移除：將步驟2中得到的含網(wǎng)狀SmCo納米線的聚碳酸酯薄膜，放入二氯甲烷溶液中，聚碳酸酯薄膜溶解后得到網(wǎng)狀SmCo納米線；
4）時效處理：將步驟3中得到的網(wǎng)狀SmCo納米線在600~850 oC氮氣保護下時效處理2h~4h，隨爐冷卻至室溫。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的網(wǎng)狀釤鈷納米線的制備方法，其特征在于：使用的高能重離子束能量為5MeV~10MeV，輻照區(qū)域的直徑為2cm, 頻率為1Hz~2Hz； 所述的聚碳酸酯薄膜的厚度為20 μm ~100 μm；所述的碳酸酯薄膜與重離子束的輻射角度α為20o~45o,開孔后獲得的網(wǎng)狀納米通道直徑為50nm~200nm；所述的聚碳酸酯薄膜鍍表面Au/Pt薄膜的厚度為500nm~1μm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的網(wǎng)狀釤鈷納米線的制備方法，所述的Sm2(SO4)3與CoSO4混合溶液中，Sm:Co的原子比為1：5~8.5；所述的摻雜離子溶液為CuSO4, FeSO4以及NiSO4溶液的一種或多種；所述的二氯甲烷溶液的濃度為0.5 molL-1~2 molL-1。
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