[發明專利]半導體的外延片的制備方法及其應用

在審

• 申請號: 202110057873.6
• 申請日: 2021-01-15
• 公開（公告）號: CN112885710A
• 公開（公告）日: 2021-06-01
• 發明（設計）人: 林大野;蔡欽銘;王治中
• 申請（專利權）人: 廣州愛思威科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L23/373
• 代理公司: 深圳市世紀恒程知識產權代理事務所 44287
• 代理人: 關向蘭

1.一種半導體的外延片的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

在襯底上沉積散熱層，并在所述散熱層上沉積外延層，得到所述半導體的外延片；或者，

在襯底上沉積第一功能層，在所述第一功能層上沉積散熱層，在所述散熱層上沉積第二功能層，所述第一功能層和第二功能層構成外延層，得到所述半導體的外延片。

2.如權利要求1所述的半導體的外延片的制備方法，其特征在于，所述散熱層的材質包括碳化硅。

3.如權利要求2所述的半導體的外延片的制備方法，其特征在于，所述散熱層采用化學氣相沉積法沉積。

4.如權利要求3所述的半導體的外延片的制備方法，其特征在于，所述化學氣相沉積法的沉積溫度為100～500℃；和/或，

所述化學氣相沉積法通入的氣體為SiH₄和C₃H₈的混合氣。

5.如權利要求1所述的半導體的外延片的制備方法，其特征在于，所述散熱層的厚度為1×10^-8～6×10^-8m。

6.如權利要求1所述的半導體的外延片的制備方法，其特征在于，所述在襯底上沉積散熱層，并在所述散熱層上沉積外延層，得到所述半導體的外延片的步驟具體包括：

在襯底上沉積形成散熱層；

在所述散熱層上沉積形成緩沖層；

在所述緩沖層上沉積形成外延層，得到所述半導體的外延片。

7.如權利要求1所述的半導體的外延片的制備方法，其特征在于，所述在襯底上沉積第一功能層，在所述第一功能層上沉積散熱層，在所述散熱層上沉積第二功能層，得到所述半導體的外延片的步驟具體包括：

在襯底上沉積形成緩沖層；

在所述緩沖層上沉積形成第一功能層；

在所述第一功能層上沉積形成散熱層；

在所述散熱層上沉積形成第二功能層，所述第一功能層和第二功能層構成外延層，得到所述半導體的外延片。

8.一種半導體的外延片，其特征在于，包括：

襯底；

外延層，設于所述襯底上，所述外延層包括朝著遠離所述襯底的方向依次疊設的第一功能層和第二功能層；以及，

散熱層，所述散熱層設于所述襯底和所述外延層之間，或者，所述散熱層設于所述第一功能層和所述第二功能層之間。

9.一種半導體器件，其特征在于，包括如權利要求8所述的半導體的外延片。

10.如權利要求9所述的半導體器件，其特征在于，所述半導體器件為異質結雙極晶體管、絕緣柵雙極型晶體管、發光二極管、鐳射二極管、集成電路芯片、個人計算機或高溫高壓電子元件。