[發明專利]工件把持器、晶片卡盤以及制造半導體封裝的方法在審
| 申請號: | 202110056762.3 | 申請日: | 2021-01-15 |
| 公開(公告)號: | CN113140497A | 公開(公告)日: | 2021-07-20 |
| 發明(設計)人: | 翁正軒;曹智強;邱肇瑋;裴浩然;陳威宇;林修任;謝靜華;鄭佳申 | 申請(專利權)人: | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/683 | 分類號: | H01L21/683;H01L21/50;H01L21/56 |
| 代理公司: | 南京正聯知識產權代理有限公司 32243 | 代理人: | 顧伯興 |
| 地址: | 中國臺灣新竹科*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 工件 把持 晶片 卡盤 以及 制造 半導體 封裝 方法 | ||
一種工件把持器包括卡盤本體及密封環。卡盤本體包括被配置成接納工件的接納表面及被配置成施加真空密封的至少一個真空端口。密封環環繞卡盤本體的側表面。密封環的頂表面高于卡盤本體的接納表面,且當在工件與卡盤本體之間施加真空密封時,工件抵靠密封環。
技術領域
本發明實施例涉及一種工件把持器、晶片卡盤以及制造半導體封裝的方法。
背景技術
較大的晶片容納更多的芯片且可降低每一芯片的成本。因此,現今在半導體制造工藝中普遍使用具有大的大小的晶片。盡管可使用具有大的大小的晶片來降低制造成本,然而較大的晶片會引入先前在較小的晶片中所未考慮到的新問題。一個關鍵問題是對于較大的晶片,晶片翹曲(wafer warpage)變得更為嚴重。
晶片翹曲造成許多非期望的制造缺陷。舉例來說,晶片上的旋涂層(spun-onlayer)在中心處所具有的厚度可能大于在外邊緣處所具有的厚度。在刻蝕工藝(etchingprocess)中,從晶片中心到邊緣出現臨界尺寸(critical dimension,CD)均勻性的問題至少部分源自于對晶片翹曲的不完美吸附(chucking)。此外,在光致光刻工藝(photolithographic process)中,光刻膠(photoresist,PR)層從晶片中心到外邊緣的厚度均勻性是關鍵。在曝光期間,由晶片翹曲所引發的焦點漂移(focus drift)對于CD均勻性來說可能會造成毀滅性的影響。此外,已經觀察到翹曲晶片中的殘余應力導致晶片中的裂紋(crack)。
發明內容
本發明實施例是針對一種工件把持器、晶片卡盤以及制造半導體封裝的方法,其可對翹曲的工件提供足夠的支撐及真空力,且可提高后續要對工件執行的工藝的良率。
根據本公開的一些實施例,一種工件把持器包括卡盤本體、密封環以及支撐件。卡盤本體包括被配置成接納工件的接納表面及被配置成施加真空密封的至少一個真空端口。密封環環繞卡盤本體的最外側表面。密封環的頂表面高于卡盤本體的接納表面,且當在工件與卡盤本體之間施加真空密封時,工件抵靠密封環。支撐件設置在所述最外側表面處且包括凹槽,其中所述密封環的至少一部分設置在所述凹槽內。
根據本公開的一些實施例,一種晶片卡盤包括卡盤本體及密封環。卡盤本體包括被配置成接納晶片的接納表面。密封環設置在卡盤本體的最外側表面上且環繞卡盤本體的周圍,其中密封環的頂表面高于卡盤本體的接納表面,且從頂視圖看,所述密封環與所述晶片的外邊緣分離。
根據本公開的一些實施例,一種晶片把持方法包括以下步驟。在襯底上提供半導體器件。在所述襯底之上提供包封材料,以至少在側向上包封所述半導體器件且形成重構晶片。將所述重構晶片貼合到膠帶載體。從所述重構晶片脫離所述襯底。將所述重構晶片連同所述膠帶載體提供至晶片卡盤上,其中所述晶片卡盤包括卡盤本體及環繞所述卡盤本體的周圍的密封環,且所述密封環的頂表面高于所述卡盤本體的接納表面。將所述膠帶載體固定在所述卡盤本體外部,其中所述膠帶載體抵靠所述密封環,且在所述卡盤本體、所述膠帶載體及所述密封環之間形成有封閉空間。通過從所述封閉空間抽空氣體以將所述重構晶片的周圍拉向所述卡盤本體來形成真空密封。在所述晶片卡盤上處理所述重構晶片。
附圖說明
結合附圖閱讀以下詳細說明,會最好地理解本公開的各個方面。應注意,根據本行業中的標準慣例,各種特征并非按比例繪制。事實上,為論述清晰起見,可任意增大或減小各種特征的尺寸。
圖1示出根據本公開一些示例性實施例的工件把持器的剖視圖。
圖2至圖8示出根據本公開一些示例性實施例的半導體封裝制造中的中間階段的剖視圖。
圖9示出根據本公開一些示例性實施例的工件把持器的俯視圖。
圖10示出根據本公開一些示例性實施例的工件把持器的透視圖。
圖11A及圖11B示出根據本公開一些示例性實施例的密封環的剖視圖。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于臺灣積體電路制造股份有限公司,未經臺灣積體電路制造股份有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202110056762.3/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





