[發明專利]氣體傳輸設備的檢測方法、檢測裝置與氣體傳輸設備有效
| 申請號: | 202110055353.1 | 申請日: | 2021-01-15 |
| 公開(公告)號: | CN112899663B | 公開(公告)日: | 2022-12-02 |
| 發明(設計)人: | 顧瑤 | 申請(專利權)人: | 長鑫存儲技術有限公司 |
| 主分類號: | C23C16/52 | 分類號: | C23C16/52;C23C16/455;G01M3/28 |
| 代理公司: | 北京律智知識產權代理有限公司 11438 | 代理人: | 孫寶海;袁禮君 |
| 地址: | 230601 安徽省合肥市*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 氣體 傳輸 設備 檢測 方法 裝置 | ||
本公開提供一種氣體傳輸設備的檢測方法、檢測裝置與氣體傳輸設備。檢測方法包括:控制機臺流量控制裝置的進氣口連接第一進氣管道,并控制所述進氣口的進氣閥門開啟以及所述機臺流量控制裝置的輸氣閥門關閉;控制所述機臺流量控制裝置的抽氣閥門開啟,在第一氣體經過所述機臺流量控制裝置中的質量流量控制器的流量達到預設目標值后,控制所述抽氣閥門關閉;獲取所述第一氣體在第一預設時長內經過所述質量流量控制器的第一流量最小值;根據所述第一流量最小值確定所述機臺流量控制裝置的閥門泄漏檢測結果、進氣管道堵塞檢測結果、質量流量控制器安裝方向檢測結果。本公開實施例可以通過一次檢測得到氣體傳輸設備的三種檢測結果。
技術領域
本公開涉及半導體制造技術領域,具體而言,涉及一種氣體傳輸設備的檢測方法、檢測裝置與氣體傳輸設備。
背景技術
在半導體存儲器件制造過程中,需要頻繁應用薄膜沉積技術。薄膜沉積技術通常包括PVD(Physical Vapor Deposition,物理氣相沉積)、CVD(Chemical VaporDeposition,化學氣相沉積)。化學氣相沉積工藝中,廠務提供制程反應所需要的特殊氣體鋼瓶,使氣體鋼瓶中的氣體通過氣柜(Gas Cabinet)及管路流向質量流量控制器(MassFlow Controller,MFC),再到分配盤(showerhead)進入反應腔體參與反應進行薄膜沉積。
質量流量控制器(Mass Flow Controller,MFC)是薄膜沉積技術的氣體傳輸設備中重要的一部分,它不僅具有精確測量氣體流量的功能,還能根據用戶的設定控制氣體的流量。在工藝生產中,通常會打開進氣閥門使反應氣體進入MFC,并打開出氣閥門使反應氣體從MFC流向反應腔室。在此過程中,進氣管道堵塞、閥門漏氣、MFC安裝異常等均會造成通入反應腔室的氣體量不符合預期,進而導致薄膜沉積厚度異常甚至產品報廢。進氣管道堵塞或者閥門漏氣均會導致通入反應腔室的反應氣體量小于預期,MFC的安裝方向錯誤會導致MFC的流量檢測機制失準,進而造成MFC的流量控制產生偏差,影響通入反應腔室的反應氣體量。
相關技術中,設備工程師通常定期停機對分別對閥門、進氣管道、穩壓器等更換零部件進行測試,成本巨大;而且,只能通過設置提示信息來提示用戶對MFC進行正確安裝,如果安裝錯誤,且未能及時提示安裝錯誤信息,通常只有在后續制程甚至產生良率或可靠性低下甚至報廢的成品后才會發現,損失巨大。
需要說明的是,在上述背景技術部分公開的信息僅用于加強對本公開的背景的理解,因此可以包括不構成對本領域普通技術人員已知的現有技術的信息。
發明內容
本公開的目的在于提供一種檢測方法與檢測裝置,用于至少在一定程度上克服由于相關技術的限制和缺陷而導致的半導體制造工藝中氣體傳輸設備的檢測項目繁瑣、檢測成本高的問題。
根據本公開實施例的第一方面,提供一種氣體傳輸設備的檢測方法,包括:控制機臺流量控制裝置的進氣口連接第一進氣管道,并控制所述進氣口的進氣閥門開啟以及所述機臺流量控制裝置的輸氣閥門關閉;控制所述機臺流量控制裝置的抽氣閥門開啟,在第一氣體經過所述機臺流量控制裝置中的質量流量控制器的流量達到預設目標值后,控制所述抽氣閥門關閉;獲取所述第一氣體在第一預設時長內經過所述質量流量控制器的第一流量最小值;根據所述第一流量最小值確定所述機臺流量控制裝置的閥門泄漏檢測結果、進氣管道堵塞檢測結果、質量流量控制器安裝方向檢測結果。
在本公開的一種示例性實施例中,所述根據所述第一流量最小值確定所述機臺流量控制裝置的閥門泄漏檢測結果、進氣管道堵塞檢測結果、質量流量控制器安裝方向檢測結果包括:在所述第一流量最小值小于預設最小值時,輸出質量流量控制器安裝方向錯誤提示信息。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





