[發明專利]PCB板表面缺陷檢測裝置及方法

有效

• 申請號: 202110055145.1
• 申請日: 2021-01-15
• 公開（公告）號: CN112819756B
• 公開（公告）日: 2023-07-11
• 發明（設計）人: 范洪輝;吳濤;周紅燕;陳林凱
• 申請（專利權）人: 江蘇理工學院
• 主分類號: G06T7/00
• 分類號: G06T7/00;G06V10/762;G06V10/82;G06N3/0464;G06N3/08
• 代理公司: 常州佰業騰飛專利代理事務所(普通合伙) 32231
• 代理人: 顧翰林

1.一種PCB板表面缺陷檢測裝置，其特征在于，包括：

圖片采集模塊，用于采集待檢測PCB板圖片；

表面缺陷檢測模塊，用于將所述圖片采集模塊獲取的PCB板圖片送入預訓練的表面缺陷檢測模型，對所述PCB板中可能存在的表面缺陷進行檢測；所述表面缺陷檢測模型為改進的YOLOv3網絡結構，所述YOLOv3網絡結構中主干網絡為改進后的EfficientNet網絡，所述EfficientNet網絡中包括多個用于提取特征的MBConvBlock結構，在每個所述MBConvBlock結構中：采用1×1的卷積對輸入的數據增加維度之后，進一步對其進行N×N的卷積操作，并利用注意力機制為每個通道添加相應的權值實現特征提取，最后利用1×1的卷積進行維度降低操作并添加相應的殘差邊；

所述表面缺陷檢測模型中包括依次連接的Steam結構、第一MBConvBlock結構、第二MBConvBlock結構、第三MBConvBlock結構、第四MBConvBlock結構、第五MBConvBlock結構、第六MBConvBlock結構及第七MBConvBlock結構；

還包括：

依次連接的第一特征融合層、第一卷積結構、3×3的第一卷積層及1×1的第五卷積層，其中，第一特征融合層的輸入與第二MBConvBlock結構的輸出連接；依次連接的第二特征融合層、第二卷積結構、3×3的第二卷積層及1×1的第六卷積層，其中，第二特征融合層的輸入與第三MBConvBlock結構的輸出連接；依次連接的第三特征融合層、第三卷積結構、3×3的第三卷積層及1×1的第七卷積層，其中，第三特征融合層的輸入與第五MBConvBlock結構的輸出連接；依次連接的第四卷積結構、3×3的第四卷積層及1×1的第八卷積層，其中，第四卷積結構的輸入與第七MBConvBlock結構的輸出連接；或，依次連接的第一特征融合層、第一卷積結構、3×3的第一Inception結構及1×1的第五卷積層，其中，第一特征融合層的輸入與第二MBConvBlock結構的輸出連接；依次連接的第二特征融合層、第二卷積結構、3×3的第二Inception結構及1×1的第六卷積層，其中，第二特征融合層的輸入與第三MBConvBlock結構的輸出連接；依次連接的第三特征融合層、第三卷積結構、3×3的第三Inception結構及1×1的第七卷積層，其中，第三特征融合層的輸入與第五MBConvBlock結構的輸出連接；依次連接的SPP結構、第四卷積結構、3×3的第四Inception結構及1×1的第八卷積層，其中，SPP結構的輸入與第七MBConvBlock結構的輸出連接；

還包括：

第一卷積及上采樣層，輸入與第四卷積結構的輸出連接，輸出與第三特征融合層的輸入連接；

第二卷積及上采樣層，輸入與第三卷積結構的輸出連接，輸出與第二特征融合層的輸入連接；及

第三卷積及上采樣層，輸入與第二卷積結構的輸出連接，輸出與第一特征融合層的輸入連接。

2.如權利要求1所述的PCB板表面缺陷檢測裝置，其特征在于，所述MBConvBlock結構包括依次連接的：1×1的第一卷積層、第一批歸一化層、第一Swish激活函數層、3×3的第一深度可分離卷積層和5×5的第二深度可分離卷積層、第二批歸一化層、第二Swish激活函數層、全局平均池化層、1×1的第二卷積層、第三Swish激活函數層、1×1的第三卷積層、sigmod激活函數層、1×1的第四卷積層及第三批歸一化層，其中，1×1的第一卷積層的輸入作為MBConvBlock結構的輸入，第三批歸一化層的輸出作為MBConvBlock結構的輸出，3×3的第一深度可分離卷積層和5×5的第二深度可分離卷積層分別與第一Swish激活函數層的輸出連接，1×1的第四卷積層的輸入分別與第二Swish激活函數層和sigmod激活函數層的輸出連接，且1×1的第一卷積層的輸入與第三批歸一化層的輸出連接。