[發明專利]等離子體觀測系統和等離子體觀測方法在審
| 申請號: | 202110054765.3 | 申請日: | 2021-01-15 |
| 公開(公告)號: | CN113161252A | 公開(公告)日: | 2021-07-23 |
| 發明(設計)人: | 山崎良二;宮下大幸;佐藤幹夫 | 申請(專利權)人: | 東京毅力科創株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66;H01L21/3065;H01J37/32 |
| 代理公司: | 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 劉新宇 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 等離子體 觀測 系統 方法 | ||
本發明提供一種等離子體觀測系統和等離子體觀測方法,用于進行處理容器內的等離子體的觀測地點的確定和觀測地點的等離子體的狀態的判定。所述等離子體觀測系統具有:等離子體處理裝置,在該等離子體處理裝置的處理容器內通過等離子體對基板進行處理;以及測定裝置,其測定所述等離子體,其中,所述等離子體處理裝置具有多個觀測窗,所述多個觀測窗能夠觀測所述處理容器中等離子體的發光狀態,所述測定裝置具有:受光器,其從多個觀測窗接受在所述處理容器內交叉的多個光;以及控制部,其基于接受到的多個光來進行等離子體的觀測地點的確定和所述觀測地點的等離子體的狀態判定。
技術領域
本公開涉及一種等離子體觀測系統和等離子體觀測方法。
背景技術
例如,專利文獻1提出一種能夠穩定且準確地檢測等離子體處理的終點的等離子體處理的終點檢測方法和終點檢測裝置。
另外,例如在專利文獻2中,檢測在對基板進行處理的過程中等離子體發出的規定波長的光,以規定的周期從檢測出的規定波長的光的發光信號之中提取根據利用等離子體進行的處理的進展發生變化的信號成分。基于提取出的該信號成分的強度變化來檢測利用等離子體進行的處理的終點,基于檢測出的該利用等離子體進行的處理的終點來結束對基板的處理。
專利文獻1:日本特開2001-250812號公報
專利文獻2:日本特開平11-288921號公報
發明內容
本公開提供一種能夠進行處理容器內的等離子體的觀測地點的確定和觀測地點的等離子體的狀態的判定的技術。
根據本公開的一個方式,提供一種等離子體觀測系統,具有:等離子體處理裝置,在該等離子體處理裝置的處理容器內通過等離子體對基板進行處理;以及測定裝置,其測定所述等離子體,其中,所述等離子體處理裝置具有多個觀測窗,所述多個觀測窗能夠觀測所述處理容器中等離子體的發光狀態,所述測定裝置具有:受光器,其從多個觀測窗接受在所述處理容器內交叉的多個光;以及控制部,其基于接受到的多個光來進行等離子體的觀測地點的確定和所述觀測地點的等離子體的狀態判定。
根據一個方面,能夠進行處理容器內的等離子體的觀測地點的確定和觀測地點的等離子體的狀態的判定。
附圖說明
圖1是表示實施方式所涉及的等離子體觀測系統的圖。
圖2是表示實施方式所涉及的受光器的截面圖。
圖3是表示第一實施方式所涉及的等離子體觀測方法的一例的圖。
圖4是表示第二實施方式所涉及的等離子體觀測方法的一例的圖。
圖5是表示實施方式所涉及的清潔處理的流程圖。
圖6是表示等離子體觀測結果的一例的圖。
圖7是表示第三實施方式所涉及的等離子體觀測方法的一例的圖。
圖8是表示第四實施方式所涉及的等離子體觀測方法的一例的圖。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





