[發(fā)明專利]等離子體觀測系統(tǒng)和等離子體觀測方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110054765.3 | 申請日: | 2021-01-15 |
| 公開(公告)號: | CN113161252A | 公開(公告)日: | 2021-07-23 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 山崎良二;宮下大幸;佐藤幹夫 | 申請(專利權(quán))人: | 東京毅力科創(chuàng)株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66;H01L21/3065;H01J37/32 |
| 代理公司: | 北京林達劉知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 劉新宇 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 等離子體 觀測 系統(tǒng) 方法 | ||
1.一種等離子體觀測系統(tǒng),具有:等離子體處理裝置,在該等離子體處理裝置的處理容器內(nèi)通過等離子體來對基板進行處理;以及測定裝置,其測定所述等離子體,其中,
所述等離子體處理裝置具有多個觀測窗,所述多個觀測窗能夠觀測所述處理容器中等離子體的發(fā)光狀態(tài),
所述測定裝置具有:
受光器,其從多個觀測窗接受在所述處理容器內(nèi)交叉的多個光;以及
控制部,其基于接受到的多個光來進行等離子體的觀測地點的確定和所述觀測地點的等離子體的狀態(tài)判定。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體觀測系統(tǒng),其特征在于,
所述等離子體處理裝置具有多個等離子體源,所述多個等離子體源向所述處理容器內(nèi)投入期望的功率。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的等離子體觀測系統(tǒng),其特征在于,
所述受光器具有使接受到的所述光通過的定向針孔。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中的任一項所述的等離子體觀測系統(tǒng),其特征在于,
所述受光器被多個所述觀測窗所共享。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的等離子體觀測系統(tǒng),其特征在于,
所述受光器被設(shè)置于水平方向上的多個所述觀測窗所共享。
6.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的等離子體觀測系統(tǒng),其特征在于,
所述受光器被設(shè)置于垂直方向上的多個所述觀測窗所共享。
7.根據(jù)權(quán)利要求4至6中的任一項所述的等離子體觀測系統(tǒng),其特征在于,具有:
多個旋轉(zhuǎn)鏡,所述多個旋轉(zhuǎn)鏡針對多個所述觀測窗一對一地設(shè)置,并且通過旋轉(zhuǎn)來使經(jīng)由多個所述觀測窗的各所述觀測窗入射的光在不同的定時朝向所述受光器反射,
所述受光器在不同的定時接受從多個所述旋轉(zhuǎn)鏡反射的光。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至7中的任一項所述的等離子體觀測系統(tǒng),其特征在于,具有:
斬光器,其將經(jīng)由所述觀測窗入射的光分離成不同方向的光,
所述受光器接受通過所述斬光器而被分離出的不同頻率的光。
9.根據(jù)權(quán)利要求1至8中的任一項所述的等離子體觀測系統(tǒng),其特征在于,
在所述等離子體的狀態(tài)判定中,判定接受到的所述光的交叉點的等離子體的發(fā)光強度。
10.一種等離子體觀測方法,用于觀測等離子體處理裝置內(nèi)的等離子體,所述等離子體觀測方法包括以下工序:
從設(shè)置于處理容器的、能夠觀測等離子體的發(fā)光狀態(tài)的多個觀測窗接受在所述處理容器內(nèi)交叉的多個光;以及
基于接受到的多個光來進行等離子體的觀測地點的確定和所述觀測地點的等離子體的狀態(tài)判定。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的等離子體觀測方法,其特征在于,還包括以下工序:
基于所述觀測地點的所述等離子體的狀態(tài)判定的結(jié)果,來改變所述處理容器內(nèi)的等離子體的狀態(tài)。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的等離子體觀測方法,其特征在于,
在改變所述等離子體的狀態(tài)的工序中,控制所述處理容器內(nèi)的壓力。
13.根據(jù)權(quán)利要求11或12所述的等離子體觀測方法,其特征在于,
在改變所述等離子體的狀態(tài)的工序中,針對每個所述等離子體源控制從多個等離子體源的各等離子體源投入至所述處理容器內(nèi)的微波功率。
14.根據(jù)權(quán)利要求11至13中的任一項所述的等離子體觀測方法,其特征在于,
在改變所述等離子體的狀態(tài)的工序中,控制向所述處理容器內(nèi)供給的氣體的流量。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





