[發明專利]形成半導體器件及電路的方法

在審

• 申請號: 202110053998.1
• 申請日: 2021-01-15
• 公開（公告）號: CN113377151A
• 公開（公告）日: 2021-09-10
• 發明（設計）人: M·波澤姆尼
• 申請（專利權）人: 半導體組件工業公司
• 主分類號: G05F3/26
• 分類號: G05F3/26
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 章蕾

本申請涉及形成半導體器件及電路的方法。在一個實施方案中，放大器電路可被配置有輸出晶體管，該輸出晶體管在輸出處形成輸出電流和輸出電壓。該放大器電路還可包括參考電路，該參考電路可被配置為形成與輸出電流基本上成比例的參考電流。參考電路的實施方案還可被配置為控制晶體管以響應于參考電流的變化而從該輸出吸收電流。

技術領域

本發明整體涉及電子器件，并且更具體地講，涉及半導體、半導體結構以及形成半導體器件的方法。

背景技術

過去，使用各種方法和結構來形成放大器電路。在一些配置中，放大器的輸出信號具有遠大于公共返回電壓的值的低值，諸如例如大于接地值。這可能導致接收輸出信號的負載電路的不正確操作。另外，輸出信號的高值通常具有與輸入電壓的值類似的值。一些應用具有在不同電壓下操作的負載。因此，不同的電壓可導致負載的不正確操作。

因此，希望具有一種器件，該器件具有高值的輸出信號，該高值為與輸入信號的高值不同的值，和/或具有接近電壓返回值的低值。

發明內容

本申請的一個方面涉及一種輸出電路，所述輸出電路包括：電壓跟隨器晶體管，所述電壓跟隨器晶體管被配置為接收第一信號，所述第一信號表示從第一電壓源形成的輸入電壓，所述電壓跟隨器晶體管被配置為從小于所述第一電壓源的第二供電電壓形成輸出電壓，并且將輸出處的輸出電流供應給負載；增益晶體管，所述增益晶體管被配置為響應于所述輸出電壓的增大而從所述輸出吸收電流，所述增益晶體管具有控制電極；和參考電路，所述參考電路耦接到所述增益晶體管的所述控制電極并被配置為響應于所述輸出電壓的所述增大而增大供應給所述增益晶體管的所述控制電極的第一電壓，所述參考電路具有傳導參考電流的參考晶體管。

本申請的另一方面涉及一種形成轉換器電路的方法，所述方法包括：耦接電壓跟隨器晶體管以從第一電路接收控制信號，所述第一電路在第一操作電壓下操作，所述電壓跟隨器晶體管被配置為由小于所述第一操作電壓的第二操作電壓形成輸出電壓，其中所述輸出電壓表示所述控制信號并且是在輸出處形成的，并且其中所述電壓跟隨器晶體管在所述第二操作電壓下供應輸出電流；以及將參考電路配置為控制輸出晶體管以響應于所述輸出電壓的減小而從所述輸出吸收電流。

本申請的又一方面涉及一種形成半導體器件的方法，所述方法包括：將所述半導體器件的放大器電路配置為在第一操作電壓下操作并且形成以所述第一操作電壓為參考的第一信號；將所述半導體器件的輸出晶體管配置為在小于所述第一操作電壓的第二操作電壓下操作，所述輸出晶體管被配置為由所述第二操作電壓形成輸出電壓并且還形成通過所述輸出晶體管的輸出電流，其中所述輸出電壓是在輸出處形成的并且表示所述第一信號；以及將參考電路配置為形成與所述輸出電流基本上成比例的參考電流，所述參考電路被配置為控制第一晶體管以響應于所述參考電流的變化而從所述輸出吸收電流。

附圖說明

圖1示意性地示出了根據本發明的各放大器電路的各部分的實施方案的三個示例；

圖2示意性地示出了放大器電路的一部分的實施方案的示例，該放大器電路可以是根據本發明的圖1的電路中的任一個的另選實施方案；

圖3示意性地示出了轉換器電路或輸出電路的一部分的實施方案的示例，該轉換器電路或輸出電路可以是根據本發明的圖1至圖2的電路中的任何一個的另選實施方案；

圖4示意性地示出了電路的一部分的實施方案，該電路可以是根據本發明的圖3的電路的另選實施方案；

圖5示意性地示出了電路的一部分的實施方案，該電路可以是根據本發明的圖3或圖4的電路的另選實施方案；并且

圖6示出了根據本發明的包括圖1至圖4中至少一個的電路中的一些電路的半導體器件的放大平面圖。