[發明專利]形成半導體器件及電路的方法

在審

• 申請號: 202110053998.1
• 申請日: 2021-01-15
• 公開（公告）號: CN113377151A
• 公開（公告）日: 2021-09-10
• 發明（設計）人: M·波澤姆尼
• 申請（專利權）人: 半導體組件工業公司
• 主分類號: G05F3/26
• 分類號: G05F3/26
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 章蕾

1.一種輸出電路，所述輸出電路包括：

電壓跟隨器晶體管，所述電壓跟隨器晶體管被配置為接收第一信號，所述第一信號表示從第一電壓源形成的輸入電壓，所述電壓跟隨器晶體管被配置為從小于所述第一電壓源的第二供電電壓形成輸出電壓，并且將輸出處的輸出電流供應給負載；

增益晶體管，所述增益晶體管被配置為響應于所述輸出電壓的增大而從所述輸出吸收電流，所述增益晶體管具有控制電極；和

參考電路，所述參考電路耦接到所述增益晶體管的所述控制電極并被配置為響應于所述輸出電壓的所述增大而增大供應給所述增益晶體管的所述控制電極的第一電壓，所述參考電路具有傳導參考電流的參考晶體管。

2.根據權利要求1所述的輸出電路，其中所述電壓跟隨器晶體管具有被耦接以接收所述第二供電電壓的漏極、被耦接以作為所述輸出電流的來源的源極、以及柵極。

3.根據權利要求1所述的輸出電路，其中所述參考晶體管具有控制電極，所述控制電極被耦接以接收所述第一信號并且傳導所述參考電流，其中所述參考電流響應于所述輸出電壓的變化而變化。

4.根據權利要求3所述的輸出電路，其中所述參考電路響應于所述參考電流的變化而改變供應給所述增益晶體管的所述控制電極的所述第一電壓；并且

所述電壓跟隨器晶體管的柵極通常耦接到所述參考晶體管的柵極并被耦接以接收所述輸入電壓，其中所述電壓跟隨器晶體管具有源極，所述源極耦接到所述增益晶體管的源極并被耦接以供應所述輸出電壓。

5.根據權利要求1所述的輸出電路，其中所述參考電路形成第一電流，所述參考晶體管被配置為傳導所述第一電流的第一部分作為所述參考電流；并且

所述參考電路包括第一晶體管，所述第一晶體管傳導所述參考電流的第二部分作為第二電流，并且與所述第二電流的變化成比例地改變供應給所述增益晶體管的所述控制電極的所述第一電壓。

6.根據權利要求5所述的輸出電路，其中所述參考電路包括：第一電流源，所述第一電流源耦接到所述增益晶體管的所述控制電極，其中所述第一電流源傳導所述第二電流；和

第二電流源，所述第二電流源具有被耦接以接收所述第一電壓電源的第一端子和被耦接以供應所述第一電流的第二端子。

7.根據權利要求1所述的輸出電路，還包括精度電路，所述精度電路被配置為將所述電壓跟隨器晶體管的漏極電壓限制為基本上所述參考電路的參考晶體管的漏極電壓；和

第一精度晶體管，所述第一精度晶體管具有源極，所述源極通常耦接到所述電壓跟隨器晶體管的漏極并被耦接以接收所述第二供電電壓，所述第一精度晶體管具有耦接到所述第一精度晶體管的漏極的柵極，所述精度電路包括第二精度晶體管，所述第二精度晶體管具有耦接到所述第一精度晶體管的所述柵極的柵極、耦接到所述參考晶體管的漏極的源極以及被耦接以傳導所述參考電流的漏極。

8.一種形成轉換器電路的方法，所述方法包括：

耦接電壓跟隨器晶體管以從第一電路接收控制信號，所述第一電路在第一操作電壓下操作，所述電壓跟隨器晶體管被配置為由小于所述第一操作電壓的第二操作電壓形成輸出電壓，其中所述輸出電壓表示所述控制信號并且是在輸出處形成的，并且其中所述電壓跟隨器晶體管在所述第二操作電壓下供應輸出電流；以及

將參考電路配置為控制輸出晶體管以響應于所述輸出電壓的減小而從所述輸出吸收電流。

9.一種形成半導體器件的方法，所述方法包括：

將所述半導體器件的放大器電路配置為在第一操作電壓下操作并且形成以所述第一操作電壓為參考的第一信號；

將所述半導體器件的輸出晶體管配置為在小于所述第一操作電壓的第二操作電壓下操作，所述輸出晶體管被配置為由所述第二操作電壓形成輸出電壓并且還形成通過所述輸出晶體管的輸出電流，其中所述輸出電壓是在輸出處形成的并且表示所述第一信號；以及

將參考電路配置為形成與所述輸出電流基本上成比例的參考電流，所述參考電路被配置為控制第一晶體管以響應于所述參考電流的變化而從所述輸出吸收電流。

10.根據權利要求9所述的方法，其中配置所述參考電路包括耦接參考晶體管以形成所述參考電流，其中所述參考晶體管的柵極連接到所述輸出晶體管的柵極，其中所述參考電流的變化改變所述第一晶體管的柵極電壓。