[發(fā)明專利]半導體存儲裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110053986.9
• 申請日: 2021-01-15
• 公開（公告）號: CN113497059A
• 公開（公告）日: 2021-10-12
• 發(fā)明（設計）人: 峰村洋一;高橋檢世;淺野孝司
• 申請（專利權）人: 鎧俠股份有限公司
• 主分類號: H01L27/1157
• 分類號: H01L27/1157;H01L27/11565;H01L27/11582
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 白麗

1.一種半導體存儲裝置，其具備：

第1層疊體，該第1層疊體是多個第1絕緣層和多個第1柵極電極層沿第1方向交替地層疊而成的；

第1半導體層，該第1半導體層設置于所述第1層疊體之中，沿所述第1方向延伸；

第1電荷蓄積層，該第1電荷蓄積層設置于所述第1半導體層與所述第1柵極電極層之間；

第2層疊體，該第2層疊體是多個第2絕緣層和多個第2柵極電極層沿所述第1方向交替地層疊而成的；

第2半導體層，該第2半導體層設置于所述第2層疊體之中，沿所述第1方向延伸；

第2電荷蓄積層，該第2電荷蓄積層設置于所述第2半導體層與所述第2柵極電極層之間；

導電層，該導電層設置于所述第1層疊體與所述第2層疊體之間，沿所述第1方向和與所述第1方向垂直的第2方向延伸；以及

第1氧化硅層，該第1氧化硅層設置于所述第1柵極電極層與所述導電層之間，并且包含選自由磷(P)、硼(B)、碳(C)及氟(F)構成的組中的至少一種元素。

2.根據(jù)權利要求1所述的半導體存儲裝置，其中，所述第1氧化硅層之中的所述至少一種元素的濃度比所述第1絕緣層之中的所述至少一種元素的濃度高。

3.根據(jù)權利要求1或2所述的半導體存儲裝置，其中，所述第1氧化硅層之中的所述至少一種元素的濃度為1×10¹⁷原子/cm³～1×10²¹原子/cm³。

4.根據(jù)權利要求1或2所述的半導體存儲裝置，其中，所述第1氧化硅層包含第1區(qū)域和第2區(qū)域，所述第2區(qū)域設置于所述第1區(qū)域與所述第1柵極電極層之間及所述第1區(qū)域與所述導電層之間的至少任一者中，所述第1區(qū)域的所述至少一種元素的濃度比所述第2區(qū)域的所述至少一種元素的濃度高。

5.根據(jù)權利要求1或2所述的半導體存儲裝置，其中，所述第1氧化硅層與所述第1柵極電極層及所述導電層相接。

6.根據(jù)權利要求1或2所述的半導體存儲裝置，其進一步具備設置于所述第1柵極電極層與所述第1電荷蓄積層之間及所述第1氧化硅層與所述第1絕緣層之間的氧化鋁層。

7.根據(jù)權利要求1或2所述的半導體存儲裝置，其進一步具備設置于所述第1氧化硅層與所述第1柵極電極層之間的第3絕緣層，所述第3絕緣層包含氧化鋁或氮化鋁。

8.根據(jù)權利要求1或2所述的半導體存儲裝置，其進一步具備設置于所述第1氧化硅層與所述導電層之間的第4絕緣層，所述第4絕緣層包含氧化鋁或氮化鋁。

9.根據(jù)權利要求1或2所述的半導體存儲裝置，其進一步具備第2氧化硅層，所述第2氧化硅層設置于所述第2柵極電極層與所述導電層之間，且包含所述至少一種元素。

10.根據(jù)權利要求1或2所述的半導體存儲裝置，其中，所述第1柵極電極層及所述第2柵極電極層包含鎢(W)。

11.根據(jù)權利要求1或2所述的半導體存儲裝置，其中，所述導電層包含鎢(W)。

12.根據(jù)權利要求1或2所述的半導體存儲裝置，其進一步具備半導體基板，所述第1層疊體及所述第2層疊體設置于所述半導體基板之上，所述導電層與所述半導體基板相接。