[發明專利]一種用于生產半導體材料箔的裝置及方法

有效

• 申請號: 202110053782.5
• 申請日: 2021-01-15
• 公開（公告）號: CN112893789B
• 公開（公告）日: 2022-08-30
• 發明（設計）人: 杜達敏;方一航;王天樂
• 申請（專利權）人: 臺州學院
• 主分類號: B22D11/06
• 分類號: B22D11/06
• 代理公司: 杭州寒武紀知識產權代理有限公司 33271
• 代理人: 殷篩網

本發明涉及半導體材料箔生產相關技術領域，具體是一種用于生產半導體材料箔的裝置及方法，所述用于生產半導體材料箔的裝置包括底座及安裝在所述底座上的加工臺，所述底座上通過安裝架固定有熱熔罐，所述熱熔罐與安裝在其側端的輸送腔連通，所述輸送腔上安裝有出口朝向所述加工臺的出料管，且所述出料管上設置有傾斜部，所述輸送腔的內側設置有輸送組件；所述加工臺上放置有基板帶，所述基板帶朝向所述加工臺的一側粘附有柔性磁鐵，所述加工臺的一端安裝有驅動輥，所述驅動輥上安裝有與所述柔性磁鐵吸引的環形金屬；所述加工臺上與所述出料管出口相對的位置處設置有冷卻流道，所述冷卻流道與安裝在底座側端的循環組件連通。

技術領域

本發明涉及半導體材料箔生產相關技術領域，具體是一種用于生產半導體材料箔的裝置及方法。

背景技術

半導體指常溫下導電性能介于導體與絕緣體之間的材料。

半導體在集成電路、消費電子、通信系統、光伏發電、照明、大功率電源轉換等領域都有應用，如二極管就是采用半導體制作的器件。

鉑的化學性質不活潑，在空氣和潮濕環境中穩定，低于 450℃加熱時，表面形成二氧化箔薄膜，高溫下能與硫、磷、鹵素發生反應。箔不溶于鹽酸、硫酸、硝酸和堿溶液，但可溶于王水和熔融的堿。

用于生產結晶半導體箔的裝置，該裝置被設置用于從一定量的熔化的流體半導體中拉出半導體材料箔，現有技術的鑄造設備的缺點是以這種方式制造的晶片常常顯示出粗糙的上表面。該粗糙表面是由在結晶箔的頂部上拖出熔化的硅膜而引起的。在鑄造加工期間，當基片帶接觸熔化的硅時，硅箔開始生長。在其穿過鑄造框架的下面與熔化的硅相接觸期間，硅晶片生長到其所需的厚度。在鑄造框架的出口處，熔化的硅被鑄造框架出口壁阻止。由于鑄造框架出口壁可在垂直方向上移動以適應箔厚度的變化，因此一小量的熔化硅被從固體硅箔的頂部上的鑄造框架中取出。離開鑄造框架后，該液體在冷卻期間以更不可控的方式結晶，造成粗糙的晶片表面。

發明內容

本發明的目的在于提供一種用于生產半導體材料箔的裝置及方法，以解決上述背景技術中提出的問題。

為實現上述目的，本發明提供如下技術方案：

一種用于生產半導體材料箔的裝置，所述用于生產半導體材料箔的裝置包括底座及安裝在所述底座上的加工臺，所述底座上通過安裝架固定有熱熔罐，所述熱熔罐與安裝在其側端的輸送腔連通，所述輸送腔上安裝有出口朝向所述加工臺的出料管，且所述出料管上設置有傾斜部，所述輸送腔的內側設置有輸送組件，當輸送組件運動時以將輸送腔內的半導體原料進行擠壓輸送，以使出料管流出的半導體原料具有外部壓力；

所述加工臺上放置有基板帶，所述基板帶朝向所述加工臺的一側粘附有柔性磁鐵，所述加工臺的一端安裝有驅動輥，所述驅動輥上安裝有與所述柔性磁鐵吸引的環形金屬，當所述驅動輥轉動時配合環形金屬與柔性磁鐵的作用驅動基板帶水平移動，所述驅動輥的側端還設置有與所述柔性磁鐵連接的收卷輥，所述收卷輥的轉軸通過第一傳動帶與安裝在所述底座上的第二電機的輸出軸轉動連接，且通過第二傳動帶與所述驅動輥的轉軸轉動連接；

所述加工臺上與所述出料管出口相對的位置處設置有冷卻流道，所述冷卻流道與安裝在底座側端的循環組件連通；所述基板帶在移動過程中與出料管的端部抵接，半導體原料通過傾斜部流出，從而使得半導體材料箔形成厚度相同。

作為本發明進一步的方案：所述輸送組件包括轉動安裝在所述輸送腔內的輸送軸及固定在所述輸送軸上的螺旋葉片。

作為本發明再進一步的方案：所述熱熔罐的內側轉動安裝有攪拌軸，所述攪拌軸的一端貫穿所述熱熔罐且通過錐齒輪組與輸送軸的轉軸轉動連接，另一端與安裝在所述熱熔罐上的第一電機的輸出軸固定連接；

位于所述熱熔罐內的攪拌軸上固定有多組攪拌棒。

作為本發明再進一步的方案：所述熱熔罐的外側包裹有加熱件。