[發明專利]一種石墨烯納米盤陣列的制備方法在審
| 申請號： | 202110053660.6 | 申請日： | 2021-01-15 |
| 公開（公告）號： | CN112661147A | 公開（公告）日： | 2021-04-16 |
| 發明（設計）人： | 沈宇棟;蔡峰烽 | 申請（專利權）人： | 無錫東恒新能源科技有限公司 |
| 主分類號： | C01B32/194 | 分類號： | C01B32/194 |
| 代理公司： | 蘇州吳韻知識產權代理事務所(普通合伙) 32364 | 代理人： | 王銘陸 |
| 地址： | 214000 江蘇省蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 石墨 納米 陣列 制備 方法 | ||
1.一種石墨烯納米盤陣列的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
(1)采用CVD法，在常壓的條件下以乙醇為碳源，在銅箔表面生長石墨烯，從室溫以15℃/min升溫至1000℃，保溫30min；
(2)以60mL/min的速率通入氬氣30s，將乙醇蒸汽帶入管式爐內，通入碳源結束后保溫30s，開蓋冷卻至室溫，此過程持續以400mL/min通入氬氫混合氣，爐內保持常壓；
(3)將長有石墨烯的銅箔用聚甲基丙烯酸甲酯進行旋涂，加熱固化；
(4)放入1mol/L的FeCl3溶液中，銅箔被腐蝕后，將石墨烯放入蒸餾水中反復清洗；
(5)在經過親水性處理的拋光硅片上滴加80μL單層三聚氰胺甲醛膠體球懸濁液后，開始旋涂；
(6)將旋涂上單層三聚氰胺甲醛膠體球的硅片傾斜緩慢放入0.001mol/L十二烷基硫酸鈉溶液中，形成單層膜；
(7)將石墨烯置于單層膜上，用覆蓋了石墨烯的硅片取出，置于常溫下干燥，待其干燥后采用反應離子刻蝕機對其進行刻蝕，采用的氣體為六氟化硫和氧氣，六氟化硫流量為50-150cm3/min，氧氣流量為20-100cm2/min，氣體壓力為10-13.5Pa，射頻功率為300-800W，刻蝕時間為4min。
2.根據權利要求1所述的一種基于蠶絲模板的碳納米管，其特征在于，所述步驟(2)中氬氫混合氣中氫氣含量為5％。
3.根據權利要求1所述的一種石墨烯納米盤陣列的制備方法，其特征在于：所述步驟(5)中親水性處理為80℃的條件下在3:1的H2SO4/H2O2溶液中浸泡1h。
4.根據權利要求1所述的一種石墨烯納米盤陣列的制備方法，其特征在于：所述步驟(5)中預旋涂速度為700r/min，旋涂時間為30s，最后的旋涂速度為3000r/min，旋涂時間為30s。
5.根據權利要求1所述的一種石墨烯納米盤陣列的制備方法，其特征在于：所述步驟(5)中單層三聚氰胺甲醛膠體球的直徑為1.3μm。
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