[發(fā)明專利]影像感測器結(jié)構(gòu)及其制造方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110052276.4 | 申請日: | 2021-01-15 |
| 公開(公告)號: | CN113140582A | 公開(公告)日: | 2021-07-20 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 林津裕;廖耕潁;葉書佑;陳柏仁;董懷仁;陳咸利 | 申請(專利權(quán))人: | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 北京律誠同業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金國 |
| 地址: | 中國臺灣新竹市*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 影像 感測器 結(jié)構(gòu) 及其 制造 方法 | ||
1.一種影像感測器結(jié)構(gòu),其特征在于,包含:
一半導(dǎo)體基板;
多個影像感測元件,形成于該半導(dǎo)體基板中;
一內(nèi)連接結(jié)構(gòu),其形成于該半導(dǎo)體基板上;以及
一復(fù)合網(wǎng)格結(jié)構(gòu),于該半導(dǎo)體基板上,其中該復(fù)合網(wǎng)格結(jié)構(gòu)包含一鎢網(wǎng)格、該鎢網(wǎng)格上的一氧化物網(wǎng)格、及一粘附增強網(wǎng)格,該粘附增強網(wǎng)格將該鎢網(wǎng)格與該氧化物網(wǎng)格間隔開。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的影像感測器結(jié)構(gòu),其特征在于,該粘附增強網(wǎng)格包含多個網(wǎng)格線,所述多個網(wǎng)格線各自具有隨著距該半導(dǎo)體基板的一距離增加而增加的一寬度。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的影像感測器結(jié)構(gòu),其特征在于,該鎢網(wǎng)格包含多個網(wǎng)格線,所述多個網(wǎng)格線各自具有隨著距該半導(dǎo)體基板的一距離增加而減少的一寬度。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的影像感測器結(jié)構(gòu),其特征在于,該氧化物網(wǎng)格包含多個網(wǎng)格線,所述多個網(wǎng)格線各自具有一漸縮頂部分段。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的影像感測器結(jié)構(gòu),其特征在于,該復(fù)合網(wǎng)格結(jié)構(gòu)還包含該氧化物網(wǎng)格上的一氮氧化物網(wǎng)格。
6.一種影像感測器結(jié)構(gòu),其特征在于,包含:
一半導(dǎo)體基板;
多個光電二極管,于該半導(dǎo)體基板中;
一內(nèi)連接結(jié)構(gòu),于該半導(dǎo)體基板上;以及
一復(fù)合網(wǎng)格結(jié)構(gòu),于該半導(dǎo)體基板上,其中該復(fù)合網(wǎng)格結(jié)構(gòu)包含一氧化物網(wǎng)格及該氧化物網(wǎng)格與該半導(dǎo)體基板之間的一金屬網(wǎng)格,且該復(fù)合網(wǎng)格結(jié)構(gòu)缺乏一氧化物/金屬界面。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的影像感測器結(jié)構(gòu),其特征在于,該復(fù)合網(wǎng)格結(jié)構(gòu)還包含一氮化物網(wǎng)格,該氮化物網(wǎng)格與該金屬網(wǎng)格的一頂部表面形成一氮化物/金屬界面。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的影像感測器結(jié)構(gòu),其特征在于,還包含:
多個彩色濾光片,延伸穿過該氮化物網(wǎng)格。
9.一種影像感測器結(jié)構(gòu)的制造方法,其特征在于,包含以下步驟:
形成多個光電二極管于一基板中;
形成一內(nèi)連接結(jié)構(gòu)于該基板上;
沉積一金屬網(wǎng)格層在該基板上、一粘附增強層在該金屬網(wǎng)格層上、及一氧化物網(wǎng)格層在該粘附增強層上;以及
蝕刻該金屬網(wǎng)格層、該粘附增強層及該氧化物網(wǎng)格層以形成多個金屬網(wǎng)格線、分別在所述多個金屬網(wǎng)格線上方延伸的多個粘附增強網(wǎng)格線、及分別在所述多個粘附增強網(wǎng)格線上方延伸的多個氧化物網(wǎng)格線。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法,其特征在于,還包含以下步驟:
在沉積該金屬網(wǎng)格層之前,形成一緩沖層形成于該基板上,且形成一阻障層于該緩沖層上;以及
蝕刻該阻障層及該緩沖層以形成分別在所述多個金屬網(wǎng)格線下方延伸的多個阻障網(wǎng)格線,及分別在所述多個阻障網(wǎng)格線下方延伸的緩沖網(wǎng)格線。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的
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