[發明專利]芯片型電子部件

在審

• 申請號: 202110051475.3
• 申請日: 2017-11-30
• 公開（公告）號: CN112908692A
• 公開（公告）日: 2021-06-04
• 發明（設計）人: 藤田幸宏;神部昌吾;中野公介;大塚英樹
• 申請（專利權）人: 株式會社村田制作所
• 主分類號: H01G2/06
• 分類號: H01G2/06;H01G4/12;H01G4/232;H01G4/252;H01G4/30
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 樸云龍

1.一種芯片型電子部件，具備：

芯片型的部件主體，具有朝向安裝基板側的安裝面；

至少兩個外部電極，設置在所述部件主體的外表面上；以及

至少兩個間隔件，與各所述外部電極電連接，且至少一部分沿著所述部件主體的所述安裝面設置，

所述部件主體為長方體形狀，具有：相互對置的第一主面和第二主面；以及將所述第一主面和所述第二主面間連結并且分別相互對置的第一側面和第二側面以及第一端面和第二端面，所述安裝面由所述第二主面提供，

各所述外部電極形成在所述第一端面以及所述第二端面上，并形成為從各所述端面延伸至所述第一主面以及所述第二主面的各一部分和所述第一側面以及所述第二側面的各一部分，

各所述間隔件沿著成為所述安裝面的所述主面設置，具有與各所述外部電極相接的部分和與所述主面相接的部分，

在所述安裝面上，所述間隔件具有在相對于該安裝面垂直的方向上測定的給定的厚度方向尺寸，且含有包含從Cu以及Ni中選擇的至少一種金屬和Sn的金屬間化合物。

2.根據權利要求1所述的芯片型電子部件，其中，

所述金屬間化合物是通過Sn與Cu-Ni合金的反應而生成的金屬間化合物。

3.根據權利要求1或2所述的芯片型電子部件，其中，

該芯片型電子部件是層疊陶瓷電容器。

4.根據權利要求3所述的芯片型電子部件，其中，

各所述間隔件的所述厚度方向尺寸為10μm以上。

5.根據權利要求1至4中的任一項所述的芯片型電子部件，其中，

除了所述金屬間化合物，所述間隔件另外還包含單質的Sn金屬。

6.根據權利要求1至5中的任一項所述的芯片型電子部件，其中，

所述外部電極中的至少從所述間隔件露出的部分的最外層是包含Sn的層。