[發明專利]一種晶圓切割方法

在審

• 申請號: 202110051014.6
• 申請日: 2021-01-14
• 公開（公告）號: CN112885720A
• 公開（公告）日: 2021-06-01
• 發明（設計）人: 殷澤安
• 申請（專利權）人: 江西譯碼半導體有限公司
• 主分類號: H01L21/304
• 分類號: H01L21/304;B23K26/03;B23K26/38
• 代理公司: 深圳華奇信諾專利代理事務所(特殊普通合伙) 44328
• 代理人: 陳子勛

本發明涉及晶圓切割技術領域，特指一種晶圓切割方法；本發明是將晶圓背面朝上放置在工作臺上，激光切割頭從晶圓背面向正面切割，再通過擴晶機擴晶分離；本發明通過改變激光切割的方向，再配合擴晶機加工，就可以實現晶圓快速切割的效果，同時保證產品質量。

技術領域

本發明涉及晶圓切割技術領域，特指一種晶圓切割方法。

背景技術

在半導體加工行業內，需要對半導體晶圓進行切割，即，在晶圓上沿切割道將晶圓上每一顆晶粒加以切割分離，目前，行業內通用的生產加工工藝是，采用激光切割機對晶圓進行切割，將晶圓正向放置在激光切割機上，激光從晶圓的正面沿切割道對晶圓進行切割。由于晶圓材質自身的質量原因，晶圓內部可能含有雜質，例如切割道上含有金屬顆粒，雜質一般不透光，所以在切割的過程中，激光無法透過雜質，因此會出現晶圓局部未被切斷的情況，而后續加工，則會導致晶圓被拉壞的情況，這樣就會導致嚴重的質量事故，而且很多晶圓也無法再利用，也就同時造成晶圓浪費，提高制造成本，降低生產效率。即使如申請分布號為 CN 106952986 A的中國專利文獻公開的“一種LED晶圓切割方法”，也沒有解決前述由于晶圓內部雜質影響切割的技術問題。

因此，基于上述現有的晶圓切割方法的缺陷，需要對現有的晶圓切割方法進行改進。

發明內容

本發明的目的在于針對現有技術的不足提供一種晶圓切割方法，該晶圓切割方法解決了現有的晶圓切割方法所存在的：由于晶圓內部雜質影響晶圓切割的技術缺陷。

為實現上述目的，本發明是通過以下技術方案實現的：一種晶圓切割方法，將晶圓背面朝上放置在工作臺上，激光切割頭從晶圓背面向正面切割，再通過擴晶機擴晶分離。

所述的激光切割頭配有紅外相機，紅外相機的光線從晶圓背面向正面照射。

本發明的有益效果在于：通過改變激光切割的方向，再配合擴晶機加工，就可以實現晶圓快速切割的效果，同時保證產品質量。

具體實施方式

本發明晶圓切割方法包括：將晶圓背面朝上放置在工作臺上，激光切割頭從晶圓背面向正面切割，再通過擴晶機擴晶分離。

本發明從背面切割，即使由于雜質阻擋沒有完全被切斷，由于距離較小，后續通過擴晶機加工就可以很容易地將未切斷的部分拉開，從而完成生產工序，實現晶圓切割。

本發明的激光切割頭配有紅外相機，紅外相機的光線從晶圓背面向正面照射，利用紅外相機來觀察晶圓正面的切割道，保證切割效果。

本發明在切割前，對晶圓背面進行打磨拋光，使晶圓背面光滑，保證激光切割效果，晶圓背面為光滑平面。