[發(fā)明專利]一種晶圓切割方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110051014.6 | 申請日： | 2021-01-14 |
| 公開（公告）號： | CN112885720A | 公開（公告）日： | 2021-06-01 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 殷澤安 | 申請（專利權(quán)）人： | 江西譯碼半導(dǎo)體有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/304 | 分類號： | H01L21/304;B23K26/03;B23K26/38 |
| 代理公司： | 深圳華奇信諾專利代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 44328 | 代理人： | 陳子勛 |
| 地址： | 330000 江西省南昌市小*** | 國省代碼： | 江西;36 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 切割 方法 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.一種晶圓切割方法，其特征在于：將晶圓背面朝上放置在工作臺上，激光切割頭從晶圓背面向正面切割，再通過擴(kuò)晶機(jī)擴(kuò)晶分離。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種晶圓切割方法，其特征在于：所述的激光切割頭配有紅外相機(jī)，紅外相機(jī)的光線從晶圓背面向正面照射。
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- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
