[發明專利]一種納米花瓣狀結構的二硒化鈷/羥基氧化鐵復合材料的制備方法有效
| 申請號： | 202110049849.8 | 申請日： | 2021-01-14 |
| 公開（公告）號： | CN112663088B | 公開（公告）日： | 2023-06-02 |
| 發明（設計）人： | 黎建剛;席細平;羅成龍;范敏;李琴;詹聰 | 申請（專利權）人： | 江西省科學院能源研究所 |
| 主分類號： | C25B11/091 | 分類號： | C25B11/091;C25B1/04 |
| 代理公司： | 北京慕達星云知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 11465 | 代理人： | 崔自京 |
| 地址： | 330096 江西省南昌市高新區昌*** | 國省代碼： | 江西;36 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 納米 花瓣 結構 二硒化鈷 羥基 氧化鐵 復合材料 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種二硒化鈷/羥基氧化鐵復合材料，其特征在于，所述二硒化鈷/羥基氧化鐵復合材料具有規則的納米花瓣狀立體結構；且，
所述二硒化鈷/羥基氧化鐵復合材料的制備方法，步驟如下：
S1：含鈷前驅體的制備：
先將異丙醇和1,3-丙二醇按體積比8:1-2:1混勻，得溶劑；將鈷鹽溶于溶劑中，得鈷鹽溶液；
再將鈷鹽溶液置于密封容器中，在150-180℃下反應，結束后經純化，得含鈷前驅體粉末；
S2：二硒化鈷的制備：
將含鈷前驅體粉末與單質硒粉混勻，在惰性氣體保護條件下，加熱至300-500℃，反應結束后待自然降溫，得二硒化鈷粉末；
S3：二硒化鈷/羥基氧化鐵異質結界面復合材料的制備：
將二鈷化硒粉末和硫酸亞鐵分散在去離子水中，并置于25-65℃下持續攪拌反應，反應結束后經純化，得二硒化鈷/羥基氧化鐵復合材料；
其中，步驟S1中所述鈷鹽至少為硝酸鈷、硫酸鈷、氯化鈷、醋酸鈷和乙酰丙酮鈷中的一種，所述鈷鹽溶液濃度為0.02-0.08mol/L，所述密封容器與鈷鹽溶液的體積比為(3-2.5)：1，所述反應時間為10-15小時；
步驟S2中所述含鈷前驅體粉末與單質硒粉末的質量比為1:2-1:10，所述反應時間為2-5小時；
步驟S3中所述反應時間為10-200min，所述二硒化鈷與硫酸亞鐵的質量比為10:1-1:1，所述硫酸亞鐵的濃度為0.1-1.0mg/ml。
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