[發明專利]錫酸鎘薄膜的制備方法在審
| 申請號： | 202110048126.6 | 申請日： | 2021-01-14 |
| 公開（公告）號： | CN112877664A | 公開（公告）日： | 2021-06-01 |
| 發明（設計）人： | 湯惠淋;任麗;朱劉;宋世金 | 申請（專利權）人： | 廣東先導稀材股份有限公司 |
| 主分類號： | C23C14/35 | 分類號： | C23C14/35;C23C14/08;C23C14/58 |
| 代理公司： | 北京五洲洋和知識產權代理事務所(普通合伙) 11387 | 代理人： | 張向琨 |
| 地址： | 511500 廣東省清*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 錫酸鎘 薄膜 制備 方法 | ||
1.一種錫酸鎘薄膜的制備方法，其特征在于，包括步驟：
步驟一，將CTO單靶材安裝于靶位上；
步驟二，將玻璃襯底置于磁控濺射室的襯底托盤上；
步驟三，對腔室抽真空；
步驟四，對襯底托盤加熱；
步驟五，通入氬氣，設置腔室壓強；
步驟六，設定濺射功率和襯底轉盤的轉速；
步驟七，將CTO預濺射10min后，開始正式濺射，得到CTO薄膜。
2.根據權利要求1所述的錫酸鎘薄膜的制備方法，其特征在于，
在步驟一中，CTO單靶材來自先導薄膜材料有限公司，產品編號：CT20-188，純度為99.98％，電阻率為6.7Ω·cm，相對密度為95％。
3.根據權利要求1所述的錫酸鎘薄膜的制備方法，其特征在于，
在步驟二中，剝離襯底先后采用丙酮、酒精進行超聲波清洗，并采用氮氣吹掃槍吹掃干凈后烘干置于磁控濺射室的襯底托盤上。
4.根據權利要求1所述的錫酸鎘薄膜的制備方法，其特征在于，在步驟二中，CTO單靶材與玻璃襯底的距離為70mm～90mm。
5.根據權利要求1所述的錫酸鎘薄膜的制備方法，其特征在于，
在步驟三中，抽真空達到背底真空≥6.0×E-04Pa。
6.根據權利要求1所述的錫酸鎘薄膜的制備方法，其特征在于，
在步驟四中，在一些實施例中，加熱溫度為640℃～680℃，在一些實施例中，加熱溫度為680℃。
7.根據權利要求1所述的錫酸鎘薄膜的制備方法，其特征在于，
在步驟五中，氬氣的純度為5N；氬氣的流量為20sccm～50sccm；腔室壓強為0.4Pa～0.6Pa。
8.根據權利要求1所述的錫酸鎘薄膜的制備方法，其特征在于，
在步驟五中，濺射功率密度為2W/cm2～5W/cm2，襯底轉盤的轉速為8rpm～15rpm。
9.根據權利要求1所述的錫酸鎘薄膜的制備方法，其特征在于，還包括步驟：
步驟八，采用有機酸刻蝕步驟六得到的CTO薄膜。
10.根據權利要求9所述的錫酸鎘薄膜的制備方法，其特征在于，在步驟八中，所述有機酸為醋酸或酒石酸，濃度為≥6.0wt％；有機酸刻蝕的溫度為室溫～60℃。
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