[發明專利]鍍制SiO2或Al2O3材質的介質膜的銻堿光電陰極及鍍制方法

有效

• 申請號: 202110047289.2
• 申請日: 2021-01-14
• 公開（公告）號: CN112885683B
• 公開（公告）日: 2022-06-10
• 發明（設計）人: 李曉峰;鐘梓源;李廷濤;潘治云;張俊;楊振;常樂;趙恒;楊瓊連;張彥云
• 申請（專利權）人: 北方夜視技術股份有限公司
• 主分類號: H01J29/04
• 分類號: H01J29/04;H01J9/12;H01J31/50;C23C14/30;C23C14/08;C23C14/10
• 代理公司: 昆明今威專利商標代理有限公司 53115
• 代理人: 賽曉剛

本發明公開了一種鍍制SiO₂或Al₂O₃材質的介質膜的銻堿光電陰極及鍍制方法，用于消除防光暈視覺玻璃中有害成分對銻堿光電陰極結構的破壞而導致的陰極靈敏度衰退的問題。所述銻堿光電陰極包括AVG輸入窗、銻堿光電陰極、微通道板、陽極鋁膜、熒光屏及陽極輸出面板,在AVG輸入窗的內表面與銻堿光電陰極之間鍍制一層均勻且致密的SiO₂或Al₂O₃材質的介質膜，使得AVG輸入窗的內表面、介質膜以及銻堿光電陰極連為一體。本發明的方法包括鍍膜前準備、對真空反應腔抽真空、進行靶材除氣、向真空反應腔通入氬氣、鍍制膜層、取出工件等步驟。本發明能夠消除AVG中有害成分對銻堿光電陰極破壞的現象，有效提高銻堿光電陰極的穩定性，滿足使用要求。

技術領域

本發明涉及一種鍍制SiO₂或Al₂O₃材質的介質膜的銻堿光電陰極及鍍制方法，主要用于以防光暈視覺玻璃(AVG)作為光學輸入窗的銻堿光電陰極的微光像增強器，消除防光暈視覺玻璃中有害成分對銻堿光電陰極結構的破壞而導致陰極靈敏度的衰退的技術問題。

背景技術

微光夜視裝備在現代化戰爭中發揮著重要的作用，微光夜視裝備的核心是微光像增強器，目前采用的主流微光夜視裝備是以多堿銻化物材料作為陰極材料的雙近貼式微光像增強器。

衡量微光像增強器性能好壞的重要參數是陰極積分靈敏度。多堿銻化物陰極的靈敏度與其采用的基底材料有著密切聯系，目前所采用的陰極基底材料是防光暈玻璃(以下簡稱為 AVG)。防光暈視覺玻璃是由硼硅酸鹽組成的可見光波段高通透光學玻璃，通用于高性能光學 /光電器件中。它在銻堿化合物光電陰極的微光像增強器中常作為輸入窗。現有的以AVG作為輸入窗的微光像增強器(參見圖1)，主要由AVG輸入窗1、銻堿光電陰極2、微通道板3、陽極鋁膜4、陽極熒光屏5、陽極輸出面板6組成。其中AVG輸入窗的作用主要作為銻堿光電陰極的基底，以及光學輸入窗口，前置光學系統所收集的光學圖像信號通過AVG輸入窗1 傳遞到銻堿光電陰極2上轉換成電子圖像信號，從而實現光電轉換。由于AVG的制作工藝的原因，不可避免地存在雜質，如氧化鈣、氧化鉛等。這些成分在高溫時將向玻璃表面擴散，并在工作過程與銻堿光電陰極發生反應，破壞光電陰極的結構穩定性，從而導致光電陰極靈敏度低、衰退以及均勻性差等問題。因此，對于銻堿光電陰極制備過程而言，希望能夠在使用AVG作為光電陰極基底前針對其雜質含量進行篩選，將氧化鈣、氧化鉛含量較高的AVG進行剔除，以保證最后銻堿光電陰極的穩定性。

然而，目前所有的AVG均不可避免地存在上述有害成分，且檢測方式為破壞性檢測，在實際生產中難以推行。在實際生產中發現，當AVG中的氧化鈣、氧化鉛的含量高時，銻堿光電陰極靈敏度低、靈敏度衰退的現象較為嚴重，這將嚴重影響微光像增強器的信噪比、品質因數等戰術指標，以及微光夜視裝備的性能與壽命，直接威脅到用戶的戰場生存能力。

發明內容

本發明的目的之一是提供一種鍍制SiO₂或Al₂O₃材質的介質膜的銻堿光電陰極，根據AVG 中的有害成分，對以AVG作為輸入窗的銻堿光電陰極的微光像增強器，在輸入窗的后表面設計一種穩定膜層，代替原有結構，從根本上阻斷AVG中有害成分與銻堿光電陰極的接觸和反應，有效地提高銻堿光電陰極的穩定性，滿足使用要求。

本發明的另一個目的是提供一種鍍制SiO₂或Al₂O₃材質的介質膜的銻堿光電陰極的鍍制方法，對以AVG作為光電陰極輸入窗的微光像增強器，在AVG輸入窗的內表面與銻堿光電陰極之間鍍制一層介質膜層，使得AVG輸入窗的內表面、介質膜層以及銻堿光電陰極連為一體，

本發明的主要技術方案是：