[發(fā)明專利]鍍制SiO2或Al2O3材質(zhì)的介質(zhì)膜的銻堿光電陰極及鍍制方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110047289.2
• 申請日: 2021-01-14
• 公開（公告）號: CN112885683B
• 公開（公告）日: 2022-06-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李曉峰;鐘梓源;李廷濤;潘治云;張俊;楊振;常樂;趙恒;楊瓊連;張彥云
• 申請（專利權(quán)）人: 北方夜視技術(shù)股份有限公司
• 主分類號: H01J29/04
• 分類號: H01J29/04;H01J9/12;H01J31/50;C23C14/30;C23C14/08;C23C14/10
• 代理公司: 昆明今威專利商標(biāo)代理有限公司 53115
• 代理人: 賽曉剛

1.一種鍍制SiO₂材質(zhì)的介質(zhì)膜的銻堿光電陰極，其特征在于：

在AVG輸入窗(1)的內(nèi)表面與所述銻堿光電陰極(2)之間鍍制一層均勻且致密的SiO₂材質(zhì)的介質(zhì)膜(7)，使得所述AVG輸入窗(1)的內(nèi)表面、介質(zhì)膜(7)以及銻堿光電陰極(1)連為一體。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鍍制SiO₂材質(zhì)的介質(zhì)膜的銻堿光電陰極，其特征在于：

所述介質(zhì)膜(7)的厚度為60nm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的鍍制SiO₂材質(zhì)的介質(zhì)膜的銻堿光電陰極，其特征在于：

所述SiO₂材質(zhì)的純度為99.99％。

4.一種根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的鍍制SiO₂材質(zhì)的介質(zhì)膜的銻堿光電陰極的鍍制方法，其特征在于包括以下步驟：

(1)鍍膜前準(zhǔn)備，將AVG面板進(jìn)行拋光、清洗，并用酒精脫水烘干，而后放入二氧化硅真空反應(yīng)室的鍍膜夾具上固定，并使要鍍膜的一面正對著靶材室，關(guān)閉靶材室到鍍膜夾具之間的擋板；

(2)對真空反應(yīng)腔抽真空；

(3)進(jìn)行靶材除氣；

(4)向真空反應(yīng)腔通入氬氣；

(5)鍍制膜層；包括：通入氬氣后，打開擋板，并提高電子槍的發(fā)射電流，使氬氣電離并轟擊靶材，調(diào)節(jié)電流直到所蒸鍍材質(zhì)的蒸發(fā)速率達(dá)到2nm/s，控制鍍膜層的厚度達(dá)到60nm時(shí)，關(guān)閉電子槍高壓，冷卻；

(6)取出工件；包括：通入氮?dú)?，待真空度達(dá)到大氣壓后，打開真空腔，取出工件。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的鍍制方法，其特征在于，所述的對真空反應(yīng)腔抽真空包括：

打開真空閥，關(guān)閉真空鐘罩，將真空反應(yīng)腔體內(nèi)的壓強(qiáng)抽至低于2×10^-4mbar。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的鍍制方法，其特征在于，所述的進(jìn)行靶材除氣包括：

接通高壓電子槍，點(diǎn)亮電子槍后，調(diào)節(jié)電子槍的發(fā)射電流值，用較小的電流值對蒸鍍原料進(jìn)行電子清刷除氣，時(shí)間為1分鐘。

7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的鍍制方法，其特征在于，所述的向真空反應(yīng)腔通入氬氣包括：

電子清刷除氣結(jié)束后，打開氬氣進(jìn)氣閥，以一定的流速通入氬氣到靶材室。

8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的鍍制方法，其特征在于，所述的鍍制膜層包括：

所述冷卻的時(shí)間為15分鐘。

9.根據(jù)權(quán)利要求4所述的鍍制方法，其特征在于，所述的取出工件包括：

先關(guān)閉真空泵與氬氣進(jìn)氣閥、打開氮?dú)膺M(jìn)氣閥，再通入氮?dú)狻?/p>