[發明專利]降低表面缺陷影響的刻蝕方法

有效

• 申請號: 202110044463.8
• 申請日: 2021-01-13
• 公開（公告）號: CN112864003B
• 公開（公告）日: 2022-02-22
• 發明（設計）人: 雷鑫;宋豪杰;高倩;袁娜
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: H01L21/027
• 分類號: H01L21/027;H01L21/033;H01L27/11524;H01L27/11556;H01L27/1157;H01L27/11582
• 代理公司: 北京派特恩知識產權代理有限公司 11270
• 代理人: 張李靜;張穎玲

1.一種降低表面缺陷影響的刻蝕方法，其特征在于，包括：

提供表面包括凸起和/或凹陷的基底結構作為表面缺陷基底；其中，所述基底結構包括位于襯底之上的疊層結構，所述凸起和/或凹陷位于所述疊層結構相對遠離所述襯底的表面；

在所述基底結構上形成第一掩膜層；其中，所述第一掩膜層包括覆蓋所述凸起和/或凹陷的第一表面；所述第一掩膜層還包括平坦的第二表面，所述第二表面與所述第一表面相對設置；

在所述平坦的第二表面上形成第二掩膜層；

刻蝕所述第二掩膜層和所述第一掩膜層，以形成垂直穿過所述基底結構的凹槽。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二掩膜層的硬度大于所述第一掩膜層的硬度。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一掩膜層的厚度介于50nm至400nm之間。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一掩膜層的材料包括：旋涂碳。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述基底結構上形成第一掩膜層包括：

在所述基底結構上旋涂第一掩膜材料；

對旋涂在所述基底結構上的所述第一掩膜材料進行熱處理，以形成所述第一掩膜層。

6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，所述第一掩膜材料包括：溶于有機溶劑中的含碳聚合物。

7.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，所述第一掩膜材料包括：旋涂碳。

8.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，所述熱處理的溫度低于250℃。

9.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二掩膜層的材料包括：無定型碳或者多晶硅。

10.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述提供表面包括凸起和/或凹陷的基底結構作為表面缺陷基底，包括：

檢測所述基底結構表面，并生成檢測結果；

當所述檢測結果指示所述基底結構表面包括所述凸起和/或凹陷且所述凸起的高度或所述凹陷的深度大于預設值時，確定所述基底結構為所述表面缺陷基底。

11.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法應用于制作三維NAND存儲器；所述基底結構包括柵疊層結構、貫穿所述柵疊層結構的存儲串以及覆蓋所述柵疊層結構的介質層；所述第一掩膜層覆蓋所述介質層；

所述刻蝕所述第二掩膜層和所述第一掩膜層，以形成垂直穿過所述基底結構的凹槽，包括：刻蝕所述第二掩膜層和所述第一掩膜層以及所述介質層，以形成顯露所述存儲串的所述凹槽。

12.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述刻蝕所述第二掩膜層和所述第一掩膜層，以形成垂直穿過所述基底結構的凹槽之前，所述方法還包括：

形成覆蓋所述第二掩膜層的消光層，并形成覆蓋所述消光層的光刻膠；

對所述光刻膠進行圖形化處理，以在所述光刻膠中形成預設圖案；

根據所述預設圖案，刻蝕所述消光層、所述第二掩膜層和所述第一掩膜層，形成所述凹槽。