[發(fā)明專利]一種銅鉀鋅錫硫吸收層的制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110039924.2 | 申請(qǐng)日: | 2021-01-13 |
| 公開(公告)號(hào): | CN112802924B | 公開(公告)日: | 2023-01-13 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 莊大明;趙明;任國(guó)銨;王晨;李羽嫻;董梁正;陶圣葉;仝浩;王漢鵬 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 清華大學(xué) |
| 主分類號(hào): | H01L31/18 | 分類號(hào): | H01L31/18;H01L21/02;H01L31/032 |
| 代理公司: | 北京高沃律師事務(wù)所 11569 | 代理人: | 劉奇 |
| 地址: | 100084 北京市海淀區(qū)雙清路*** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 銅鉀鋅錫硫 吸收 制備 方法 | ||
本發(fā)明提供了一種銅鉀鋅錫硫吸收層的制備方法,屬于光電材料制備技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明直接利用銅鉀鋅錫硫靶材經(jīng)真空磁控濺射制備銅鉀鋅錫硫吸收層預(yù)制層,再經(jīng)退火即可得到銅鉀鋅錫硫吸收層吸收層,鉀元素分布均勻,操作簡(jiǎn)單,工藝穩(wěn)定性高,生產(chǎn)成本低。具體的,與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明提供的方法減少了濺射后沉積KF的步驟,同時(shí)K元素能夠均勻分布于最終所得銅鉀鋅錫硫吸收層吸收層中,K元素鈍化缺陷、促進(jìn)晶粒生長(zhǎng)的優(yōu)勢(shì)得以在整個(gè)銅鉀鋅錫硫吸收層中均勻體現(xiàn)。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及光電材料制備技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種銅鉀鋅錫硫吸收層的制備方法。
背景技術(shù)
銅鋅錫硫(Cu2ZnSnS4,簡(jiǎn)稱CZTS)系薄膜太陽(yáng)能電池作為第三代太陽(yáng)電池的代表,具有光電轉(zhuǎn)化效率高、性能穩(wěn)定、抗輻射性能好和制備成本低等優(yōu)勢(shì)。為了獲得大晶粒、結(jié)晶質(zhì)量良好的半導(dǎo)體吸收層通常需要高溫工藝,但是CZTS吸收層的高溫穩(wěn)定性較差,高溫下極易分解進(jìn)而導(dǎo)致晶體缺陷、成分變化、性能劣化等一系列問題。
將K元素引入CZTS吸收層中得到CKZTS(銅鉀鋅錫硫)吸收層,能夠鈍化CZTS吸收層晶界缺陷,提升CZTS吸收層質(zhì)量;同時(shí)有利于促進(jìn)元素?cái)U(kuò)散、幫助晶粒生長(zhǎng),使得在不超過600℃的較低溫度條件下即可獲得結(jié)晶質(zhì)量良好的CKZTS吸收層。現(xiàn)有技術(shù)中制備CKZTS吸收層時(shí),主要包括兩種方法,一種方法是利用濺射法制備得到CZTS薄膜或CZT合金預(yù)制膜,于該CZTS薄膜或CZT合金預(yù)制膜表面采取熱蒸發(fā)的手段沉積KF(氟化鉀)層,并在后續(xù)硫化退火過程中,通過元素?cái)U(kuò)散獲得CKZTS吸收層;該方法工序復(fù)雜,不利于工業(yè)化生產(chǎn),且K元素集中分布于CZTS表面層,無法實(shí)現(xiàn)均勻分布。另一種方法是利用溶液法制備CKZTS吸收層,具體是在CZTS吸收層前驅(qū)體溶液基礎(chǔ)上添加鉀鹽;該方法具體是在非真空條件下進(jìn)行,不適用于大面積生產(chǎn)以及連續(xù)性生產(chǎn),且操作穩(wěn)定性差。因此,提供一種操作簡(jiǎn)單、K元素分布均勻的CKZTS吸收層制備方法,是目前亟需要解決的技術(shù)問題。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種銅鉀鋅錫硫吸收層的制備方法,本發(fā)明提供的方法操作簡(jiǎn)單,且制備得到的銅鉀鋅錫硫吸收層中鉀元素分布均勻。
為了實(shí)現(xiàn)上述發(fā)明目的,本發(fā)明提供以下技術(shù)方案:
本發(fā)明提供了一種銅鉀鋅錫硫吸收層的制備方法,包括以下步驟:
提供銅鉀鋅錫硫靶材;
將所述銅鉀鋅錫硫靶材進(jìn)行真空磁控濺射,得到銅鉀鋅錫硫預(yù)制層;
將所述銅鉀鋅錫硫預(yù)制層進(jìn)行退火,得到銅鉀鋅錫硫吸收層;其中,所述銅鉀鋅錫硫吸收層的組成包括:鉀的原子百分比為0.005~10%,S的原子百分含量與Cu、Zn和Sn總的原子百分含量之比為(0.8~1.3):1,Cu的原子百分含量與Zn和Sn總的原子百分含量之比為(0.6~1.0):1,Zn的原子百分含量與Sn的原子百分含量之比為(0.8~1.4):1。
優(yōu)選地,所述銅鉀鋅錫硫靶材的制備方法,包括以下步驟:
將CZTS粉末和KF粉末進(jìn)行球磨,得到混合粉料;其中,所述CZTS粉末為Cu2S粉末、ZnS粉末和SnS2粉末的混合物;
將所述混合粉料進(jìn)行燒結(jié),得到銅鉀鋅錫硫靶材。
優(yōu)選地,所述球磨為濕磨,所述濕磨后還包括:將所得濕磨物料干燥,得到混合粉料;
其中,所述濕磨采用的球磨介質(zhì)包括乙醇或水,所述CZTS粉末和KF粉末的總質(zhì)量與磨球、球磨介質(zhì)的質(zhì)量比為1:(1~20):(1~20);所述濕磨的轉(zhuǎn)速為100~600rpm,時(shí)間為0.5~20h。
優(yōu)選地,所述燒結(jié)的方式包括常壓燒結(jié)、熱壓燒結(jié)或熱等靜壓燒結(jié)。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個(gè)或多個(gè)電光源,如場(chǎng)致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
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