[發(fā)明專利]一種銅鉀鋅錫硫吸收層的制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110039924.2 | 申請日: | 2021-01-13 |
| 公開(公告)號: | CN112802924B | 公開(公告)日: | 2023-01-13 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 莊大明;趙明;任國銨;王晨;李羽嫻;董梁正;陶圣葉;仝浩;王漢鵬 | 申請(專利權(quán))人: | 清華大學(xué) |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18;H01L21/02;H01L31/032 |
| 代理公司: | 北京高沃律師事務(wù)所 11569 | 代理人: | 劉奇 |
| 地址: | 100084 北京市海淀區(qū)雙清路*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 銅鉀鋅錫硫 吸收 制備 方法 | ||
1.一種銅鉀鋅錫硫吸收層的制備方法,包括以下步驟:
提供銅鉀鋅錫硫靶材;
將所述銅鉀鋅錫硫靶材進行真空磁控濺射,得到銅鉀鋅錫硫預(yù)制層;
將所述銅鉀鋅錫硫預(yù)制層進行退火,得到銅鉀鋅錫硫吸收層;其中,所述銅鉀鋅錫硫吸收層的組成包括:鉀的原子百分比為0.005~0.5%,S的原子百分含量與Cu、Zn和Sn總的原子百分含量之比為(0.8~1.3):1,Cu的原子百分含量與Zn和Sn總的原子百分含量之比為(0.6~1.0):1,Zn的原子百分含量與Sn的原子百分含量之比為(0.8~1.4):1;所述退火在氮氣氣氛中進行,所述氮氣氣氛提供的壓力為50kPa;所述退火的溫度為300~600℃,自室溫升溫至退火所需溫度的升溫速率為5~20℃/min;所述退火的時間為0.1~0.5h,所述退火的時間以溫度升至退火所需溫度開始計;
所述銅鉀鋅錫硫靶材的制備方法,包括以下步驟:
將CZTS粉末和KF粉末進行球磨,得到混合粉料;其中,所述CZTS粉末為Cu2S粉末、ZnS粉末和SnS2粉末的混合物;
將所述混合粉料進行常壓燒結(jié),得到銅鉀鋅錫硫靶材;所述常壓燒結(jié)的操作條件包括:壓坯壓力為50~300MPa,燒結(jié)溫度為400~900℃,燒結(jié)時間為1~40h。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于,所述球磨為濕磨,所述濕磨后還包括:將所得濕磨物料干燥,得到混合粉料;
其中,所述濕磨采用的球磨介質(zhì)包括乙醇或水,所述CZTS粉末和KF粉末的總質(zhì)量與磨球、球磨介質(zhì)的質(zhì)量比為1:(1~20):(1~20);所述濕磨的轉(zhuǎn)速為100~600rpm,時間為0.5~20h。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于,所述真空磁控濺射的操作條件包括:本底真空為1.0×10-4~1.0×10-2Pa,工作氣體為氬氣,工作氣壓為0.1~10.0Pa,基底溫度為20~700℃。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或3所述的制備方法,其特征在于,所述銅鉀鋅錫硫預(yù)制層的厚度為0.2~5.0μm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于,所述退火在真空條件下或特定氣體氣氛條件下進行,所述特定氣體包括氬氣、氮氣和硫化氫中的至少一種。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于,所述銅鉀鋅錫硫吸收層的厚度為0.2~5.0μm。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的





