[發(fā)明專利]多孔吸盤的清洗方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110039308.7 | 申請日： | 2021-01-12 |
| 公開（公告）號： | CN112871853B | 公開（公告）日： | 2022-06-24 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 張松濤;蘇朋;楊國文 | 申請（專利權(quán)）人： | 度亙激光技術(shù)(蘇州)有限公司 |
| 主分類號： | B08B3/08 | 分類號： | B08B3/08;B08B3/12;H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇專利代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 孫海杰 |
| 地址： | 215000 江蘇省蘇州市工業(yè)園區(qū)*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 多孔 吸盤 清洗 方法 | ||
本發(fā)明提供了一種多孔吸盤的清洗方法，涉及半導(dǎo)體制備技術(shù)領(lǐng)域，具體包括以下步驟：利用第一清洗溶液對多孔吸盤表面的無機物雜質(zhì)進行清洗；當(dāng)所述多孔吸盤表面的無機物雜質(zhì)清洗后，利用第二清洗溶液對多孔吸盤的孔洞中的有機物雜質(zhì)進行清洗。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明提供的多孔吸盤的清洗方法，首先對附著在多孔吸盤的表面的無機物雜質(zhì)進行清洗，然后再對多孔吸盤的孔洞內(nèi)的有機物雜質(zhì)進行清洗，通過無機物雜質(zhì)與有機物雜質(zhì)分層處理，從而實現(xiàn)多孔吸盤的完全清洗。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制備技術(shù)領(lǐng)域，尤其是涉及一種多孔吸盤的清洗方法。
背景技術(shù)
半導(dǎo)體芯片制造過程中為滿足芯片減薄到一定厚度而使用到臨時鍵合技術(shù)，減薄完成后對鍵合Wafer進行解鍵合來分開半導(dǎo)體晶圓與基片。在進行解鍵合工藝時會用多孔吸盤來吸附100um厚度的半導(dǎo)體晶圓，此項工藝作業(yè)時會將鍵合粘結(jié)劑與鍵合Wafer上的金屬殘留在多孔吸盤上。殘留的有機粘結(jié)劑雜質(zhì)在溫度120℃時處于完全液態(tài)，易被吸附進多孔吸盤的孔洞內(nèi)，而其中無機物金屬顆粒(例如Ni-AuGe合金)通常是附著在多孔吸盤的表層。有機粘結(jié)劑在加熱狀態(tài)下液化，受真空吸附力影響會流動到多孔吸盤的孔洞內(nèi)，金屬顆粒會在此加熱狀態(tài)下進行一定程度延展拉伸式的合金化，合金化金屬結(jié)合力會增強，從而造成有機粘結(jié)劑在多孔吸盤的孔洞內(nèi)和表面存在，合金化金屬覆蓋在有機粘結(jié)劑表面并將有機粘結(jié)劑進行包裹。此類殘留影響其多孔吸盤表面光滑度，在使用時金屬層會對半導(dǎo)體晶圓劃傷降低芯片制造良品率，有機粘結(jié)劑會導(dǎo)致晶圓面污染與無法將晶圓從多孔吸盤上取下，導(dǎo)致工藝流程無法繼續(xù)。
目前生產(chǎn)的多孔吸盤的要求表面光滑程度在納米級別，因此要求燒結(jié)孔徑小，傳統(tǒng)清洗方式采用丙酮清洗，無法滿足小孔徑多孔吸盤的表面及孔洞內(nèi)完全清洗的要求。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種多孔吸盤的清洗方法，以緩解了現(xiàn)有傳統(tǒng)方式無法滿足多孔吸盤的表面及孔洞內(nèi)完全清洗要求的技術(shù)問題。
本發(fā)明提供的多孔吸盤的清洗方法，包括以下步驟：
利用第一清洗溶液對多孔吸盤表面的無機物雜質(zhì)進行清洗；
當(dāng)所述多孔吸盤表面的無機物雜質(zhì)清洗后，利用第二清洗溶液對多孔吸盤的孔洞中的有機物雜質(zhì)進行清洗。
進一步的，所述利用第一清洗溶液對多孔吸盤表面的無機物雜質(zhì)進行清洗的步驟包括：
利用HCl：H2O2：H2O＝(1～2)：(1～2)：(1～5)配比的溶液對待清洗的多孔吸盤浸泡清洗至少20min。
進一步的，利用HCl：H2O2：H2O＝1：1：1配比的溶液對待清洗的多孔吸盤浸泡清洗25～35min。
進一步的，還包括在所述利用第二清洗溶液對多孔吸盤的孔洞中的有機物雜質(zhì)進行清洗步驟之前進行的，利用第三清洗溶液對多孔吸盤的孔洞中的有機物雜質(zhì)進行軟化。
進一步的，所述對多孔吸盤的孔洞中的有機物雜質(zhì)進行軟化的步驟包括：
在75～85℃下，利用NMP溶液對去除無機物雜質(zhì)的多孔吸盤浸泡20～30min。
進一步的，所述利用第三清洗溶液對多孔吸盤的孔洞中的有機物雜質(zhì)進行清洗的步驟包括：
利用丙酮對軟化后的多孔吸盤的孔洞中的有機物雜質(zhì)清洗5～10min；
再利用異丙醇對多孔吸盤的孔洞中的有機物雜質(zhì)清洗5～10min。
進一步的，利用丙酮對軟化后的多孔吸盤的孔洞中的有機物雜質(zhì)清洗5min；
再利用異丙醇對多孔吸盤的孔洞中的有機物雜質(zhì)清洗5min。
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