[發明專利]一種用于DCDC變換器的電流檢測電路

有效

• 申請號: 202110038591.1
• 申請日: 2021-01-12
• 公開（公告）號: CN112865511B
• 公開（公告）日: 2022-05-27
• 發明（設計）人: 王沖;劉委;孫大鷹;許聰;鄒凱;顧文華
• 申請（專利權）人: 南京理工大學
• 主分類號: H02M3/00
• 分類號: H02M3/00;H02M1/08
• 代理公司: 南京理工大學專利中心 32203
• 代理人: 岑丹

本發明公開了一種用于DCDC變換器的電流檢測電路，主要包括谷值電流檢測部分與比較器部分，該電路可用于確定電感谷值電流的大小。CTL為下功率管控制信號，低電平時下功率管導通，開啟谷值電流比較模塊；SLEEP為控制信號，高電平時芯片正常工作，低電平時，芯片進入休眠模式；SW為下功率管漏端電壓；V_S和V_G分別為SW和GND轉換后的電壓，這兩個信號經比較器CMP比較后得到VCMP信號，該信號經過邏輯模塊等控制功率管的打開或關斷。本發明通過檢測MOS管導通電阻的電壓降，可較為精確的檢測電感電流，電路結構簡單，響應速度快。

技術領域

本發明屬于電子電路技術領域，具體為一種用于DCDC變換器的電流檢測電路。

背景技術

隨著手持設備與便攜式電子產品的廣泛應用，對電源管理IC的需求不斷上升。開關電源因轉換效率高、輸出電流大、靜態電流小，輸出負載范圍寬等優點而被廣泛應用。因為電流模結構的DCDC變換器具有動態響應速度快，補償網絡簡單的優點，故電源管理IC多采用電流模式DCDC變換器。對于電流模結構，電流檢測電路是其重要的組成部分之一。電流檢測電路的精度不僅影響環路控制的精度，更是影響芯片穩定性的關鍵模塊。目前常用的電流檢測電路結構較為復雜，難以在高壓情況下使用，且一般會使用到運算放大器等結構，增加了設計難度，并需占用較大的版圖面積。

發明內容

本發明的目的在于提出了一種用于DCDC變換器的電流檢測電路。

實現本發明目的的技術方案為：一種用于DCDC變換器的電流檢測電路，包括第一電阻R1a、第二電阻R1b、第三電阻R1c、第四電阻R1d、第五電阻R2a、第六電阻R2b、第七電阻R3a、第八電阻R3b、第一NMOS管MN1、第二NMOS管MN2、第三NMOS管MN3、第四NMOS管MN4、第五NMOS管MN5、第六NMOS管MN6、第七NMOS管MN7、第八NMOS管MN8、第九NMOS管MN9、第十NMOS管MN10、第十一NMOS管MN11、第十二NMOS管MN12、第十三NMOS管MN13、第十四NMOS管MN14、第十五NMOS管MN15、第十六NMOS管MN16、第十七NMOS管MN17、第十八NMOS管MN18、第一NLDMOS管HM1、第二NLDMOS管HM2、比較器和電流源；

所述第一NMOS管MN1的柵極與第二NMOS管MN2的柵極接電源，第一NMOS管MN1的漏級通過電流源I₀接電源，源級與第二NMOS管MN2的漏級相連；第九NMOS管MN9的柵極接控制信號CTL1，漏級與第二NMOS管MN2的源級相連，并與第十NMOS管MN10的漏級相連，源級與第十二NMOS管MN12的源級相連，并與第三電阻R1c一端相連，所述第三電阻R1c另一端連接第十七NMOS管MN17的漏級；所述第十NMOS管MN10的柵極與第十一NMOS管的柵極接控制信號CTL2，源級與第十一NMOS管MN11的源級相連，并與第二電阻R1b的一端相連，所述第二電阻R1b的另一端連接第一NLDMOS管HM1的漏級；第十二NMOS管MN12的柵極接控制信號CTL1，漏級與第十一NMOS管MN11的漏級相連，并連接第四NMOS管MN4的源級；第四NMOS管MN4與第三NMOS管MN3的柵極接電源，第三NMOS管MN3的源級與第四NMOS管MN4的漏級相接，漏級連接第八電阻R3b的一端，所述第八電阻R3b的另一端通過第六電阻R2b接電源，所述第八電阻R3b與第六電阻R2b之間引出輸出信號VG，并連接到比較器的反相輸入端；第十七NMOS管MN17的柵極連接輸入信號SLEEP，源級接地；第一NLDMOS管HM1的柵極接電源，源級接輸入信號PGND；