[發明專利]一種TFT陣列基板及其制備方法、顯示裝置

有效

• 申請號: 202110038504.2
• 申請日: 2021-01-12
• 公開（公告）號: CN112864174B
• 公開（公告）日: 2023-06-06
• 發明（設計）人: 宋泳錫;劉威;孫宏達
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L29/417;H01L29/786;H01L21/77;B82Y40/00
• 代理公司: 北京志霖恒遠知識產權代理有限公司 11435
• 代理人: 郭棟梁

1.一種TFT陣列基板，包括源極和漏極，其特征在于，所述源極和漏極之間形成凸起型結構，所述凸起型結構內部設置有第一柵極，所述源極和所述漏極在所述第一柵極平面的投影與所述第一柵極未交疊或接近未交疊；所述源極和所述漏極上均設置有主體、縱向延伸部和橫向延伸部，所述縱向延伸部設置在所述源極和所述漏極主體的相對側，所述橫向延伸部設置在所述縱向延伸部的頂部；

還包括設置在襯底上的第二柵極，所述襯底上設置有與所述第二柵極配合的凸臺，所述襯底上設置有第二平坦層，所述第二平坦層未覆蓋所述第二柵極上表面，且所述第二平坦層的上表面與所述第二柵極上表面平齊；

所述第二柵極設置在所述凸起型結構下方對應位置，所述第二柵極的寬度小于所述源極和所述柵極在有源層上形成的溝道寬度；

所述TFT陣列基板的襯底上還設置有凸起；所述TFT陣列基板還包括陽極、與所述陽極同層的陰極、以及位于所述凸起上的陰極；與所述陽極同層的陰極通過過孔與位于所述凸起上的陰極連接；所述凸起上的陰極經由所述凸起的上表面在所述襯底上延伸，且不與所述第二柵極接觸。

2.根據權利要求1所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述源極上的橫向延伸部為第一橫向延伸部，所述漏極上的橫向延伸部為第二橫向延伸部，所述第一橫向延伸部的內側邊緣和所述第二橫向延伸部的內側邊緣分別與所述第一柵極的兩側邊緣對齊或者接近對齊。

3.根據權利要求1所述的TFT陣列基板，其特征在于，還包括有源層，所述漏極和所述源極通過設置在第一層間介電層上的過孔與所述有源層接觸。

4.根據權利要求3所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述第一柵極和所述有源層之間設置有第一柵極絕緣層，所述凸起型結構內圍繞所述第一柵極和所述第一柵極絕緣層填充有第二層間介電層。

5.根據權利要求3或4所述的TFT陣列基板，其特征在于，還包括襯底，所述襯底上設置有遮光層和第一平坦層，所述第一平坦層覆蓋所述遮光層。

6.根據權利要求5所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述第一平坦層與所述有源層之間設置有第一緩沖層。

7.根據權利要求1所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述第二柵極與所述有源層之間設置有第二緩沖層或者第二柵極絕緣層。

8.根據權利要求7所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述第二緩沖層或者第二柵極絕緣層與所述襯底之間設置有第二平坦層，所述第二平坦層未覆蓋所述第二柵極的上表面。

9.根據權利要求1所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述第二柵極覆蓋在所述凸臺的側表面并在所述襯底上向所述凸臺的外側延伸。

10.一種TFT陣列基板制備方法，用于制備如權利要求1-9任一所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述方法包括：

在襯底上形成凸臺；

在所述凸臺上形成第二柵極；

在所述襯底上涂覆旋涂硅玻璃作為第二平坦層，所述第二平坦層未覆蓋所述第二柵極上表面；

在所述第二平坦層上表面和所述第二柵極上表面上形成第二緩沖層或者第二柵極絕緣層；

在所述第二緩沖層或者第二柵極絕緣層上形成有源層；

在所述有源層上形成第一柵極絕緣層，并在所述第一柵極絕緣層上制作一個金屬電極作為第一柵極；

在所述緩沖層或者第二柵極絕緣層上方形成層間介電層，在形成層間介電層的同時，形成漏極和源極與所述緩沖層接觸的過孔，所述層間介電層覆蓋所述第一柵極和所述第一柵極絕緣層；

形成源漏金屬層并進行圖案化，所述源漏金屬層的圖形包括源極和漏極，所述源極和漏極通過所述層間介電層上的過孔形成的主體、位于所述源極和所述漏極主體的相對側上的縱向延伸部、位于所述縱向延伸部的頂部的橫向延伸部。