[發明專利]一種TFT陣列基板及其制備方法、顯示裝置有效
| 申請號: | 202110038504.2 | 申請日: | 2021-01-12 |
| 公開(公告)號: | CN112864174B | 公開(公告)日: | 2023-06-06 |
| 發明(設計)人: | 宋泳錫;劉威;孫宏達 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L29/417;H01L29/786;H01L21/77;B82Y40/00 |
| 代理公司: | 北京志霖恒遠知識產權代理有限公司 11435 | 代理人: | 郭棟梁 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 tft 陣列 及其 制備 方法 顯示裝置 | ||
本申請公開了一種TFT陣列基板及其制備方法、顯示裝置,其中TFT陣列基板,包括源極和漏極,所述源極和漏極之間形成凸起型結構,所述凸起型結構內部設置有第一柵極,所述源極和所述漏極在所述第一柵極平面的投影與所述第一柵極未交疊或接近未交疊。本申請實施例提供的TFT陣列基板,通過在漏極和源極之間形成向上的凸起型結構,將頂柵設置于凸起型結構內,控制頂柵與源漏極之間的覆蓋面積,控制寄生電容、寄生電壓的產生。此設計可以適用于窄通道或者寬通道的情形;同時,此設計還適用雙柵結構,通過適用雙柵來增大關態電流或者通過最大限度減小寄生電容或者寄生電壓的產生從而增加通態電流。
技術領域
本申請一般涉及半導體制造技術領域,具體涉及一種TFT陣列基板及其制備方法、顯示裝置。
背景技術
基于薄膜晶體管(TFT)陣列基板的液晶顯示器(TFT-LCD)具有其它任何一種平板顯示和陰極射線管(CRT)所無法企及的優點,如體積薄、重量輕、畫面品質優異、功耗低、壽命長、數字化等。這使其在各種大、中、小尺寸的產品上都得到廣泛應用,逐步取代了傳統的CRT顯示器,快速進入了人們的日常生活中,幾乎涵蓋了當今信息社會的主要電子產品。如電視、監視器、便攜式電腦、手機、PDA、GPS、車載顯示、儀器儀表、公共顯示和醫用顯示等。
然而,由于液晶顯示器是一種靠電場來調節液晶分子的排列狀態,從而實現光通量調制的被動型顯示器件,需要精細的有源驅動矩陣(Array)配合各像素區液晶的偏轉狀況。
在現有技術中,要提高有源層的導電溝道的導電能力,可通過增大TFT的柵極面積或使用雙柵薄膜晶體管實現。其中,雙柵薄膜晶體管以其不會減小陣列基板的開口率、同時又能提高有源層的導電溝道的導電能力等優勢而得到廣泛使用。
但是,無論是增大柵極面積或者使用雙柵結構,都可能產生寄生電容和寄生電壓,例如柵極和源漏極之間的寄生電容,再如雙柵結構中底柵和有源層之間的寄生電容。對于頂柵的情況,可以通過頂柵自對準設計控制頂柵與源漏極之間的寄生電容和寄生電壓;但對于底柵的情況,此設計并不適用,現有中通過底柵上的緩沖層無法阻止底柵和有源層的覆蓋區域產生寄生電壓或寄生電容。
發明內容
鑒于現有技術中的上述缺陷或不足,期望提供一種TFT陣列基板及其制備方法、顯示裝置,可以有效減小薄膜晶體管陣列基板上的寄生電容和寄生電壓。
進一步地,一種TFT陣列基板,包括源極和漏極,其特征在于,所述源極和漏極之間形成凸起型結構,所述凸起型結構內部設置有第一柵極,所述源極和所述漏極在所述第一柵極平面的投影與所述第一柵極未交疊或接近未交疊。
進一步地,所述源極和所述漏極上均設置有主體、縱向延伸部和橫向延伸部,所述縱向延伸部設置在所述源極和所述漏極主體的相對側,所述橫向延伸部設置在所述縱向延伸部的頂部。
進一步地,所述源極上的橫向延伸部為第一橫向延伸部,所述漏極上的橫向延伸部為第二橫向延伸部,所述第一橫向延伸部的內側邊緣和所述第二橫向延伸部的內側邊緣分別與所述第一柵極的兩側邊緣對齊或者接近對齊。
進一步地,還包括有源層,所述漏極和所述源極通過設置在第一層間介電層上的過孔與所述有源層接觸。
進一步地,所述第一柵極和所述有源層之間設置有第一柵極絕緣層,所述凸起型結構內圍繞所述第一柵極和所述第一柵極絕緣層填充有第二層間介電層。
進一步地,還包括襯底,所述襯底上設置有遮光層和第一平坦層,所述第一平坦層覆蓋所述遮光層。
進一步地,所述第一平坦層與所述有源層之間設置有第一緩沖層。
第二方面,本申請提供了一種TFT陣列基板制備方法,用于制備如以上所述的TFT陣列基板,其特征在于,所述方法包括:
在襯底上形成遮光層;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





