[發明專利]電漿清潔設備在審
| 申請號: | 202110036553.2 | 申請日: | 2021-01-12 |
| 公開(公告)號: | CN114765102A | 公開(公告)日: | 2022-07-19 |
| 發明(設計)人: | 林俊成;鄭耀璇 | 申請(專利權)人: | 鑫天虹(廈門)科技有限公司 |
| 主分類號: | H01J37/32 | 分類號: | H01J37/32;H01L21/67;B08B7/00 |
| 代理公司: | 北京科龍寰宇知識產權代理有限責任公司 11139 | 代理人: | 孫皓晨 |
| 地址: | 361101 福建省廈門市廈門火*** | 國省代碼: | 福建;35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 清潔 設備 | ||
本發明是一種電漿清潔設備,包括腔體、射頻電極、載臺、電極與第一遮板,其中第一遮板相鄰腔體頂部,且第一遮板具有復數第一開口以形成非平整底面。在電漿清潔設備的清潔過程中,氬離子撞擊載臺上的鋁基板,而濺鍍出來的鋁與腔體中的臟污反應,并吸附在第一遮板的非平整底面,以降低腔體他處受臟污附著的機率。
技術領域
本發明是一種電漿清潔設備,尤其指一種透過第一遮板收集臟污的一種電漿清潔設備。
背景技術
在半導體的電漿清洗制程中,是使電漿清洗設備產生電漿,讓氬氣經解離后撞擊晶圓,以撞擊出晶圓表面的臟污,達到晶圓清潔的效果。然而,部分臟污懸浮在腔體中,且可能掉落回晶圓表面,并隨著晶圓進行后續制程,例如金屬鍍膜制程。若臟污掉落于晶圓未來的布線區,將使導線無法導通,進而降低產品的良率。
一種改善上述問題的方法是在固定的周期以鋁基板取代晶圓受氬離子的撞擊,濺鍍出來的鋁可與殘留在腔體的臟污反應,并附著于腔體的遮板上,降低臟污掉落回晶圓表面的機率。然而,由于電漿清洗設備是利用線圈感應磁場來產生電漿以進行電漿清洗制程,當腔體被過多金屬覆蓋時,將造成感應磁場的穿透受到阻礙,進而影響電漿的產生。
一種改善題的方法是使用側向線圈搭配陶瓷拱頂,并采用金屬框架來遮蔽附著臟污的鋁,以降低金屬附著在陶瓷拱頂的機率。然而,陶瓷拱頂的制作過程復雜,耗時長且制作成本較高。
發明內容
因此,為了克服現有技術的不足處,本發明實施例提供一種電漿清潔設備,可以讓附著臟污的鋁卡在電漿清潔設備的第一遮板的非平整底面(例如,第一遮板的凹槽內),如此,可降低臟污懸浮在腔體他處的機率,以增加晶圓的潔凈度。
基于前述目的的至少其中之一者,本發明實施例提供的電漿清潔設備包括腔體、射頻電極、載臺、電極與第一遮板。所述腔體具有腔體頂部與容置空間,而射頻電極連接腔體頂部,載臺位于容置空間內,電極則連接載臺。所述第一遮板位于腔體的容置空間內且相鄰腔體頂部,其中第一遮板具有復數第一開口以形成非平整底面。
可選地,所述第一遮板還包括復數第一封閉部,而第一封閉部相鄰腔體頂部且與第一開口彼此相對,以在第一遮板形成復數凹槽。
可選地,所述第一開口的截面積小于第一封閉部的截面積。
可選地,所述凹槽還包括第一部分與第二部分,其中第一開口位于第一部分,而第二部分相鄰第一封閉部,其中第一部分的截面積小于第二部分的截面積。
可選地,所述凹槽的截面積由第一開口朝第一封閉部的方向逐漸增加。
可選地,所述凹槽的截面積由第一開口朝第一封閉部的方向逐漸減少。
可選地,所述凹槽的截面積由第一開口朝第一封閉部的方向漸縮到零,且復數第一開口彼此緊鄰,以使第一遮板的縱切面的復數凹槽形成鋸齒狀。
可選地,所述第一遮板的非平整底面涂布有化學材料,以使非平整底面形成凹凸面,以增加非平整底面的表面積。
可選地,所述化學材料為氧化釔、氧化鋁或陶瓷。
可選地,所述電漿清潔設備還包括第二遮板,位于第一遮板與載臺之間,其中第二遮板具有復數下開口與復數上開口,且復數下開口連通復數上開口,以在第二遮板形成復數通孔。
簡言之,本發明實施例提供的電漿清潔設備是透過第一遮板的非平整底面捕捉附著臟污的金屬,以降低臟污存在腔體他處的機率,如此,可增加晶圓的潔凈度,故于對電漿清洗設備及制程有需求的市場(例如,半導體)具有優勢。
附圖說明
圖1是本發明實施例的電漿清潔設備的示意圖。
圖2是本發明實施例的第一遮板的示意圖。
圖3是本發明另一實施例的第一遮板的示意圖。
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