[發(fā)明專利]聲表面波濾波器及其制造方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110036031.2 | 申請日: | 2021-01-12 |
| 公開(公告)號: | CN113162577A | 公開(公告)日: | 2021-07-23 |
| 發(fā)明(設計)人: | 岸田和人;垣尾省司;水野潤 | 申請(專利權)人: | 株式會社日本制鋼所 |
| 主分類號: | H03H9/145 | 分類號: | H03H9/145;H03H3/08 |
| 代理公司: | 上海思微知識產(chǎn)權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 曹廷廷 |
| 地址: | 日本國東京都*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 表面波 濾波器 及其 制造 方法 | ||
本發(fā)明涉及一種聲表面波濾波器及其制造方法。該聲表面波濾波器包括:氧化物晶體基板;壓電晶體基板,鍵合在所述氧化物晶體基板上;和叉指式換能器電極,形成在所述壓電晶體基板上;其中,所述壓電晶體基板的厚度為0.05至0.5μm,并且使用奇次諧波。
技術領域
本發(fā)明涉及濾波器,尤其涉及一種聲表面波濾波器和用于制造聲表面波濾波器的方法。
背景技術
隨著諸如移動電話之類的移動通信設備的發(fā)展,期望改善聲表面波(SAW,SurfaceAcoustic Wave)濾波器,例如可以提高其頻率并加寬其頻帶。如在申請?zhí)枮?018-026695、2019-004308、2019-145920的日本未審查專利申請公開文件中所披露的,本申請的發(fā)明人已經(jīng)開發(fā)了SAW濾波器,其中壓電晶體基板被鍵合在氧化物基板上,例如作為石英基板。
SAW濾波器包括形成在壓電晶體基板上方的梳狀IDT(叉指式換能器)電極。于1969年12月刊登的第16卷,第12期,IEEE Transactions on Electron Devices期刊中第1014-1017頁中刊登的由H.Engan發(fā)表的“叉指式換能器的空間諧波對彈性表面波的激勵”(以下簡稱為Engan)中公開了SAW濾波器的奇次諧波相對于其基波的相對激勵強度根據(jù)IDT電極的各個電極指寬w和電極指間距p之間的比率(金屬化率)w/d而變化。
發(fā)明內(nèi)容
針對將壓電晶體基板鍵合在氧化物基板上的聲表面波濾波器,發(fā)明人在對其開發(fā)過程中發(fā)現(xiàn)了各種問題。
根據(jù)本發(fā)明的描述以及附圖,其他待解決問題及新穎特征將變得容易理解。
在根據(jù)一實施例的聲表面波濾波器中,在由氧化物晶體制成的支撐基板上鍵合的壓電晶體基板的厚度為0.05至0.5μm,并且使用奇次諧波。
根據(jù)實施例,可以提供優(yōu)良的聲表面波濾波器。
根據(jù)下文給出的詳細描述和附圖,本公開內(nèi)容的上述和其他目的,特征和優(yōu)點將變得更加充分地理解,附圖僅通過說明的方式給出,因此不應視為對本公開內(nèi)容的限制。
附圖說明
圖1是示出根據(jù)第一實施例的使用SAW濾波器的無線電接收電路(radioreceiving circuit)RX的配置示例的框圖。
圖2為第一實施例的SAW濾波器的配置示例的截面圖。
圖3是表示奇次諧波的相對激勵強度與金屬化率的關系的曲線圖。
圖4是示出漏聲表面波關于歸一化的LT基板的厚度h的機電耦合系數(shù)K2的變化的曲線圖,其中該歸一化基于基波的波長λ。
圖5是示出通過根據(jù)第一實施例的SAW濾波器的仿真來分析諧振特性的結果的曲線圖。
具體實施方式
以下,參考附圖對具體實施方式進行詳細描述。然而,本公開不限于以下示出的實施例。此外,為了清晰起見,以下描述和附圖在適當之處進行了簡化。
(第一實施例)
使用聲表面波過濾器的無線電接收電路RX的配置
首先,將參照圖1描述根據(jù)第一實施例的使用聲表面波濾波器(以下也稱為SAW濾波器)的無線電接收電路RX的配置。圖1是示出根據(jù)第一實施例的使用SAW濾波器的無線電接收電路RX的配置示例的框圖。圖1所示的無線電接收電路RX是超外差型無線電接收電路,并且例如用于移動電話。注意,圖1所示的無線電接收電路RX僅是使用SAW濾波器的示例,SAW濾波器的使用不限于任何特定用途。
首先,將給出無線電接收電路RX的概述。
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