[發明專利]聲表面波濾波器及其制造方法

在審

• 申請號: 202110036031.2
• 申請日: 2021-01-12
• 公開（公告）號: CN113162577A
• 公開（公告）日: 2021-07-23
• 發明（設計）人: 岸田和人;垣尾省司;水野潤
• 申請（專利權）人: 株式會社日本制鋼所
• 主分類號: H03H9/145
• 分類號: H03H9/145;H03H3/08
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 曹廷廷

1.一種聲表面波濾波器，其特征在于，包括：

氧化物晶體基板；

壓電晶體基板，鍵合在所述氧化物晶體基板上；和

叉指式換能器電極，形成在所述壓電晶體基板上；

其中，所述壓電晶體基板的厚度為0.05至0.5μm，并且使用奇次諧波。

2.根據權利要求1所述的聲表面波濾波器，其特征在于，使用三次諧波。

3.根據權利要求1所述的聲表面波濾波器，其特征在于，

所述叉指式換能器電極的每個電極指的寬度w為0.2至1.5μm，該寬度w與該電極指的間距p之間的比率w/p為0.7至0.9。

4.根據權利要求1所述的聲表面波濾波器，其特征在于，

所述氧化物晶體基板為石英晶體基板，所述壓電晶體基板為LiTaO₃基板。

5.根據權利要求4所述的聲表面波濾波器，其特征在于，

所述氧化物晶體基板是AT切割的0-90°X向傳播石英晶體基板，所述壓電晶體基板是36-45°Y向切割的X向傳播LiTaO₃基板。

6.一種聲表面波濾波器制造方法，其特征在于，包括如下步驟：

(a)在氧化物晶體基板上鍵合厚度為0.05至0.5μm的壓電晶體基板；

(b)在所述壓電晶體基板上形成叉指式換能器電極；

其中，所述壓電晶體基板的厚度為0.05至0.5μm，所述聲表面波濾波器使用奇次諧波。

7.根據權利要求6所述的聲表面波濾波器制造方法，其特征在于，所述聲表面波濾波器使用三次諧波。

8.根據權利要求6所述的聲表面波濾波器制造方法，其特征在于，

所述叉指式換能器電極的每個電極指的寬度w為0.2至1.5μm，該寬度w與該電極指的間距p之間的比率w/p為0.7至0.9。

9.根據權利要求6所述的聲表面波濾波器制造方法，其特征在于，

所述氧化物晶體基板為石英晶體基板，所述壓電晶體基板是LiTaO₃基板。

10.根據權利要求9所述的聲表面波濾波器制造方法，其特征在于，

所述氧化物晶體基板是AT切割的0-90°X向傳播石英晶體基板，所述壓電晶體基板是36-45°Y向切割的X向傳播LiTaO₃基板。