[發明專利]一種扇出型板級封裝方法及其結構在審
| 申請號: | 202110035869.X | 申請日: | 2021-01-12 |
| 公開(公告)號: | CN112864027A | 公開(公告)日: | 2021-05-28 |
| 發明(設計)人: | 滕乙超;魏瑀;劉洋洋;劉東亮;王波 | 申請(專利權)人: | 浙江荷清柔性電子技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/50 | 分類號: | H01L21/50;H01L21/56;H01L23/13;H01L23/31 |
| 代理公司: | 重慶中之信知識產權代理事務所(普通合伙) 50213 | 代理人: | 梁欣 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 扇出型板級 封裝 方法 及其 結構 | ||
本發明公開了一種扇出型板級封裝方法,包括:提供具有陣列式分布的多個窗口的薄膜;將所述薄膜貼附在第一載板上;將芯片貼附在對應的所述窗口處;用干膜覆蓋所述薄膜和芯片并填充所述薄膜和芯片之間的間隙;固化所述干膜;去除所述第一載板,得到薄膜?芯片?干膜結構。還公開了一種扇出型板級封裝結構。本發明能解決現有的扇出型板級封裝工藝中的全板易翹曲、易斷裂、工藝復雜等問題,有效降低了封裝成本,可靠性高。
技術領域
本發明屬于扇出型板級封裝技術領域,具體涉及一種扇出型板級封裝方法及其結構。
背景技術
隨著微電子封裝技術的發展,芯片尺寸越來越小,晶體管數量越來越高,傳統的BGA封裝難以滿足小型化的趨勢,隨之衍生出了扇出型封裝技術。扇出型封裝又分為扇出型晶圓封裝(FOWLP)以及扇出型板級封裝(FOPLP);扇出型晶圓封裝是先將晶圓片整體封裝后再切割成單個芯片,具有小而薄的特點;而扇出型板級封裝是采用大面積的載板,將大量挑選過的芯片放在載板上進行整體封裝,再切割成單個芯片,具有低成本的特點。
現有技術中,大規模板級封裝工藝均采用環氧樹脂等硬質材料在硬質基板上構造封裝體結構,但是由于熱膨脹系數(CTE)匹配性的影響,該類工藝方法無法很好的控制全板的翹曲問題,在完成全板釋放后,極易發生斷裂,造成部分封裝體失效或破損。同時,該類工藝方案也需要對環氧進行涂覆、固化以及整平等多道工藝,工藝繁瑣,對工藝水平與設備能力要求較大。
發明內容
針對現有技術中所存在的不足,本發明提供了一種能解決現有的扇出型板級封裝工藝中的全板易翹曲、易斷裂、工藝復雜等問題的扇出型板級封裝方法及其結構。
第一方面,一種扇出型板級封裝方法,包括:
提供具有陣列式分布的多個窗口的薄膜;
提供第一載板,將所述薄膜通過第一鍵合膠貼附在所述第一載板上;
提供多個芯片,將每個所述芯片分別貼附在對應的所述窗口處,所述芯片的正面與所述第一鍵合膠貼合;
提供干膜,將所述干膜覆蓋所述薄膜和所述芯片并填充所述薄膜和所述芯片之間的間隙;
固化所述干膜;
去除所述第一載板,得到薄膜-芯片-干膜結構。
一種實施例中,所述去除所述第一載板,得到薄膜-芯片-干膜結構之后,還包括:
提供第二載板,將所述薄膜-芯片-干膜結構的所述干膜一側通過第二鍵合膠貼附在所述第二載板上;
在所述薄膜和所述芯片表面制作布線介質層以及重布線層。
第二方面,一種扇出型板級封裝結構,包括封裝基板以及正面位于所述封裝基板上表面的芯片,所述封裝基板包括下層的干膜和上層的薄膜,所述薄膜上開設有容納所述芯片的窗口,所述窗口尺寸大于所述芯片,所述窗口邊緣與所述芯片邊緣之間的部分由所述干膜填充。
一種實施例中,還包括設置在所述封裝基板上表面一側的布線介質層和重布線層,所述重布線層與所述芯片電連接。
一種實施例中,所述薄膜的窗口邊緣與對應的所述芯片邊緣的距離大于兩倍的所述干膜厚度。
一種實施例中,所述干膜的CTE和彈性模量與所述薄膜相匹配。
一種實施例中,所述薄膜采用FPC薄膜基板,所述干膜采用聚酰亞胺干膜材料;或
所述薄膜采用PET基材,所述干膜采用RCC干膜固化片。
一種實施例中,所述薄膜的厚度大于所述芯片的厚度。
一種實施例中,所述干膜的厚度不小于所述薄膜的厚度。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





