[發明專利]一種扇出型板級封裝方法及其結構在審
| 申請號: | 202110035869.X | 申請日: | 2021-01-12 |
| 公開(公告)號: | CN112864027A | 公開(公告)日: | 2021-05-28 |
| 發明(設計)人: | 滕乙超;魏瑀;劉洋洋;劉東亮;王波 | 申請(專利權)人: | 浙江荷清柔性電子技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/50 | 分類號: | H01L21/50;H01L21/56;H01L23/13;H01L23/31 |
| 代理公司: | 重慶中之信知識產權代理事務所(普通合伙) 50213 | 代理人: | 梁欣 |
| 地址: | 310000 浙江省杭州市杭*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 扇出型板級 封裝 方法 及其 結構 | ||
1.一種扇出型板級封裝方法,其特征在于,包括:
提供具有陣列式分布的多個窗口的薄膜;
提供第一載板,將所述薄膜通過第一鍵合膠貼附在所述第一載板上;
提供多個芯片,將每個所述芯片分別貼附在對應的所述窗口處,所述芯片的正面與所述第一鍵合膠貼合;
提供干膜,將所述干膜覆蓋所述薄膜和所述芯片并填充所述薄膜和所述芯片之間的間隙;
固化所述干膜;
去除所述第一載板,得到薄膜-芯片-干膜結構。
2.根據權利要求1所述的一種扇出型板級封裝方法,其特征在于,所述去除所述第一載板,得到薄膜-芯片-干膜結構之后,還包括:
提供第二載板,將所述薄膜-芯片-干膜結構的所述干膜一側通過第二鍵合膠貼附在所述第二載板上;
在所述薄膜和所述芯片表面制作布線介質層以及重布線層。
3.一種扇出型板級封裝結構,其特征在于,包括封裝基板以及正面位于所述封裝基板上表面的芯片,所述封裝基板包括下層的干膜和上層的薄膜,所述薄膜上開設有容納所述芯片的窗口,所述窗口尺寸大于所述芯片,所述窗口邊緣與所述芯片邊緣之間的部分由所述干膜填充。
4.根據權利要求3所述的一種扇出型板級封裝結構,其特征在于:
還包括設置在所述封裝基板上表面一側的布線介質層和重布線層,所述重布線層與所述芯片電連接。
5.如權利要求1或2所述的一種扇出型板級封裝方法或權利要求3或4所述的一種扇出型板級封裝結構,其特征在于:
所述薄膜的窗口邊緣與對應的所述芯片邊緣的距離大于兩倍的所述干膜厚度。
6.如權利要求1或2所述的一種扇出型板級封裝方法或權利要求3或4所述的一種扇出型板級封裝結構,其特征在于:
所述干膜的CTE和彈性模量與所述薄膜相匹配。
7.如權利要求6所述的一種扇出型板級封裝方法或一種扇出型板級封裝結構,其特征在于:
所述薄膜采用FPC薄膜基板,所述干膜采用聚酰亞胺干膜材料;或
所述薄膜采用PET基材,所述干膜采用RCC干膜固化片。
8.如權利要求1或2所述的一種扇出型板級封裝方法或權利要求3或4所述的一種扇出型板級封裝結構,其特征在于:
所述薄膜的厚度大于所述芯片的厚度。
9.如權利要求8所述的一種扇出型板級封裝方法或一種扇出型板級封裝結構,其特征在于:
所述干膜的厚度不小于所述薄膜的厚度。
10.如權利要求1或2所述的一種扇出型板級封裝方法或權利要求3或4所述的一種扇出型板級封裝結構,其特征在于:
所述芯片的厚度在50μm以下。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





