[發明專利]掩膜版及其制備方法、顯示面板

在審

• 申請號: 202110035362.4
• 申請日: 2021-01-12
• 公開（公告）號: CN112799278A
• 公開（公告）日: 2021-05-14
• 發明（設計）人: 彭釗
• 申請（專利權）人: TCL華星光電技術有限公司
• 主分類號: G03F1/32
• 分類號: G03F1/32;H01L27/32
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 遠明

本發明提供一種掩膜版，所述掩膜版包括：襯底；遮光區，其形成于所述襯底上以遮蔽預定波段的輻射光；完全透射區，其形成于所述襯底上以完全透射所述輻射光；以及兩個以上的半透射區，其形成于所述襯底上以透射部分所述輻射光；其中，所述每個半透射區各自由具有不同禁帶寬度的半透射材料構成，本發明根據所述半透射材料對不同波長的輻射光具有選擇性吸收的原理，通過調整所述半透射材料的禁帶寬度，控制所述半透射材料對輻射光的吸收，單個掩膜版可形成多膜層的圖案效果，節約了顯示面板的制作成本。

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，具體涉及一種掩膜版及其制備方法、顯示面板。

背景技術

現有技術中，顯示面板中的TFT(thin film transistor，薄膜晶體管)和CF(colorfilter，濾色器)沉積/涂覆有許多膜層，曝光(photo)制程是制作顯示面板中的許多膜層制程中的關鍵技術，曝光制程的關鍵設備為曝光機，每一個曝光制程均需要用到曝光機中的掩膜版。

傳統的曝光機主要是光罩圖案轉印式曝光機，這種曝光機受限于光罩掩膜轉印技術，將掩膜版上面的圖案轉印到基板上，一個掩膜版形成的圖案有限，難以實現階梯曝光策略。

因此，顯示面板中的多個膜層的制作過程中需要用到多個掩膜版。出現顯示面板的制作過程變得復雜，顯示面板的成本增加的問題。

發明內容

為解決以上問題，本發明提供一種掩膜版及其制備方法、顯示面板，旨解決現有的掩膜版形成的圖案過少，多個膜層需要用到多個掩膜版，顯示面板的制造成本增加的問題

一方面，本發明提供一種掩膜版，所述掩膜版包括：

襯底；

遮光區，其形成于所述襯底上以遮蔽預定波段的輻射光；

完全透射區，其形成于所述襯底上以完全透射所述輻射光；以及

兩個以上的半透射區，其形成于所述襯底上以透射部分所述輻射光；

其中，所述每個半透射區各自由具有不同禁帶寬度的半透射材料構成。

在一些實施例中，所述半透射材料包括半導體材料，所述半導體材料具有光的可吸收性，所述兩個以上的半透射區的所述輻射光透射量或強度根據所述半導體材料的禁帶寬度加以控制。

在一些實施例中，所述半透射材料還包括摻雜材料，所述摻雜材料具有對所述半導體材料的禁帶寬度的可調節性，從而調節所述半透射區的幅射光透射量或透射強度。

在一些實施例中，所述摻雜材料占所述半導體材料的重量百分數的范圍可以為0％～50％、1～40％、2～30％，具體可以為0.01％、0.05％、0.1％、1％、5％、15％、20％、35％、40％等，上述重量百分數的范圍僅為舉例，在本發明其他實施例中，所述摻雜材料占所述半導體材料的重量百分數還可以采用其他的范圍，例如0％～10％。

在一些實施例中，所述半導體材料包括氧化鋅(ZnO)，所述摻雜材料包括(CdS)1-x(ZnS)x，其中，下標x是自然數，例如1或0，用于限定每種化學元素的個數。

在一些實施例中，所述半導體材料包括TiO₂，所述摻雜材料包括金屬材料，例如釩(V)、鉻(Cr)、錳(Mn)、鐵(Fe)、鈷(Co)、鈮(Nb)、鉬(Mo)和銠(Rh)。

在一些實施例中，所述遮光區由遮光材料構成，所述遮光材料包括鉻(Cr)。

在一些實施例中，所述半透射材料的厚度范圍可以為0.01mm～2mm，具體可為0.05mm、0.1mm、0.25mm、0.5mm、1mm、1.5mm等，上述半透射材料的厚度范圍僅為舉例，在本發明其他實施例中，所述半透射材料的厚度還可以采用其他的范圍，例如0.01mm～0.2mm。