[發明專利]掩膜版及其制備方法、顯示面板

在審

• 申請號: 202110035362.4
• 申請日: 2021-01-12
• 公開（公告）號: CN112799278A
• 公開（公告）日: 2021-05-14
• 發明（設計）人: 彭釗
• 申請（專利權）人: TCL華星光電技術有限公司
• 主分類號: G03F1/32
• 分類號: G03F1/32;H01L27/32
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 遠明

1.一種掩膜版，其特征在于，所述掩膜版包括：

襯底；

遮光區，其形成于所述襯底上以遮蔽預定波段的輻射光；

完全透射區，其形成于所述襯底上以完全透射所述輻射光；以及

兩個以上的半透射區，其形成于所述襯底上以透射部分所述輻射光；

其中，所述每個半透射區各自由具有不同禁帶寬度的半透射材料構成。

2.根據權利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述半透射材料包括半導體材料。

3.根據權利要求2所述的掩膜版，其特征在于，所述半透射材料還包括摻雜材料，所述摻雜材料具有對所述半導體材料的禁帶寬度的可調節性。

4.根據權利要求3所述的掩膜版，其特征在于，所述半導體材料包括ZnO，所述摻雜材料包括(CdS)_1-x(ZnS)_x，其中，下標x是自然數并且限定每種化學元素的個數。

5.根據權利要求3所述的掩膜版，其特征在于，所述半導體材料包括TiO₂，所述摻雜材料包括金屬材料。

6.根據權利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述遮光區由遮光材料構成，所述遮光材料包括Cr。

7.根據權利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述半透射材料的厚度范圍為0.01mm-0.2mm。

8.一種掩膜版的制備方法，其特征在于，包括：

在襯底上分別形成用于遮蔽預定波段的輻射光的遮光區、完全透射所述輻射光的完全透射區以及兩個以上的用于透射部分所述輻射光的半透射區，

其中，所述每個半透射區各自由具有不同禁帶寬度的半透射材料構成。

9.根據權利要求8所述的掩膜版的制備方法，其特征在于，所述遮光區以及所述兩個以上的半透射區的形成均使用了蒸鍍工藝、涂光刻膠工藝、曝光工藝、顯影工藝、蝕刻工藝以及去除光刻膠工藝。

10.一種顯示面板，其特征在于，所述顯示面板中包括一基板，所述基板包括由下至上依次堆疊的多個膜層，所述多個膜層采用如權利要求1至7任一項所述的掩膜版制備。