[發(fā)明專利]掩膜版及其制備方法、顯示面板

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110035362.4
• 申請(qǐng)日: 2021-01-12
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN112799278A
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-05-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 彭釗
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: TCL華星光電技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): G03F1/32
• 分類號(hào): G03F1/32;H01L27/32
• 代理公司: 深圳紫藤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570
• 代理人: 遠(yuǎn)明

1.一種掩膜版，其特征在于，所述掩膜版包括：

襯底；

遮光區(qū)，其形成于所述襯底上以遮蔽預(yù)定波段的輻射光；

完全透射區(qū)，其形成于所述襯底上以完全透射所述輻射光；以及

兩個(gè)以上的半透射區(qū)，其形成于所述襯底上以透射部分所述輻射光；

其中，所述每個(gè)半透射區(qū)各自由具有不同禁帶寬度的半透射材料構(gòu)成。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述半透射材料包括半導(dǎo)體材料。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的掩膜版，其特征在于，所述半透射材料還包括摻雜材料，所述摻雜材料具有對(duì)所述半導(dǎo)體材料的禁帶寬度的可調(diào)節(jié)性。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的掩膜版，其特征在于，所述半導(dǎo)體材料包括ZnO，所述摻雜材料包括(CdS)_1-x(ZnS)_x，其中，下標(biāo)x是自然數(shù)并且限定每種化學(xué)元素的個(gè)數(shù)。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的掩膜版，其特征在于，所述半導(dǎo)體材料包括TiO₂，所述摻雜材料包括金屬材料。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述遮光區(qū)由遮光材料構(gòu)成，所述遮光材料包括Cr。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述半透射材料的厚度范圍為0.01mm-0.2mm。

8.一種掩膜版的制備方法，其特征在于，包括：

在襯底上分別形成用于遮蔽預(yù)定波段的輻射光的遮光區(qū)、完全透射所述輻射光的完全透射區(qū)以及兩個(gè)以上的用于透射部分所述輻射光的半透射區(qū)，

其中，所述每個(gè)半透射區(qū)各自由具有不同禁帶寬度的半透射材料構(gòu)成。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的掩膜版的制備方法，其特征在于，所述遮光區(qū)以及所述兩個(gè)以上的半透射區(qū)的形成均使用了蒸鍍工藝、涂光刻膠工藝、曝光工藝、顯影工藝、蝕刻工藝以及去除光刻膠工藝。

10.一種顯示面板，其特征在于，所述顯示面板中包括一基板，所述基板包括由下至上依次堆疊的多個(gè)膜層，所述多個(gè)膜層采用如權(quán)利要求1至7任一項(xiàng)所述的掩膜版制備。