[發明專利]顯示面板及其制作方法在審
| 申請號: | 202110034681.3 | 申請日: | 2021-01-12 |
| 公開(公告)號: | CN112864200A | 公開(公告)日: | 2021-05-28 |
| 發明(設計)人: | 潘杰 | 申請(專利權)人: | 武漢華星光電半導體顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H04R7/04 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570 | 代理人: | 遠明 |
| 地址: | 430079 湖北省武漢市東湖新技術*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 面板 及其 制作方法 | ||
一種顯示面板及其控制方法,所述顯示面板包括:顯示面板主體;轉變層,貼合于所述顯示面板主體一側;以及光源轉換層,用于發射第一光和第二光;其中,當所述轉變層被所述第一光照射時,所述轉變層處于第一狀態,當所述轉變層被所述第二光照射時,所述轉變層處于第二狀態,所述第一狀態下的所述轉變層的沿垂直于顯示面所在平面的所述高度與所述第二狀態下的所述轉變層的沿垂直于顯示面所在平面的所述高度不同;有益效果為:通過所述光源轉換層發出光源的變化帶動所述轉變層的狀態發生變化,進而使得所述顯示面板發聲,取代了揚聲器的設置,更利于實現所述顯示面板的小型化和薄型化。
技術領域
本發明涉及顯示領域,特別是涉及一種顯示面板及其制作方法。
背景技術
目前,有機電致發光二極管(OLED,Organic Light Emitting Diode)顯示面板越來越成為平板顯示的主流產品。
傳統的OLED顯示面板在顯示時都是通過揚聲器發出聲音,而采用揚聲器作為發聲裝置阻礙了音/視頻設備向小型化和薄型化的方向發展。這使得處于目前技術前沿的OLED顯示面板的發聲裝置仍然采用傳統的發聲技術,這在一定程度上限制了OLED顯示技術向更時尚,更獨特以及更具技術前瞻性的方向發展。
因此,現有的OLED顯示面板技術中,還存在著采用揚聲器作為發生裝置,限制了顯示面板向小型化和薄型化方向發展的問題,急需改進。
發明內容
本發明涉及一種顯示面板及其制作方法,用于解決現有技術中存在著采用揚聲器作為發生裝置,限制了顯示面板向小型化和薄型化方向發展的問題。
為解決上述問題,本發明提供的技術方案如下:
本發明提供的一種顯示面板,所述顯示面板包括:
顯示面板主體;
轉變層,貼合于所述顯示面板主體一側;以及
光源轉換層,用于發射第一光和第二光;
其中,當所述轉變層被所述第一光照射時,所述轉變層處于第一狀態,當所述轉變層被所述第二光照射時,所述轉變層處于第二狀態,所述第一狀態下的所述轉變層沿垂直于顯示面所在平面的高度與所述第二狀態下的所述轉變層沿垂直于顯示面所在平面的高度不同。
在一些實施例中,所述轉變層的材料包括偶氮苯基聚合物類。
在一些實施例中,所述偶氮苯基聚合物類包括:C4AzoC11OH。
在一些實施例中,所述第一光的預設波長范圍為:500納米至560納米;所述第二光的預設波長范圍為:330納米至380納米。
在一些實施例中,所述第一光和/或所述第二光的光線強度與所述轉變層的沿垂直于顯示面所在平面的高度變化的頻率和幅度成正比,所述轉變層的沿垂直于顯示面所在平面的所述高度變化的所述頻率為所述轉變層由所述第一狀態切換到所述第二狀態的頻率,所述轉變層的沿垂直于顯示面所在平面的所述高度變化的所述幅度為所述轉變層的沿垂直于顯示面所在平面的所述高度由所述第一狀態切換到所述第二狀態的差值。
在一些實施例中,所述轉變層的沿垂直于顯示面所在平面的高度差的絕對值與未受所述光源轉換層照射時所述轉換層的沿垂直于顯示面所在平面的所述高度的比值的范圍為:40%至50%;所述轉變層的沿垂直于顯示面所在平面的所述高度差的絕對值為所述第一狀態下的所述轉變層沿垂直于顯示面所在平面的所述高度與所述第二狀態下的所述轉變層沿垂直于顯示面所在平面的所述高度的差的絕對值。
在一些實施例中,所述光源轉換層包括位于所述轉變層遠離所述顯示面板主體一側的第一光源轉換層和第二光源轉換層,所述第一光源轉換層用于發出所述第一光,所述第二光源轉換層用于發出所述第二光。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





