[發(fā)明專利]顯示面板及其制作方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110034681.3 | 申請(qǐng)日: | 2021-01-12 |
| 公開(公告)號(hào): | CN112864200A | 公開(公告)日: | 2021-05-28 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 潘杰 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 武漢華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/32 | 分類號(hào): | H01L27/32;H04R7/04 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570 | 代理人: | 遠(yuǎn)明 |
| 地址: | 430079 湖北省武漢市東湖新技術(shù)*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 顯示 面板 及其 制作方法 | ||
1.一種顯示面板,其特征在于,所述顯示面板包括:
顯示面板主體;
轉(zhuǎn)變層,貼合于所述顯示面板主體一側(cè);以及
光源轉(zhuǎn)換層,用于發(fā)射第一光和第二光;
其中,當(dāng)所述轉(zhuǎn)變層被所述第一光照射時(shí),所述轉(zhuǎn)變層處于第一狀態(tài),當(dāng)所述轉(zhuǎn)變層被所述第二光照射時(shí),所述轉(zhuǎn)變層處于第二狀態(tài),所述第一狀態(tài)下的所述轉(zhuǎn)變層沿垂直于顯示面所在平面的高度與所述第二狀態(tài)下的所述轉(zhuǎn)變層沿垂直于顯示面所在平面的高度不同。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述轉(zhuǎn)變層的材料包括偶氮苯基聚合物類。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示面板,其特征在于,所述偶氮苯基聚合物類包括:C4AzoC11OH。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示面板,其特征在于,所述第一光的預(yù)設(shè)波長范圍為:500納米至560納米;所述第二光的預(yù)設(shè)波長范圍為:330納米至380納米。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述第一光和/或所述第二光的光線強(qiáng)度與所述轉(zhuǎn)變層的沿垂直于顯示面所在平面的高度變化的頻率和幅度成正比,所述轉(zhuǎn)變層的沿垂直于顯示面所在平面的所述高度變化的所述頻率為所述轉(zhuǎn)變層由所述第一狀態(tài)切換到所述第二狀態(tài)的頻率,所述轉(zhuǎn)變層的沿垂直于顯示面所在平面的所述高度變化的所述幅度為所述轉(zhuǎn)變層的沿垂直于顯示面所在平面的所述高度由所述第一狀態(tài)切換到所述第二狀態(tài)的差值。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述轉(zhuǎn)變層的沿垂直于顯示面所在平面的高度差的絕對(duì)值與未受所述光源轉(zhuǎn)換層照射時(shí)所述轉(zhuǎn)換層的沿垂直于顯示面所在平面的所述高度的比值的范圍為:40%至50%;所述轉(zhuǎn)變層的沿垂直于顯示面所在平面的所述高度差的絕對(duì)值為所述第一狀態(tài)下的所述轉(zhuǎn)變層沿垂直于顯示面所在平面的所述高度與所述第二狀態(tài)下的所述轉(zhuǎn)變層沿垂直于顯示面所在平面的所述高度的差的絕對(duì)值。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述光源轉(zhuǎn)換層包括位于所述轉(zhuǎn)變層遠(yuǎn)離所述顯示面板主體一側(cè)的第一光源轉(zhuǎn)換層和第二光源轉(zhuǎn)換層,所述第一光源轉(zhuǎn)換層用于發(fā)出所述第一光,所述第二光源轉(zhuǎn)換層用于發(fā)出所述第二光。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的顯示面板,其特征在于,所述顯示面板還包括設(shè)置在所述轉(zhuǎn)變層與所述顯示面板主體之間的第一緩沖層,以及設(shè)置在所述轉(zhuǎn)變層與所述光源轉(zhuǎn)換層之間的第二緩沖層。
9.一種顯示裝置,其特征在于,所述顯示裝置包括如權(quán)利要求1至8任一項(xiàng)所述的顯示面板。
10.一種顯示面板的控制方法,所述顯示面板為如權(quán)利要求1至8任一項(xiàng)所述的顯示面板,所述顯示面板的控制方法包括:
接收聲音信號(hào);
根據(jù)所述聲音信號(hào)控制所述光源轉(zhuǎn)換層以發(fā)射所述第一光或所述第二光,使得所述轉(zhuǎn)變層處于所述第一狀態(tài)或所述第二狀態(tài)。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于武漢華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司,未經(jīng)武漢華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202110034681.3/1.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





