[發(fā)明專利]閃存磨損方法、裝置、可讀存儲介質(zhì)及電子設(shè)備

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110034314.3
• 申請日: 2021-01-12
• 公開（公告）號: CN112817521B
• 公開（公告）日: 2023-02-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 孫成思;孫日欣;童海濤
• 申請（專利權(quán)）人: 成都佰維存儲科技有限公司
• 主分類號: G06F3/06
• 分類號: G06F3/06;G06F12/02;G11C16/34
• 代理公司: 深圳市博銳專利事務(wù)所 44275
• 代理人: 歐陽燕明

本發(fā)明公開了閃存磨損方法、裝置、可讀存儲介質(zhì)及電子設(shè)備，在每一閃存塊寫入數(shù)據(jù)的時(shí)候，對每一閃存塊中每一頁寫入對應(yīng)的預(yù)設(shè)固定值，在現(xiàn)有技術(shù)中通常往閃存塊的每一頁中寫入隨機(jī)數(shù)據(jù)，而本發(fā)明將每一頁寫入對應(yīng)的預(yù)設(shè)固定值，能夠使每一頁處于對應(yīng)的固定電平值，從而將所有的存儲單元寫入至一個(gè)固定的狀態(tài)，能夠增加閃存的磨損速率，縮短閃存測試前的磨損時(shí)間；其中閃存磨損時(shí)關(guān)閉LDPC編碼功能和校正功能，保證后續(xù)往閃存寫入預(yù)設(shè)固定數(shù)據(jù)時(shí)不受編碼和校正的干擾，從而保證能夠往每一頁寫入固定數(shù)值，加速磨損閃存。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及數(shù)據(jù)存儲技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及閃存磨損方法、裝置、可讀存儲介質(zhì)及電子設(shè)備。

背景技術(shù)

閃存(Nand flash)，一種非易失型存儲器，是SSD(solid state drives，固態(tài)硬盤)的重要組成部分，所以對于固態(tài)硬盤開發(fā)公司來說，要想讓自己的產(chǎn)品更有競爭力，就需要對閃存的特性掌握得足夠透徹，這樣才能更好地使用閃存，提高閃存的壽命以及穩(wěn)定性，因此，也就避免不了需要對閃存進(jìn)行一系列研究。如壽命相關(guān)的研究，經(jīng)常需要對閃存做一些磨損相關(guān)的實(shí)驗(yàn)。另外，某些閃存在使用前幾個(gè)或前十幾個(gè)pec(program erasecount，擦寫次數(shù))時(shí)存在不穩(wěn)定的情況，所以需要在正常使用前讓閃存度過這個(gè)階段，保證SSD固件(SSD firmware)運(yùn)行的穩(wěn)定性。

3D TLC(triple level cell，三層存儲單元，3D是指以堆疊的方式制程，目的是單位面積可以存儲更多的數(shù)據(jù)量，TLC是存儲數(shù)據(jù)的最小單元，TLC類型中一個(gè)存儲單元可以存儲3個(gè)比特位)的壽命大概是2500次pec。如果想要研究閃存在壽命中后期的特性，首先得把閃存磨損到固定的擦寫次數(shù)。請參照圖1，現(xiàn)有技術(shù)中通常閃存磨損是先擦除閃存塊，擦除之后在靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器中準(zhǔn)備要寫入的隨機(jī)數(shù)據(jù)，將隨機(jī)數(shù)據(jù)寫入對應(yīng)的存儲單元中，直到所有閃存塊磨損到固定的擦寫次數(shù)，通過上述方法，磨損全盤到2500次需要約43天的時(shí)間，不同的主控或閃存需要的時(shí)間不同。由此可見前期的閃存磨損工作會耗費(fèi)不少的人力成本，工作效率低。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是：提供一種閃存磨損方法、裝置、可讀存儲介質(zhì)及電子設(shè)備，能夠加速磨損閃存，提高測試效率。

為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的技術(shù)方案為：

一種閃存磨損方法，包括步驟：

接收磨損指令，關(guān)閉所述閃存的LDPC編碼功能和校正功能；

對每一閃存塊進(jìn)行擦除，并對擦除后的每一閃存塊中的每一頁寫入對應(yīng)的預(yù)設(shè)固定值，直至所述每一閃存塊中的每一頁均寫入完成；

循環(huán)上述對所述每一閃存塊進(jìn)行的擦除和寫入操作，直至每一閃存塊的擦寫次數(shù)達(dá)到預(yù)設(shè)擦寫次數(shù)。

為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的另一種技術(shù)方案為：

一種閃存磨損裝置，包括：

初始化模塊，用于接收磨損指令，關(guān)閉所述閃存的LDPC編碼功能和校正功能；

擦寫模塊，用于對每一閃存塊進(jìn)行擦除，并對擦除后的每一閃存塊中的每一頁寫入對應(yīng)的預(yù)設(shè)固定值，直至所述每一閃存塊中的每一頁均寫入完成；

循環(huán)模塊，用于循環(huán)上述對所述每一閃存塊進(jìn)行的擦除和寫入操作，直至每一閃存塊的擦寫次數(shù)達(dá)到預(yù)設(shè)擦寫次數(shù)。

為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的另一種技術(shù)方案為：

一種計(jì)算機(jī)可讀存儲介質(zhì)，其上存儲有計(jì)算機(jī)程序，所述計(jì)算機(jī)程序被處理器執(zhí)行時(shí)實(shí)現(xiàn)上述閃存磨損方法中的各個(gè)步驟。

為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的另一種技術(shù)方案為：