[發明專利]一種具有側出氣孔的功率器件高溫高壓測試用探針卡

有效

• 申請號: 202110032439.2
• 申請日: 2020-07-01
• 公開（公告）號: CN112630480B
• 公開（公告）日: 2022-08-16
• 發明（設計）人: 趙梁玉;王艾琳;王興剛;周明
• 申請（專利權）人: 強一半導體（蘇州）有限公司
• 主分類號: G01R1/067
• 分類號: G01R1/067;G01R1/073;G01R31/26;G01R35/00
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• 代理人: 暫無信息

本發明一種具有側出氣孔的功率器件高溫高壓測試用探針卡屬于半導體器件測試技術領域；該探針卡從上到下依次設置進氣系統、PCB板、轉接層、導引板和探針；進氣系統底部具有多個下出氣孔和側出氣孔，PCB板上分布有與下出氣孔位置、形狀和數量均相同的第一通孔，轉接層上分布有與下出氣孔位置、形狀和數量均相同的第二通孔，導引板上分布有與下出氣孔位置、形狀和數量均相同的第三通孔，下出氣孔、第一通孔、第二通孔和第三通孔同軸設置，從下出氣孔噴射出的高溫高壓氣體，依次經過第一通孔、第二通孔和第三通孔后，吹入導引板與被測晶圓之間；本發明能夠同時抑制高電壓環境下探針之間非正常放電和高溫度環境下探針卡翹曲變形和探針位置漂移。

本申請是發明專利申請《一種功率器件高溫高壓測試用探針卡及其關鍵結構》的分案申請。

原案申請日：2020-07-01。

原案申請號：2020106210634。

原案發明名稱：一種功率器件高溫高壓測試用探針卡及其關鍵結構。

技術領域

本發明一種具有側出氣孔的功率器件高溫高壓測試用探針卡屬于半導體器件測試技術領域。

背景技術

隨著MEMS技術和半導體技術的不斷發展，小型化高功率器件的產量逐年攀升。很多器件要在高電壓和高溫度環境下進行工作。確保這些器件能夠在如此惡劣環境下正常工作，需要用探針卡對其性能進行測試。

功率器件測試的一項重要指標是擊穿電壓，該電壓可以高達幾千伏，在如此高電壓下進行測試，探針卡的探針之間就可能產生非正常放電現象，瞬間就可以損壞測試設備以及被測晶圓。

功率器件測試的另一項重要指標是工作溫度，一般來講，測試芯片要求在-40攝氏度到125攝氏度之間均能夠正常工作，而汽車領域中的部分芯片，要求其能夠在180攝氏度以上的環境下正常工作，那么我們就需要對其在180攝氏度以上的工作情況進行測試。由于探針卡各部件之間存在熱膨脹系數差異，從室溫到180攝氏度以上的溫度變化會造成探針卡的翹曲變形和探針的位置漂移，這不僅降低了測試效果和效率，嚴重時甚至造成測試失敗、探針卡損傷等問題。

可見，如何抑制高電壓環境下探針之間非正常放電現象，以及如何抑制高溫度環境下探針卡翹曲變形和探針位置漂移，是現階段功率器件測試探針卡技術亟待解決的關鍵技術問題，然而，目前還沒有發現能夠同時突破這兩個技術難題的探針卡。

發明內容

針對上述問題，本發明公開了一種功率器件高溫高壓測試用探針卡及其關鍵結構，不僅能夠抑制高電壓環境下探針之間非正常放電現象，而且能夠抑制高溫度環境下探針卡翹曲變形和探針位置漂移。

本發明的目的是這樣實現的：

一種功率器件高溫高壓測試用探針卡，從上到下依次設置進氣系統、PCB板、轉接層、導引板和探針；所述進氣系統底部具有多個下出氣孔和側出氣孔，所述PCB板上分布有與下出氣孔位置、形狀和數量均相同的第一通孔，所述轉接層上分布有與下出氣孔位置、形狀和數量均相同的第二通孔，所述導引板上分布有與下出氣孔位置、形狀和數量均相同的第三通孔，下出氣孔、第一通孔、第二通孔和第三通孔同軸設置，從下出氣孔噴射出的高溫高壓氣體，依次經過第一通孔、第二通孔和第三通孔后，吹入導引板與被測晶圓之間；