[發明專利]一種轉移裝置及轉移方法在審
| 申請號: | 202110031508.8 | 申請日: | 2021-01-11 |
| 公開(公告)號: | CN112864076A | 公開(公告)日: | 2021-05-28 |
| 發明(設計)人: | 高志坤;彭錦濤;秦斌;王瑋 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/683 | 分類號: | H01L21/683;H01L21/66;H01L21/67;H01L33/48 |
| 代理公司: | 北京安信方達知識產權代理有限公司 11262 | 代理人: | 解婷婷;曲鵬 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 轉移 裝置 方法 | ||
一種轉移裝置及轉移方法,所述轉移裝置包括設置在所述襯底上的至少一個轉移結構,所述轉移結構包括:光敏檢測子電路、轉移控制子電路和轉移頭,所述光敏檢測子電路連接所述轉移控制子電路,所述轉移控制子電路連接所述轉移頭,所述光敏檢測子電路被配置為,檢測發光元件是否發光,輸出光敏檢測信號至所述轉移控制子電路;所述轉移控制子電路被配置為,根據所述光敏檢測信號,輸出轉移控制信號至所述轉移頭,以控制所述轉移頭產生或失去吸附力;所述轉移頭被配置為,接收所述轉移控制子電路的轉移控制信號,產生或失去吸附力,以拾取或釋放所述發光元件。
技術領域
本申請實施例涉及但不限于顯示技術,尤指一種轉移裝置及轉移方法。
背景技術
微型發光二極管(Micro-LED)顯示技術兼具液晶顯示(Liquid Crystal Display,LCD)和有機發光二極管(Organic Light Emitting Diode,OLED)的優點,具有低功耗、高亮度、高對比度、超高分辨率與色彩飽和度、反應速度快、超省電、長壽命、效率高等特點,被視作現有技術水平下的終極顯示技術。制備過程中涉及檢測合格后將發光二極管(LightEmitting Diode,LED)轉移到顯示基板上的巨量轉移過程,技術難度較大。
發明內容
以下是對本文詳細描述的主題的概述。本概述并非是為了限制權利要求的保護范圍。
本公開實施例提供了一種轉移裝置和轉移方法,提高轉移效率。
一方面,本公開實施例提供了一種轉移裝置,包括設置在襯底上的至少一個轉移結構,所述轉移結構包括:光敏檢測子電路、轉移控制子電路和轉移頭,所述光敏檢測子電路連接所述轉移控制子電路,所述轉移控制子電路連接所述轉移頭,其中:
所述光敏檢測子電路被配置為,檢測發光元件是否發光,輸出光敏檢測信號至所述轉移控制子電路;
所述轉移控制子電路被配置為,根據所述光敏檢測信號,輸出轉移控制信號至所述轉移頭,以控制所述轉移頭產生或失去吸附力;
所述轉移頭被配置為,接收所述轉移控制子電路的轉移控制信號,產生或失去吸附力,以拾取或釋放所述發光元件。
在一示例性實施例中,所述光敏檢測子電路包括光控開關子電路,
所述光敏檢測子電路包括光控開關子電路,所述光控開關子電路分別與第一電源端和第一節點連接,所述轉移控制子電路連接所述第一節點,所述光控開關子電路被配置為,當所述發光元件發光時,向所述第一節點提供所述第一電源端的信號;當所述發光元件不發光時,關斷所述第一電源端和所述第一節點。
在一示例性實施例中,所述轉移控制子電路包括第一控制子電路、第二控制子電路、第三控制子電路和存儲子電路,其中:
所述第一控制子電路分別與所述第一節點、第二電源端和控制信號端連接,被配置為,在所述控制信號端的控制下,向所述第一節點提供所述第二電源端的信號;
所述第二控制子電路分別與第三電源端、所述第一節點和第二節點連接,被配置為,在所述第一節點的控制下,向所述第二節點提供所述第三電源端的信號;
所述存儲子電路分別與所述第二節點和所述轉移頭的第一電極連接,被配置為,存儲所述第二節點和所述轉移頭的第一電極之間的電壓值;
所述第三控制子電路分別與第四電源端、所述第一節點和所述轉移頭的第二電極連接,被配置為,在所述第一節點的控制下,向所述轉移頭的第二電極提供所述第四電源端的信號。
在一示例性實施例中,所述第一電源端為高電平信號,所述第二電源端為低電平信號;或者,所述第一電源端為低電平信號,所述第二電源端為高電平信號。
在一示例性實施例中,所述光控開關子電路包括光敏電阻,所述光敏電阻的一端連接所述第一電源端,另一端連接所述第一節點。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





