[發(fā)明專利]一種轉移裝置及轉移方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110031508.8 | 申請日: | 2021-01-11 |
| 公開(公告)號: | CN112864076A | 公開(公告)日: | 2021-05-28 |
| 發(fā)明(設計)人: | 高志坤;彭錦濤;秦斌;王瑋 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/683 | 分類號: | H01L21/683;H01L21/66;H01L21/67;H01L33/48 |
| 代理公司: | 北京安信方達知識產(chǎn)權代理有限公司 11262 | 代理人: | 解婷婷;曲鵬 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 轉移 裝置 方法 | ||
1.一種轉移裝置,其特征在于,包括設置在襯底上的至少一個轉移結構,所述轉移結構包括:光敏檢測子電路、轉移控制子電路和轉移頭,所述光敏檢測子電路連接所述轉移控制子電路,所述轉移控制子電路連接所述轉移頭,其中:
所述光敏檢測子電路被配置為,檢測發(fā)光元件是否發(fā)光,輸出光敏檢測信號至所述轉移控制子電路;
所述轉移控制子電路被配置為,根據(jù)所述光敏檢測信號,輸出轉移控制信號至所述轉移頭,以控制所述轉移頭產(chǎn)生或失去吸附力;
所述轉移頭被配置為,接收所述轉移控制子電路的轉移控制信號,產(chǎn)生或失去吸附力,以拾取或釋放所述發(fā)光元件。
2.根據(jù)權利要求1所述的轉移裝置,其特征在于,所述光敏檢測子電路包括光控開關子電路,所述光控開關子電路分別與第一電源端和第一節(jié)點連接,所述轉移控制子電路連接所述第一節(jié)點,所述光控開關子電路被配置為,當所述發(fā)光元件發(fā)光時,向所述第一節(jié)點提供所述第一電源端的信號;當所述發(fā)光元件不發(fā)光時,關斷所述第一電源端和所述第一節(jié)點。
3.根據(jù)權利要求2所述的轉移裝置,其特征在于,所述轉移控制子電路包括第一控制子電路、第二控制子電路、第三控制子電路和存儲子電路,其中:
所述第一控制子電路分別與所述第一節(jié)點、第二電源端和控制信號端連接,被配置為,在所述控制信號端的控制下,向所述第一節(jié)點提供所述第二電源端的信號;
所述第二控制子電路分別與第三電源端、所述第一節(jié)點和第二節(jié)點連接,被配置為,在所述第一節(jié)點的控制下,向所述第二節(jié)點提供所述第三電源端的信號;
所述存儲子電路分別與所述第二節(jié)點和所述轉移頭的第一電極連接,被配置為,存儲所述第二節(jié)點和所述轉移頭的第一電極之間的電壓值;
所述第三控制子電路分別與第四電源端、所述第一節(jié)點和所述轉移頭的第二電極連接,被配置為,在所述第一節(jié)點的控制下,向所述轉移頭的第二電極提供所述第四電源端的信號。
4.根據(jù)權利要求3所述的轉移裝置,其特征在于,所述第一電源端為高電平信號,所述第二電源端為低電平信號;或者,所述第一電源端為低電平信號,所述第二電源端為高電平信號。
5.根據(jù)權利要求3所述的轉移裝置,其特征在于,所述光控開關子電路包括光敏電阻,所述光敏電阻的一端連接所述第一電源端,另一端連接所述第一節(jié)點。
6.根據(jù)權利要求3所述的轉移裝置,其特征在于,所述第一控制子電路包括第一晶體管,所述第一晶體管的控制極連接所述控制信號端,第一極連接所述第一節(jié)點,第二極連接所述第二電源端。
7.根據(jù)權利要求3所述的轉移裝置,其特征在于,所述第二控制子電路包括第二晶體管,所述第二晶體管的控制極連接所述第一節(jié)點,第一極連接所述第三電源端,第二極連接所述第二節(jié)點。
8.根據(jù)權利要求3所述的轉移裝置,其特征在于,所述存儲子電路包括:電容,所述電容的第一端與所述第二節(jié)點連接,第二端與所述轉移頭的第一電極連接。
9.根據(jù)權利要求3所述的轉移裝置,其特征在于,所述第三控制子電路包括第三晶體管,所述第三晶體管的控制極連接所述第一節(jié)點,第一極連接所述轉移頭的第二電極,第二極連接所述第四電源端。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





