[發(fā)明專利]基于記憶合金的動(dòng)態(tài)調(diào)控圓二色性裝置及系統(tǒng)

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110030050.4
• 申請(qǐng)日: 2021-01-11
• 公開（公告）號(hào): CN112764242A
• 公開（公告）日: 2021-05-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 不公告發(fā)明人
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 于孟今
• 主分類號(hào): G02F1/01
• 分類號(hào): G02F1/01
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種基于記憶合金的動(dòng)態(tài)調(diào)控圓二色性裝置，其特征在于，所述裝置包括：基底、柵極、源極、漏極、第一石墨烯層、第二石墨烯層、記憶合金層和金屬結(jié)構(gòu)層：所述基底一個(gè)面的中央位置設(shè)置有凹槽，所述凹槽內(nèi)部設(shè)置有所述柵極，所述第一石墨烯層覆蓋設(shè)置在所述凹槽的開口位置，所述金屬結(jié)構(gòu)層包括多個(gè)金屬結(jié)構(gòu)單元，所述記憶合金層包括多個(gè)記憶合金單元，多個(gè)所述金屬結(jié)構(gòu)單元周期設(shè)置在所述第一石墨烯層遠(yuǎn)離基底的一側(cè)，多個(gè)所述記憶合金單元周期設(shè)置在多個(gè)所述金屬結(jié)構(gòu)單元遠(yuǎn)離所述基底的一側(cè)，且多個(gè)所述金屬結(jié)構(gòu)單元的周期與多個(gè)所述記憶合金單元的周期相同，所述第二石墨烯層設(shè)置在多個(gè)所述記憶合金單元遠(yuǎn)離所述基底的一側(cè)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于記憶合金的動(dòng)態(tài)調(diào)控圓二色性裝置，其特征在于，所述裝置還包括金屬顆粒層，所述金屬顆粒層設(shè)置在所述第二石墨烯層遠(yuǎn)離所述基底的一側(cè)。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基于記憶合金的動(dòng)態(tài)調(diào)控圓二色性裝置，其特征在于，所述金屬顆粒層的金屬顆粒不均勻的設(shè)置在所述第二石墨烯層遠(yuǎn)離所述基底的一側(cè)。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的基于記憶合金的動(dòng)態(tài)調(diào)控圓二色性裝置，其特征在于，所述金屬顆粒層的材料為貴金屬材料。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于記憶合金的動(dòng)態(tài)調(diào)控圓二色性裝置，其特征在于，所述記憶合金層的材料為鎳-鈦合金。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于記憶合金的動(dòng)態(tài)調(diào)控圓二色性裝置，其特征在于，所述第二石墨烯層包括多個(gè)條形石墨烯單元。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于記憶合金的動(dòng)態(tài)調(diào)控圓二色性裝置，其特征在于，所述金屬結(jié)構(gòu)層的材料為貴金屬材料。

8.一種基于記憶合金的動(dòng)態(tài)調(diào)控圓二色性系統(tǒng)，其特征在于，所述系統(tǒng)包括：光源、環(huán)境調(diào)節(jié)裝置、電源、電能檢測(cè)裝置和權(quán)利要求1-7任意一項(xiàng)所述的基于記憶合金的動(dòng)態(tài)調(diào)控圓二色性裝置，所述光源用于產(chǎn)生光信號(hào)，并將所述光信號(hào)傳遞到所述裝置上，所述環(huán)境調(diào)節(jié)裝置設(shè)置在所述裝置外部，用于調(diào)節(jié)所述裝置的外部環(huán)境，所述電源用于給所述裝置提供電能，所述電能檢測(cè)裝置用于檢測(cè)所述裝置的輸出電能。