[發明專利]基于記憶合金的動態調控圓二色性裝置及系統在審
| 申請號: | 202110030050.4 | 申請日: | 2021-01-11 |
| 公開(公告)號: | CN112764242A | 公開(公告)日: | 2021-05-07 |
| 發明(設計)人: | 不公告發明人 | 申請(專利權)人: | 于孟今 |
| 主分類號: | G02F1/01 | 分類號: | G02F1/01 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 252400 山東省*** | 國省代碼: | 山東;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 基于 記憶 合金 動態 調控 圓二色性 裝置 系統 | ||
1.一種基于記憶合金的動態調控圓二色性裝置,其特征在于,所述裝置包括:基底、柵極、源極、漏極、第一石墨烯層、第二石墨烯層、記憶合金層和金屬結構層:所述基底一個面的中央位置設置有凹槽,所述凹槽內部設置有所述柵極,所述第一石墨烯層覆蓋設置在所述凹槽的開口位置,所述金屬結構層包括多個金屬結構單元,所述記憶合金層包括多個記憶合金單元,多個所述金屬結構單元周期設置在所述第一石墨烯層遠離基底的一側,多個所述記憶合金單元周期設置在多個所述金屬結構單元遠離所述基底的一側,且多個所述金屬結構單元的周期與多個所述記憶合金單元的周期相同,所述第二石墨烯層設置在多個所述記憶合金單元遠離所述基底的一側。
2.根據權利要求1所述的基于記憶合金的動態調控圓二色性裝置,其特征在于,所述裝置還包括金屬顆粒層,所述金屬顆粒層設置在所述第二石墨烯層遠離所述基底的一側。
3.根據權利要求2所述的基于記憶合金的動態調控圓二色性裝置,其特征在于,所述金屬顆粒層的金屬顆粒不均勻的設置在所述第二石墨烯層遠離所述基底的一側。
4.根據權利要求3所述的基于記憶合金的動態調控圓二色性裝置,其特征在于,所述金屬顆粒層的材料為貴金屬材料。
5.根據權利要求1所述的基于記憶合金的動態調控圓二色性裝置,其特征在于,所述記憶合金層的材料為鎳-鈦合金。
6.根據權利要求1所述的基于記憶合金的動態調控圓二色性裝置,其特征在于,所述第二石墨烯層包括多個條形石墨烯單元。
7.根據權利要求1所述的基于記憶合金的動態調控圓二色性裝置,其特征在于,所述金屬結構層的材料為貴金屬材料。
8.一種基于記憶合金的動態調控圓二色性系統,其特征在于,所述系統包括:光源、環境調節裝置、電源、電能檢測裝置和權利要求1-7任意一項所述的基于記憶合金的動態調控圓二色性裝置,所述光源用于產生光信號,并將所述光信號傳遞到所述裝置上,所述環境調節裝置設置在所述裝置外部,用于調節所述裝置的外部環境,所述電源用于給所述裝置提供電能,所述電能檢測裝置用于檢測所述裝置的輸出電能。
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