[發(fā)明專利]基于記憶合金的動態(tài)調(diào)控圓二色性裝置及系統(tǒng)

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110030050.4
• 申請日: 2021-01-11
• 公開（公告）號: CN112764242A
• 公開（公告）日: 2021-05-07
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 不公告發(fā)明人
• 申請（專利權(quán)）人: 于孟今
• 主分類號: G02F1/01
• 分類號: G02F1/01
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本申請涉及基于記憶合金的動態(tài)調(diào)控圓二色性裝置及系統(tǒng)，具體而言，涉及圓二色性調(diào)控系統(tǒng)。本申請?zhí)峁┑幕谟洃浐辖鸬膭討B(tài)調(diào)控圓二色性裝置包括：基底、柵極、源極、漏極、第一石墨烯層、第二石墨烯層、記憶合金層和金屬結(jié)構(gòu)層：當需要對本申請的裝置進行調(diào)控的時候，改變該裝置的外界環(huán)境，繼而使得該記憶合金層發(fā)生形變，進而改變該第一石墨烯層和第二石墨烯層的形狀，使得該第一石墨烯層和第二石墨烯層中的載流子密度和電導率改變，進而改變該裝置電極的輸出電壓，并且由于圓二色性信號與分別通過左旋圓偏振光與右旋圓偏偏振光照射時，該裝置的輸出電壓差有關(guān)，即改變該裝置的輸出電壓，即就是改變該裝置的圓二色信號。

技術(shù)領(lǐng)域

本申請涉及圓二色性調(diào)控系統(tǒng)，具體而言，涉及一種基于記憶合金的動態(tài)調(diào)控圓二色性裝置及系統(tǒng)。本申請?zhí)峁┑幕谟洃浐辖鸬膭討B(tài)調(diào)控圓二色性裝置包括：基底、柵極、源極、漏極、第一石墨烯層、第二石墨烯層、記憶合金層和金屬結(jié)構(gòu)層：基底一個面的中央位置設(shè)置有凹槽，凹槽內(nèi)部設(shè)置有柵極，第一石墨烯層覆蓋設(shè)置在凹槽的開口位置，金屬結(jié)構(gòu)層包括多個金屬結(jié)構(gòu)單元，記憶合金層包括多個記憶合金單元，多個金屬結(jié)構(gòu)單元周期設(shè)置在第一石墨烯層遠離基底的一側(cè)，多個記憶合金單元周期設(shè)置在多個金屬結(jié)構(gòu)單元遠離基底的一側(cè)，且多個金屬結(jié)構(gòu)單元的周期與多個記憶合金單元的周期相同，第二石墨烯層設(shè)置在多個記憶合金單元遠離基底的一側(cè)；由于記憶合金層的材料為記憶合金，記憶合金的形狀與外界環(huán)境具有對應(yīng)關(guān)系，當需要對本申請的裝置進行調(diào)控的時候，改變該裝置的外界環(huán)境，繼而使得該記憶合金層發(fā)生形變，進而改變該第一石墨烯層和第二石墨烯層的形狀，使得該第一石墨烯層和第二石墨烯層中的載流子密度和電導率改變，進而改變該裝置電極的輸出電壓，并且由于圓二色性信號與分別通過左旋圓偏振光與右旋圓偏偏振光照射時，該裝置的輸出電壓差有關(guān)，即改變該裝置的輸出電壓，即就是改變該裝置的圓二色信號

背景技術(shù)

手性是物體的一種內(nèi)在屬性，不能與其鏡像重疊。許多生物分子以及化學合成的藥物以右、左兩種形式存在，即對映體。手性分子的功能通常由其旋向性決定，不同的對映體在代謝吸收、愈合效力和毒理學副作用方面表現(xiàn)出強烈的對比行為。因此，在結(jié)構(gòu)生物學、化學和藥理學等許多科學領(lǐng)域中，有效地識別手性分子是非常重要的。圓二色性是手性材料的一個基本特征，它對右手圓偏振入射光和左手圓偏振入射光表現(xiàn)出各向異性的吸收。天然的手性光學晶體(如石英、苯并、NaBrO₃)和生物/化學分子通常表現(xiàn)出較弱的CD效應(yīng)。人工超穎材料在呈現(xiàn)異常透射、負折射率、零折射率等有趣現(xiàn)象。

近年來，平面手性異材料的CD效應(yīng)在微波、太赫茲、紅外甚至光學頻率上也得到了廣泛的研究。由于平面外各向同性，單層平面手性超材料通常難以產(chǎn)生明顯的CD。

現(xiàn)有技術(shù)中的制備金屬結(jié)構(gòu)制備方法繁瑣復雜且昂貴，而且制備的微納結(jié)構(gòu)參數(shù)不能調(diào)控，如果變化參數(shù)，還需要重新制備結(jié)構(gòu)。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于，針對上述現(xiàn)有技術(shù)中的不足，提供一種基于記憶合金的動態(tài)調(diào)控圓二色性裝置及系統(tǒng)，以解決現(xiàn)有技術(shù)中的制備金屬結(jié)構(gòu)制備方法繁瑣復雜且昂貴，而且制備的微納結(jié)構(gòu)參數(shù)不能調(diào)控，如果變化參數(shù)，還需要重新制備結(jié)構(gòu)的問題。

為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明實施例采用的技術(shù)方案如下：

第一方面，本申請?zhí)峁┮环N基于記憶合金的動態(tài)調(diào)控圓二色性裝置，裝置包括：基底、柵極、源極、漏極、第一石墨烯層、第二石墨烯層、記憶合金層和金屬結(jié)構(gòu)層：基底一個面的中央位置設(shè)置有凹槽，凹槽內(nèi)部設(shè)置有柵極，第一石墨烯層覆蓋設(shè)置在凹槽的開口位置，金屬結(jié)構(gòu)層包括多個金屬結(jié)構(gòu)單元，記憶合金層包括多個記憶合金單元，多個金屬結(jié)構(gòu)單元周期設(shè)置在第一石墨烯層遠離基底的一側(cè)，多個記憶合金單元周期設(shè)置在多個金屬結(jié)構(gòu)單元遠離基底的一側(cè)，且多個金屬結(jié)構(gòu)單元的周期與多個記憶合金單元的周期相同，第二石墨烯層設(shè)置在多個記憶合金單元遠離基底的一側(cè)。

可選地，該裝置還包括金屬顆粒層，金屬顆粒層設(shè)置在第二石墨烯層遠離基底的一側(cè)。

可選地，該金屬顆粒層的金屬顆粒厚度不均勻的設(shè)置在第二石墨烯層遠離基底的一側(cè)。