[發明專利]銅鋁膜蝕刻液

有效

• 申請號: 202110029611.9
• 申請日: 2021-01-11
• 公開（公告）號: CN112877695B
• 公開（公告）日: 2023-03-28
• 發明（設計）人: 吳豪旭
• 申請（專利權）人: TCL華星光電技術有限公司
• 主分類號: C23F1/18
• 分類號: C23F1/18;C23F1/20
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 遠明

本申請實施例公開了一種銅鋁膜蝕刻液，所述銅鋁膜蝕刻液相對于所述蝕刻液的總重量，以重量計，包含：4％至10％的過氧化氫，0.1％至1％的過氧化氫穩定劑，0.05％至0.5％的蝕刻抑制劑，10％至30％的螯合劑，0.2％至2％的表面活性劑，0.2％至5％的無機磷酸鹽或無機磷酸氫鹽，0.1％至5％的無機酸，0至0.05％的氟化物以及余量的去離子水。本申請蝕刻液具有較長的使用壽命。

技術領域

本申請涉及蝕刻液技術領域，具體涉及一種銅鋁膜蝕刻液。

背景技術

目前，高世代的薄膜晶體管液晶顯示器(Thin film transistor liquid crystaldisplay，TFT-LCD)生產工藝中非晶硅薄膜晶體管產品較常用，銅、鋁及其合金因成本較低而得到開發應用。銅/鋁膜層成為TFT-LCD主要的柵極(Gate)、源極/漏極(Source/Drain)金屬層結構，相關的蝕刻液的開發也顯得尤為重要。

現有銅鋁膜蝕刻液大多采用雙氧水體系，通過過氧化氫將銅和鋁氧化、再在酸的作用下生成銅離子和鋁離子以最終實現蝕刻的目的，但是銅離子對于過氧化氫的分解有催化作用，當蝕刻過程中溶解在蝕刻液中的銅離子濃度超過0.005克每毫升(5000ppm，ppm為百萬分率)時，過氧化氫會劇烈分解而導致易沸易爆且蝕刻效率降低，過早到達蝕刻液的使用壽命，而需要頻繁更換新的蝕刻液。

發明內容

本申請實施例提供一種銅鋁膜蝕刻液，可以使蝕刻液具有較長的使用壽命，同時過氧化氫含量低，降低了蝕刻液的成本，提高了蝕刻液的安全性。

本申請實施例提供一種銅鋁膜蝕刻液，相對于所述蝕刻液的總重量，以重量計，包含：4％至10％的過氧化氫，0.1％至1％的過氧化氫穩定劑，0.05％至0.5％的蝕刻抑制劑，10％至30％的螯合劑，0.2％至2％的表面活性劑，0.2％至5％的無機磷酸鹽或無機磷酸氫鹽，0.1％至5％的無機酸，0至0.05％的氟化物以及余量的去離子水。

可選的，在本申請的一些實施例中，相對于所述蝕刻液的總重量，以重量計，包含0.005％至0.05％的氟化物。

可選的，在本申請的一些實施例中，所述過氧化氫穩定劑選自苯基脲、N,N'-二苯基脲或二苯氨基脲。

可選的，在本申請的一些實施例中，所述蝕刻抑制劑選自苯并唑類化合物。

可選的，在本申請的一些實施例中，所述螯合劑由有機酸和醇胺組成；所述有機酸相對于所述蝕刻液的總重量以重量計為8％至20％，所述醇胺相對于所述蝕刻液的總重量以重量計為2％至10％。

可選的，在本申請的一些實施例中，所述有機酸選自檸檬酸、丙二酸、二乙醇酸、馬來酸、羥基丁酸、丁二酸、蘋果酸、乙醇酸、鄰苯二甲酸、水楊酸、丙氨酸、天門冬酰胺和精氨酸中的至少一種；所述醇胺選自N,N-二甲基乙醇胺、N,N-二乙基乙醇胺、2-氨基-2-甲基-1-丙醇、異丙醇胺、二乙醇胺、三異丙醇胺和一乙醇胺中的至少一種。

可選的，在本申請的一些實施例中，所述有機酸相對于所述蝕刻液的總重量以重量計為8％至20％，所述醇胺相對于所述蝕刻液的總重量以重量計為2％至10％。

可選的，在本申請的一些實施例中，所述表面活性劑為聚乙二醇。

可選的，在本申請的一些實施例中，所述無機磷酸鹽或無機磷酸氫鹽選自銨鹽、鉀鹽或鈉鹽。

可選的，在本申請的一些實施例中，所述無機酸選自磷酸、硫酸和硝酸中的至少一種。

可選的，在本申請的一些實施例中，所述氟化物選自氫氟酸、氟化銨、氟化鉀和氟化鈉中的至少一種。