[發(fā)明專(zhuān)利]半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法和封裝件在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110025945.9 | 申請(qǐng)日: | 2021-01-08 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN113314496A | 公開(kāi)(公告)日: | 2021-08-27 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 吳俊毅;余振華 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L23/498 | 分類(lèi)號(hào): | H01L23/498;H01L23/31;H01L21/56;H05K1/18 |
| 代理公司: | 北京德恒律治知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;李偉 |
| 地址: | 中國(guó)臺(tái)*** | 國(guó)省代碼: | 臺(tái)灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 半導(dǎo)體 結(jié)構(gòu) 及其 形成 方法 封裝 | ||
1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),包括:
芯襯底;
再分布結(jié)構(gòu),耦接至所述芯襯底的第一側(cè),所述再分布結(jié)構(gòu)包括:
多個(gè)再分布層,所述多個(gè)再分布層中的每個(gè)包括介電層和金屬化層;
第一局部互連組件,嵌入所述多個(gè)再分布層的第一再分布層中,所述第一局部互連組件包括襯底、位于所述襯底上的互連結(jié)構(gòu)和導(dǎo)電連接件,所述導(dǎo)電連接件通過(guò)第一焊料連接件接合至所述第一再分布層的金屬化層,所述第一再分布層的所述金屬化層包括第一導(dǎo)線和第一導(dǎo)電通孔;以及
第一底部填充物,位于所述第一再分布層中,所述第一底部填充物圍繞所述第一焊料連接件;
第一集成電路管芯,耦接至所述再分布結(jié)構(gòu),所述再分布結(jié)構(gòu)介于所述芯襯底和所述第一集成電路管芯之間;
第二集成電路管芯,耦接至所述再分布結(jié)構(gòu),所述再分布結(jié)構(gòu)介于所述芯襯底和所述第二集成電路管芯之間,所述第一局部互連組件的所述互連結(jié)構(gòu)將所述第一集成電路管芯電耦接至所述第二集成電路管芯;以及
一組導(dǎo)電連接件,耦接至所述芯襯底的第二側(cè)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),其中,所述再分布結(jié)構(gòu)使用第二焊料連接件耦接至所述芯襯底的所述第一側(cè)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),還包括:
第二底部填充物,介于所述再分布結(jié)構(gòu)和所述芯襯底之間并且圍繞所述第二焊料連接件。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),其中,所述第二底部填充物沿所述再分布結(jié)構(gòu)的側(cè)壁延伸。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),其中,所述第一底部填充物接觸所述第一導(dǎo)線和所述第一再分布層的介電層。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),其中,所述第一局部互連組件的所述互連結(jié)構(gòu)位于所述第一局部互連組件的所述襯底的第一側(cè)上,所述第一局部互連組件的所述第一側(cè)面向所述第一集成電路管芯。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),其中,所述第一局部互連組件還包括:
第一通孔,延伸穿過(guò)所述第一局部互連組件的所述襯底,所述第一通孔電耦接至所述第一局部互連組件的所述互連結(jié)構(gòu)和所述第一局部互連組件的所述襯底的第二側(cè)上的所述多個(gè)再分布層的金屬化層,所述第二側(cè)與所述第一側(cè)相對(duì)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),其中,所述第一局部互連組件的所述襯底是硅襯底。
9.一種形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法,包括:
在第一載體襯底上方形成第一再分布結(jié)構(gòu),其中,形成所述第一再分布結(jié)構(gòu)包括:
在所述第一載體襯底上方形成第一組導(dǎo)線;
在所述第一組導(dǎo)線上方形成電耦接至所述第一組導(dǎo)線的第一組導(dǎo)電通孔;
通過(guò)第一焊料區(qū)域?qū)⒌谝换ミB管芯接合至第一組導(dǎo)線,所述第一互連管芯包括襯底和位于所述襯底上的互連結(jié)構(gòu),所述互連結(jié)構(gòu)接合至所述第一焊料區(qū)域,所述第一互連管芯位于所述第一組導(dǎo)電通孔中的兩個(gè)之間;
在所述第一組導(dǎo)線、所述第一組導(dǎo)電通孔和所述第一互連管芯上方形成第一介電層,所述第一介電層、所述第一組導(dǎo)電通孔、所述第一組導(dǎo)線和所述第一互連管芯形成第一再分布層;以及
在所述第一再分布層上方形成第二再分布層,所述第二再分布層包括第二介電層、第二組導(dǎo)電通孔和第二組導(dǎo)線,所述第二組導(dǎo)線中的至少一個(gè)電耦接至所述第一組導(dǎo)電通孔中的至少一個(gè);
去除所述第一載體襯底;
將芯襯底電連接至所述第一再分布結(jié)構(gòu)的第一側(cè),所述第二再分布層比所述第一再分布層更靠近所述第一再分布層的所述第一側(cè);以及
將第一集成電路管芯和第二集成電路管芯接合至所述第一再分布結(jié)構(gòu)的第二側(cè),所述第二側(cè)與所述第一側(cè)相對(duì),所述第一集成電路管芯和所述第二集成電路管芯電耦接至所述第一互連管芯。
10.一種封裝件,包括:
第一再分布結(jié)構(gòu),所述第一再分布結(jié)構(gòu)包括:
多個(gè)再分布層,所述多個(gè)再分布層中的每個(gè)包括金屬化圖案和介電層,所述多個(gè)再分布層中的第一再分布層包括:
第一介電層;
第一金屬化圖案;
第一互連管芯,所述第一互連管芯包括襯底、位于所述襯底上的互連結(jié)構(gòu)和位于所述互連結(jié)構(gòu)上的管芯連接件,所述管芯連接件通過(guò)第一焊料凸塊接合至所述第一再分布層的金屬化圖案,所述第一金屬化圖案包括第一導(dǎo)線和第一導(dǎo)電通孔,所述第一介電層密封所述第一互連管芯;以及
第一底部填充物,位于所述第一互連管芯和所述第一金屬化圖案之間,所述第一底部填充物圍繞所述第一焊料凸塊;
芯襯底,使用第一組導(dǎo)電連接件耦接至所述第一再分布結(jié)構(gòu)的第一側(cè),所述第一再分布結(jié)構(gòu)的寬度小于所述芯襯底的寬度;以及
集成電路管芯封裝件,使用第二組導(dǎo)電連接件耦接至所述第一再分布結(jié)構(gòu)的第二側(cè),所述第二側(cè)與所述第一側(cè)相對(duì)。
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